存储器价格情况：
　　 DRAM方面：8月个别产品价格出现上涨，环比-6.12%~+6.45%，本轮高点21年6月至23年8月累计跌幅为69%~83%。高端DRAM(服务器DDR5)合约价格稳定，主流DRAM(DDR4)价格跌幅收窄，个别产品价格出现上涨，8月涨跌幅-6.12%~+6.45%（7月涨跌幅-7.92%~-1.02%），利基DRAM(DDR3)价格跌幅在2.06%~4.55%（7月跌幅3.96%~8.33%），目前价格处于周期底部。TrendForce预计，受DRAM厂商陆续减产影响，供给逐季减少，加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力，23Q3跌幅将进一步收缩至0%~5%，同时LPDDR5产品价格有望上涨0~5%。
　　 NANDFlash方面：8月价格持续回升，环比0.00%~+7.09%（512GB大容量连续两月环比上涨，128/256GB价格保持稳定），本轮高点21年8月至23年6月累计跌幅为47%~69%。23H2旺季备货周期将至，尽管今年需求低迷，如Client SSD与Enterprise SSD在下游出货量下滑预期下采购量下降，导致终端出货预测持续下修，但在原厂持续减产及下游需求复苏预期下，市场仍认为23H2终端出货量会优于23H1，采购量有机会逐季增加。根据CFM闪存市场，7月初至9月14日，512Gb Wafer价格从1.41美元上涨至1.68美元，涨幅达20%；展望23H2，TrendForce预计23Q3 NANDFlash Wafer整体均价环比涨幅0%~5%，Q4涨幅将进一步扩大至8%~13%。
　　存储模组方面：今年2月开始价格下跌幅度收窄，8月SSD价格出现上涨，DDR4价格基本持平（9月1-2周小幅上涨），本轮高点22年3月至23年8月累计跌幅为44.76%~60.63%。据CFM闪存市场，截至9月12日，近半年DDR4 SODIMM（8GB 3200）由约16.5美元下降至不足14美元，降幅约15%，OEMSSD（512GBSATA）由约25美元下降至19美元，降幅约24%。我们认为模组厂商产品单价有望于23Q4开始回暖，随下游需求复苏而获得销量弹性，同时上游晶圆成本处于底部，有利于模组环节盈利水平修复。
　　价格传导分析：NANDWafer涨价行情已由合约价传导至现货价，8月末已自上而下由晶圆端传导至模组端。5月起，美、韩系厂商大幅减产后，部分供应商已经开始调高wafer报价；由于多数供应商已开始减产，库存压力在Q3下降，三星等原厂报价态度强势，Q3合约价已出现较大幅度反弹，并刺激买方采购意愿，加速供需平衡。8月末起，晶圆端涨价已开始传导至模组端，根据CFM闪存市场，SSD、EMMC、UFS等模组产品中多数已出现不同幅度的上涨（单周价格涨幅约0~5%）。TrendForce预计23Q3 NANDFlash整体均价跌幅将收缩至5~10%，Q4有望止跌回升，预估涨幅为0~5%。展望后续，我们预计23Q3 NAND各环节涨价将延续至23Q4；随DRAM持续减产以及下游服务器市场复苏，预计23Q4 DRAM价格有望开始回升。
　　中国台湾厂商高频数据：主流存储器价格仍相对承压，中国台湾存储市场的重点公司如旺宏、华邦电、南亚科、力积电营收同比下降，但进入三季度，受益于市场回暖、部分产品价格上涨，8月各家营收环比均上升：旺宏8月营收同比-30.23%，环比+19.23%；华邦电8月营收同比-13.21%，环比+1.74%；南亚科8月营收同比-24.69%，环比+5.65%；力积电8月营收同比-46.03%，环比+1.20%。
　　供给侧与需求侧近况更新：
　　供给端：为应对下游需求持续疲软、行业供过于求，部分厂商调降投片量，同时下调2023年资本开支及产能提升预期。据各公司业绩交流会，美光FY2023资本支出降至70亿美元，同比-40%以上，并将对DRAM和NAND进一步减产30%至2024年；SK海力士FY2023资本开支将同比削减超50%，并决定对NAND进一步减产5-10%；西部数据预计FY2024资本支出将大幅下降；三星平泽与西安厂扩大减产幅度；我们预计23H2大厂库存消耗速度将加快，促使半导体整体产业状况改善。量产、扩产方面，SK海力士24GBLPDDR5XDRAM已量产并供货OPPO；此外，SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品，计划2025H1量产。从历史周期看，资本开支增速与市场规模增速强相关性，随着各大存储厂商陆续下调2023年资本开支计划并降低稼动率，我们预计23年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，我们看好存储板块周期2023年下半年见底。
