摘要
　　中信证券财富管理与中信里昂研究观点一致。根据中信里昂研究在2026年8月28日发布的题为《Nanya andTechInsights takeaways》的报告，英伟达评论对存储看法偏乐观，南亚科技预计强势将持续至2028年。中信里昂维持此前观点，即在AI系统中存储而非算力是关键瓶颈，未来几年需求可能仍将领先于供应。英伟达在其业绩电话会上的评论中表示，需求正从超大规模云服务商扩展至企业和主权AI客户，其由存储采购驱动的2,800亿美元供应和产能承诺（环比增长134%），对存储前景构成利好。本周，中信里昂与南亚科技进行了交流，并参加了TechInsights的一场线上演示，中信里昂总结了关键要点。分析维持对三星电子、SK海力士和美光的积极看法。
　　与南亚科技电话交流：DDR4需求强劲，短缺将持续
　　南亚科技在全球DRAM市场拥有约1%的份额，预计由AI热潮驱动的DRAM短缺和价格上涨将持续至2028年。
　　成熟的DDR4 DRAM产品占其收入的66%，而DDR5仅贡献约10%。由于主要DRAM供应商正专注于DDR5和HBM，南亚科技预计将在高盈利的DDR4 DRAM领域维持强劲市场份额。
　　尽管全球DDR4供应下降，但来自PC、工业和消费电子的需求依然强劲，导致年初至今价格显著上涨。公司指出，当前DDR4按比特计算的定价高于DDR5，且其正在有意最大化DDR4产量，尽管其具备提升DDR5产出的产能。二季度毛利率为79.5%，并预计下半年将进一步改善。
　　南亚科技对未来两年的需求有很强的可见度。为满足需求，公司正在建设新的F5晶圆厂。5厂的最大规划产能为每月4.5万片晶圆。第一阶段计划于2027年末开始运营，产能为每月3万片晶圆，到2029年提升至每月3.6万片晶圆。60-70%的产能基于20nm级制程，1b nm占30%。基于1c nm的生产计划于2027年开始。
　　在数据中心对eSSD的强劲需求驱动下，主要SSD制造商正大量下单16Gb DDR4，该产品用作SSD控制器的工作内存。南亚科技认为，eSSD热潮所创造的需求可能成为一个重要的隐藏驱动因素。公司正在评估进入HBM市场的准备情况，但由于存在重大技术障碍，未提供其商业化时间表。
　　TechInsights：DRAM接近重大技术转型，NAND中的混合键合
　　中信里昂收看了TechInsights关于存储行业技术路线图的一场线上演示。其认为DRAM正接近一次重大的架构转型。主流DRAM产品采用6F2单元架构。然而，随着制程微缩在10nm以下接近物理极限，进一步缩小传统DRAM正变得困难且昂贵。因此，供应商正探索向4F2架构转型，该架构可提供缩小33%的单元面积和更高的每片晶圆比特密度。
　　4F2 DRAM转型意义重大，因为其很可能是在3DDRAM之前最后一次重大的微缩转型。三星电子/海力士计划在转向3DDRAM之前，于10nm以下DRAM世代中采用4F2和垂直沟道晶体管技术。相比之下，Micron似乎更直接聚焦于未来3DDRAM架构，而非中间性的4F2转型。根据TechInsights，3DDRAM可能不可避免，但由于重大的技术挑战，实现大规模商业化可能仍需数年时间。
　　NAND正进入3DNAND微缩的下一阶段，在这一阶段，单纯增加层数已不再足够。未来竞争力将越来越依赖多堆栈架构、混合键合、CMOS集成和封装创新，而非仅依赖传统光刻微缩。混合键合正成为NAND下一个主要技术拐点。供应商不是将外围电路放置在NAND阵列旁边，而是将存储阵列和逻辑电路分别构建，然后再将它们键合在一起。例如，三星电子的V10 NAND很可能将采用混合键合。此外，随着层数增加，对单一400层堆栈进行蚀刻已变得越来越具挑战性，厂商正转向双堆栈或三堆栈架构，以提升比特密度并降低成本。