　　需求端：下游厂商“降成本、去库存”趋势持续，看好需求逐步复苏。2022年需求疲软下行业库存持续攀升，23H1行业库存持续去化，具体来看，IoT品类中海外市场及低阶产品需求更好，Q2供应链去库存接近尾声，下游客户逐步恢复拉货；手机品类中高端产品需求稳定，低阶产品需求更具韧性（性价比凸显），供应链中部分细分品类库存去化进展顺利，已进入补库存阶段；PC 23Q2库存持续去化，23H2需求有望进一步回暖；传统服务器行业仍处于库存去化阶段。我们认为，目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高，看好23H2至24年下游需求回暖趋势：1）服务器端，我们预计23Q3需求有望实现环比增长，看好23H2 DDR5服务器端需求提升，同时AI服务器DRAM和NAND的容量需求（content）是传统的6~8x和3x；2）PC端，我们预计

研究报告全文：存储行业深度追踪系列第5期2023年8月存储晶圆端涨价品类增加部分已传导至成品端中信证券研究部电子行业徐涛王子源程子盈2023年9月19日2023年8月存储行业数据更新及结论存储器价格情况DRAM方面8月个别产品价格出现上涨环比-612645本轮高点21年6月至23年8月累计跌幅为6983高端DRAM服务器DDR5合约价格稳定主流DRAMDDR4价格跌幅收窄个别产品价格出现上涨8月涨跌幅-6126457月涨跌幅-792-102利基DRAMDDR3价格跌幅在2064557月跌幅396833目前价格处于周期底部TrendForce预计受DRAM厂商陆续减产影响供给逐季减少加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力23Q3跌幅将进一步收缩至05同时LPDDR5产品价格有望上涨05NANDFlash方面8月价格持续回升环比000709512GB大容量连续两月环比上涨128256GB价格保持稳定本轮高点21年8月至23年6月累计跌幅为476923H2旺季备货周期将至尽管今年需求低迷如ClientSSD与EnterpriseSSD在下游出货量下滑预期下采购量下降导致终端出货预测持续下修但在原厂持续减产及下游需求复苏预期下市场仍认为23H2终端出货量会优于23H1采购量有机会逐季增加根据CFM闪存市场7月初至9月14日512GbWafer价格从141美元上涨至168美元涨幅达20展望23H2TrendForce预计23Q3NANDFlashWafer整体均价环比涨幅05Q4涨幅将进一步扩大至813存储模组方面今年2月开始价格下跌幅度收窄8月SSD价格出现上涨DDR4价格基本持平9月1-2周小幅上涨本轮高点22年3月至23年8月累计跌幅为44766063据CFM闪存市场截至9月12日近半年DDR4SODIMM8GB3200由约165美元下降至不足14美元降幅约15OEMSSD512GBSATA由约25美元下降至19美元降幅约24我们认为模组厂商产品单价有望于23Q4开始回暖随下游需求复苏而获得销量弹性同时上游晶圆成本处于底部有利于模组环节盈利水平修复价格传导分析NANDWafer涨价行情已由合约价传导至现货价8月末已自上而下由晶圆端传导至模组端5月起美韩系厂商大幅减产后部分供应商已经开始调高wafer报价由于多数供应商已开始减产库存压力在Q3下降三星等原厂报价态度强势Q3合约价已出现较大幅度反弹并刺激买方采购意愿加速供需平衡8月末起晶圆端涨价已开始传导至模组端根据CFM闪存市场SSDEMMCUFS等模组产品中多数已出现不同幅度的上涨单周价格涨幅约05TrendForce预计23Q3NANDFlash整体均价跌幅将收缩至510Q4有望止跌回升预估涨幅为05展望后续我们预计23Q3NAND各环节涨价将延续至23Q4随DRAM持续减产以及下游服务器市场复苏预计23Q4DRAM价格有望开始回升中国台湾厂商高频数据主流存储器价格仍相对承压中国台湾存储市场的重点公司如旺宏华邦电南亚科力积电营收同比下降但进入三季度受益于市场回暖部分产品价格上涨8月各家营收环比均上升旺宏8月营收同比-3023环比1923华邦电8月营收同比-1321环比174南亚科8月营收同比-2469环比565力积电8月营收同比-4603环比12012023年8月存储行业数据更新及结论供给侧与需求侧近况更新供给端为应对下游需求持续疲软行业供过于求部分厂商调降投片量同时下调2023年资本开支及产能提升预期据各公司业绩交流会美光FY2023资本支出降至70亿美元同比-40以上并将对DRAM和NAND进一步减产30至2024年SK海力士FY2023资本开支将同比削减超50并决定对NAND进一步减产5-10西部数据预计FY2024资本支出将大幅下降三星平泽与西安厂扩大减产幅度我们预计23H2大厂库存消耗速度将加快促使半导体整体产业状况改善量产扩产方面SK海力士24GBLPDDR5XDRAM已量产并供货OPPO此外SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品计划2025H1量产从历史周期看资本开支增速与市场规模增速强相关性随着各大存储厂商陆续下调2023年资本开支计划并降低稼动率我们预计23年行业供给增速将低于需求增速供需将逐步达到平衡有助于库存修复我们看好存储板块周期2023年下半年见底需求端下游厂商降成本去库存趋势持续看好需求逐步复苏2022年需求疲软下行业库存持续攀升23H1行业库存持续去化具体来看IoT品类中海外市场及低阶产品需求更好Q2供应链去库存接近尾声下游客户逐步恢复拉货手机品类中高端产品需求稳定低阶产品需求更具韧性性价比凸显供应链中部分细分品类库存去化进展顺利已进入补库存阶段PC23Q2库存持续去化23H2需求有望进一步回暖传统服务器行业仍处于库存去化阶段我们认为目前终端厂商已处于去库存的后期全年出货有望呈现前低后高看好23H2至24年下游需求回暖趋势1服务器端我们预计23Q3需求有望实现环比增长看好23H2DDR5服务器端需求提升同时AI服务器DRAM和NAND的容量需求content是传统的68x和3x2PC端我们预计23年PC出货同比下滑低两位数low-doubledigit3手机及智能终端我们预计23年智能手机出货同比下降中个位数mid-singledigit年内前低后高库存逐季改善4汽车端稳健增长预计23Q3工业市场初步复苏行业库存及需求有望在23H2持续改善投资建议国内厂商已发布2023年中报业绩整体来看23Q2基本面企稳或环比向好23Q4环比改善预期相对明晰国内厂商主要布局利基存储设计或主流存储模组环节Q2大部分存储厂商毛利率已至近年低位库存见顶营收出货量出现环比增长部分厂商Q2利润端环比改善我们预计23H2随库存去化需求逐步回归行业细分龙头有望迎来业绩修复机会看好国内存储产业链周期复苏叠加国产化趋势下的投资机遇建议关注1存储模组深科技江波龙佰维存储德明利协创数据朗科科技等2存储芯片设计东芯股份兆易创新北京君正普冉股份恒烁股份等3存储配套芯片澜起科技聚辰股份等风险因素下游需求复苏不及预期芯片价格持续下跌行业竞争日益加剧新技术研发进展缓慢国际地缘政治冲突等2CONTENTS目录1主流存储价格和交期情况2中国台湾重点厂商最新月度数据3供给侧与需求侧近况更新4海外国内主要厂商CY23Q2业绩汇总5重点公司追踪6重点公司投资建议及风险因素3DRAM价格8月高端产品价格稳定主流产品跌幅收窄个别产品价格出现上涨环比-6126458月个别产品价格出现上涨环比-612645本轮高点21年6月至23年8月累计跌幅为6983高端DRAM服务器DDR5合约价格稳定主流DRAMDDR4价格跌幅收窄个别产品价格出现上涨8月涨跌幅-6126457月涨跌幅-792-102利基DRAMDDR3价格跌幅在2064557月跌幅396833目前价格处于周期底部由于PCDRAMServerDRAMMobileDRAM占总DRAM消耗量超过85且DDR5比重仍低DRAM价格跌幅仍较大的主要原因是DDR4与LPDDR5的库存过高目前市场仍供过于求价格持续下跌然而在原厂陆续减产后DRAM下半年价格跌幅有望逐季收缩我们认为虽然供应商减产不及需求走弱速度但相较23Q1部分产品23Q2均价季跌幅有收缩趋势根据TrendForce23Q2DRAM跌幅收缩至1318其中PC及ServerDRAM跌幅为1520MobileDRAM跌幅为1318TrendForce预计受DRAM厂商陆续减产影响供给逐季减少加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力23Q3跌幅将进一步收缩至05同时LPDDR5产品价格有望上涨05DXI指数DRAM周度价格美元45000DDR4-4Gb-512Mx8-3200MHzDDR4-4Gb-512Mx8-21332400MHz白牌DDR5-32GBRDIMM合约4000035000DDR4-8Gb-1Gx8-3200MHzDDR4-8Gb-1Gx8白牌DDR5-16GBDIMM合约3000025000DDR3-4Gb-512Mx8-13331600MHzDDR3-4Gb-512Mx8白牌DDR5-8GBDIMM合约200001500061501000041005000025000资料来源Wind中信证券研究部资料来源Bloomberg中信证券研究部DRAM月度价格美元DRAM价格变动幅度及所处周期位置相当于上轮周期底DDR4-8Gb-1Gx8-3200MHzDDR4-8Gb-1Gx8白牌8月价格变动幅度目前价格美元Gb所处周期位置部价格DDR4-4Gb-512Mx8-3200MHzDDR4-4Gb-512Mx8-21332400MHz白牌DDR5-32GBRDIMM合约000785DDR3-4Gb-512Mx8-13331600MHzDDR3-4Gb-512Mx8白牌DDR5-16GBDIMM合约0002975DDR5-8GBDIMM合约000166DDR4-4Gb-512Mx8-5-103096周期底部-388043200MHz3DDR4-8Gb-1Gx8-3200MHz-14114周期底部-513621DDR4-8Gb-1Gx8白牌645099周期底部-61540DDR4-4Gb-512Mx8--612046周期底部-629021332400MHz白牌DDR3-4Gb-512Mx8--206095周期底部-324913331600MHz4资料来源Bloomberg中信证券研究部DDR3资料来源-4Gb-512Mx8Bloomberg白牌中信证券研究部-455注价格更新日期为2023021年9月15日周期底部-8323NANDFlash价格Wafer8月512GB价格持续回升环比0007098月价格持续回升环比000709512GB大容量连续两月环比上涨128256GB价格保持稳定本轮高点21年8月至23年6月累计跌幅为4769尽管2023年整体需求预计低迷如ClientSSD与EnterpriseSSD在下游出货量下滑预期下采购量下降导致终端出货持续下修但在原厂持续减产及库存去化之下叠加传统旺季备货需求我们预计23H2终端出货量会优于23H1采购量有机会逐季增加根据CFM闪存市场自7月初至9月14日512GbWafer价格从141美元上涨至168美元涨幅达20展望23H2TrendForce预计23Q3NANDFlashWafer整体均价环比涨幅05Q4涨幅将进一步扩大至813NAND现货价格表格美元NAND周度价格美元项目日高点日低点盘高点盘低点盘平均盘涨跌幅TLC闪存128GbTLC闪存256GbTLC闪存512GbSLC2Gb130053130053077405256MBx84SLC1Gb31650501650500799-038128MBx821MLC64Gb0425340425340386708GBx8MLC32Gb300190300190206304GBx8资料来源中信证券研究部资料来源TrendForce中信证券研究部注价格更新日为2023年9月15日BloombergNAND月度价格美元NAND现货价格变动幅度及所处周期位置目前价格相当于上轮周期TLC闪存128GbTLC闪存256Gb8月价格变动幅度所处周期位置美元GB底部价格TLC闪存512GbMLC闪存256GB合约MLC闪存128Gb16384Mx8合约MLC闪存64Gb8192Mx8合约TLC闪存128GB000111周期底部-2520864TLC闪存256GB000098周期底部-454920TLC闪存512GB709151周期底部-58121202122021320214202152021620217202182021920211202222022320224202252022620227202282022920221202322023320234202352023620237202382023102021112021122021102022112022122022资料来源Bloomberg中信证券研究部资料来源Bloomberg中信证券研究部注价格更新日期为2023年9月15日5存储模组价格2月开始价格下跌幅度收窄8月SSD价格出现上涨今年2月开始价格下跌幅度收窄8月SSD价格出现上涨DDR4价格基本持平9月1-2周小幅上涨本轮高点22年3月至23年8月累计跌幅为44766063据CFM闪存市场截至9月12日近半年DDR4SODIMM8GB3200由约165美元下降至不足14美元降幅约15OEMSSD512GBSATA由约25美元下降至19美元降幅约24我们认为模组厂商产品单价有望于23Q4持续回暖随下游需求复苏而获得销量弹性同时上游晶圆成本处于底部有利于模组环节盈利水平修复内存条价格美元渠道市场内存条价格美元行业市场DDR4UDIMM8GB3200DDR4UDIMM16GB3200DDR4UDIMM32GB3200DDR4SODIMM4GB3200DDR4SODIMM8GB3200DDR4SODIMM16GB32001006080504060304020201000118218318418518618718818918101811181218118218318418518618718818118218318418518618718818918101811181218118218318418518618718818资料来源CFM闪存市场中信证券研究部资料来源CFM闪存市场中信证券研究部SSD价格美元渠道市场SSD价格美元行业市场ChannelSSD240GBSATAChannelSSD256GBPCle30OEMSSD128GBPCle30OEMSSD128GBSATAChannelSSD512GBPCle40ChannelSSD1TBPCle40OEMSSD512GBSATAOEMSSD512GBPCle30ChannelSSD480GBSATAChannelSSD512GBPCle30606050504040303020201010001182183184185186187188189181018111812181182183184185186187188181182183184185186187188189181018111812181182183184185186187188186资料来源CFM闪存市场中信证券研究部资料来源CFM闪存市场中信证券研究部价格传导分析8Wafer月末9月初价格上涨已传导至模组现货端多数成品价格出现上涨NANDWafer涨价行情已由合约价传导至现货价8月末已自上而下由晶圆端传导至模组端NAND价格预测跌幅有望收缩Q4有望止跌回升NANDWafer现货价格受合约价格带动出现上涨5月起美韩系厂商大幅减产后部分23Q223Q3E23Q4E供应商开始调高wafer报价由于多数供应商已开始减产我们预计库存压力在Q3下降ConsumerdownConsumermostly三星等原厂报价态度强势Q3合约价已出现较大幅度反弹并刺激买方采购意愿加速eMMC813flat供需平衡根据TrendForce8月下旬NAND原厂进一步与部分国内模组厂议定新WaferUFSMobiledownMobiledown1520813订单并成功拉抬512GbWafer合约价涨幅约10其他原厂亦跟进将同级产品价格提升带动Wafer现货市场近期出现上涨EnterpriseSSDdown1318down1015晶圆端涨价已逐步传导至模组端8月末起晶圆端涨价已开始传导至模组端根据ClientSSDdown1520down510CFM闪存市场SSDEMMCUFS等模组产品中多数已出现不同幅度的上涨单周价3DNAND格涨幅约05TrendForce预计23Q3NANDFlash整体均价跌幅将收缩至510Wafersdown813up05Q4有望止跌回升预估涨幅为05TLDQLCTotalNANDdown1015down510up05展望后续我们预计23Q3NAND各环节涨价将延续至23Q4随DRAM持续减产以及下游Flash服务器市场复苏预计23Q4DRAM价格有望开始回升资料来源TrendForce含预测预测时间为202307202309中信证券研究部512GBNAND现货价和合约价的比较图中标记为各大原厂宣布减产时间DRAM价格预测跌幅有望大幅收缩23Q223Q3EDDR4down1520DDR4down38PCDDR5down1318DDR5down05BlendedASPdown1520BlendedASPdown05DDR4down1823DDR4down38ServerDDR5down1318DDR5down05BlendedASPdown1520BlendedASPdown05LPDDR4Xdown05Mobiledown1318LPDDR5XwithHKMGup05Graphicsdown1015down05Consumerdown1015down05Totaldown1318down05资料来源含预测预测时间为中信证券研究部7资料来源TrendForceTrendForce202307CONTENTS目录1主流存储价格和交期情况2中国台湾重点厂商最新月度数据3供给侧与需求侧近况更新4海外国内主要厂商CY23Q2业绩汇总5重点公司追踪6重点公司投资建议及风险因素8旺宏8月营收环比1923看好车载领域带动公司业绩成长公司8月营收同比-3023环比1923公司2023年8月营收2601亿新台币同比-3023环比19232023年1-8月累计营收19314亿新台币同比-3619营收环比连续两个月转正持续布局车载等高容量产品市场公司23Q2营收约7429亿新台币环比46公司4月营收3008亿新台币是近6个月最高点主要系Q2的急单效应5-6月营收环比下降主要系回到传统淡季模式终端市场需求不振客户持续调整库存目前库存修正已接近尾声且公司强调车载医疗及工控三大领域布局料将产生明显收益7-8月营收环比已略有上升产品线来看23Q2ROM占比39营收同比40NORFlash占比46营收同比-47NANDFlash占比9营收同比-57FBG晶圆代工业务占比6营收同比-59产能来看旺宏旗下有一座12英寸厂主要生产NORFlash及NANDFlash并将主要产能分配NORFlash考虑到全球经济成长趋缓并造成存储需求减弱公司在法说会上表示2023年减产措施将会根据市场情况进行调整闲置产线动能与资源将拨给技术研发使用以加快3DNOR及3DNAND开发速度公司96层3DNAND已进入量产开始接受客户订单192层3DNAND计划23年底到24年初进入量产3DNOR制程较为复杂公司预计2024年将有成果展现公司表示目前医疗车用等需求仍稳定NORFlash仍有机会成长并认为23年NORFlash价格将维稳公司亦将持续朝高密度应用领域布局月度营收单位新台币亿元月度营收变化率45营收YoY营收MoM40503540303025201020015-1010-20-305-400-50资料来源Wind旺宏光电公司官网中信证券研究部资料来源Wind旺宏光电公司官网中信证券研究部注旺宏2022年总营收43487亿元公司是全球最大的只读存储器生产制造公司并提供客户跨越广注旺宏2022年总营收43487亿元公司是全球最大的只读存储器生产制造公司并提供客户跨越广泛规格及密度的NOR型闪存产品2023年Q2ROM占比39NORFlash占比46NANDFlash占比泛规格及密度的NOR型闪存产品2023年Q2ROM占比39NORFlash占比46NANDFlash占比999华邦电8月营收环比174预计23H2经营情况优于23H1公司8月营收同比-1321环比174公司2023年8月营收6424亿新台币同比-1321环比1742023年1-8月累计营收49066亿新台币同比-2780营收环比转正预计23H2经营情况优于23H1公司23Q2营收18811亿新台币环比739公司在法说会上表示市场需求面已普遍回温最坏的时间已过公司营收有望逐季成长23H2会优于23H1产品线来看23Q2公司DRAM产品营收占比33Flash产品占比67从应用面来看23Q2公司车用工业用消费电子电脑通讯电子营收占比分别为27202429营收同比10-240-17产能来看公司旗下共有台中厂和高雄厂两座12英寸晶圆厂22Q4合计产能分别为6万片1万片高雄厂第1期1万片产能已于23年1月到位以25nm制程生产全面投产2Gb和4GbDDR3第2期1万片产能建置时程公司预计延后半年公司预计23年下半年导入设备24年量产根据公司23Q2法说会随着客户需求回温台中厂减产幅度也由22Q4的3-4成降至23Q3的不到2成Q3-Q4营收有望持续温和成长公司预计20nmDRAM与45nmNORFlash新制程技术即将推出并贡献营收且会在2024年初将高雄厂产能提升至14万片参考公司官方微信公众号公司持续推进内存设备的外部接口技术截至2023年8月底其HYPERRAM产品出货量已超过4亿颗适用容量已扩展至256Mb和512Mb车规产品SDRAMDDR-DDR3LPDDR44X均已实现量产并向更高密度推进展望未来公司计划持续向客户稳定供货DDR3LPDDR44X等产品同时均衡供给多种应用需求并着重于汽车电子5G基站与工业用电子的发展月度营收单位新台币亿元月度营收变化率100营收YoY营收MoM904080307020601050040-1030-2020-3010-400-50资料来源Wind华邦电子公司官网中信证券研究部资料来源Wind华邦电子公司官网中信证券研究部注华邦电2022年总营收9453亿新台币公司业务主要内容包含积体电路及其相关产品的研发设注华邦电2022年总营收9453亿新台币公司业务主要内容包含积体电路及其相关产品的研发设计生产销售售后2022年公司DRAM产品营收占比43Flash产品占比57计生产销售售后2022年公司DRAM产品营收占比43Flash产品占比5710南亚科8月营收环比565重回环比正增长公司8月营收同比-2469环比565公司2023年8月营收2575亿新台币同比-2469环比5652023年1-8月累计营收18463亿新台币同比-5968营收环比转正专注消费型及低功耗DRAM看好5GAI云端及网通等应用公司23Q2营收7027亿新台币环比937主要因为出货量较Q1增加10经过逐季持续走弱23Q2负面因素逐步趋缓加上供应商资本支出调整虽然市场状况未全面回暖但PC季节旺季效应下公司预计23H2业绩优于23H1产品线来看公司2022年DRAM产品营收比例接近1002021年消费型DRAM占营收的60-70标准型DRAM占10-15行动型占10-15产能来看公司22年6月于台湾新北市投建12英寸新晶圆厂新厂投资3000亿元新台币完成后月产能可达45万片晶圆公司预计2025年开始装机投片量产根据公司公告目前一代10纳米级制程1A产品已开始送样第二代10纳米级制程1B产品已完成试产计划2023年度第二代10纳米级制程1C测试产品完成制程测试2024年起逐步于现有厂房导入1B量产及1C试产车载领域公司DDR2-DDR4已量产DDR5研发中LPDDR44X部分产品已量产展望未来公司23年计划持续缩减资本支出规划以约185亿新台币为目标其中生产设备资本支出不超过5成并持续推进新制程的研发长期来看5GAI云端及网通等应用仍有望带动公司业绩增速扭负为正月度营收单位新台币亿元月度营收变化率80营收YoY营收MoM70606040502040030-2020-4010-600-80资料来源Wind南亚科公司官网中信证券研究部资料来源Wind南亚科公司官网中信证券研究部注南亚科2022年总营收56952亿新台币公司致力于DRAM的研发设计制造与销售2022年注南亚科2022年总营收56952亿新台币公司致力于DRAM的研发设计制造与销售2022公司DRAM产品营收比例接近100年公司DRAM产品营收比例接近10011力积电8月营收环比120保守看待Q3复苏节奏公司8月营收同比-4603环比120公司2023年8月营收3471亿新台币同比-4603环比1202023年1-8月累计营收29360亿新台币同比-4730营收环比略有上升保守看待Q3复苏节奏公司23Q2营收11009亿新台币环比-38523H1累计营收22559亿元同比-472公司主营业务包括DRAMFlash和晶圆代工23Q2DRAM营收占比31分离式元器件17电源管理芯片9高压逻辑驱动芯片23嵌入式逻辑产品14Flash产品5CMOS影像传感器1公司Q2产能利用率约为6062其中8英寸优于12英寸管理层认为由于全球进入后通胀时代欧美市场消费心理保守中国大陆经济短期疲软市场氛围较难好转对Q3保守看待存储业务方面公司表示三大原厂存储芯片减产效益明显ASP已回稳市场最坏情况已经过去客户提高了对公司的利基型存储芯片的采购意愿长期发展方面公司积极布局海外产能2022年12月于美国亚利桑那州晶圆厂开始兴建第二期工程两期工程总投资约400亿美元公司预计完工后将合计年产超过60万片晶圆终端产品市场价值预估超过400亿美元同时Fab188期工厂已实现3nm量产公司预计5年创造15万亿美元产值月度营收单位新台币亿元月度营收变化率8000营收MoM营收YoY700010060008050006040004020300002000-201000-40000-60资料来源Wind力积电公司官网中信证券研究部资料来源Wind力积电公司官网中信证券研究部注力积电2022年总营收76087亿新台币公司主营业务包括DRAMFlash和晶圆代工23Q2注力积电2022年总营收76087亿新台币公司主营业务包括DRAMFlash和晶圆代工23Q2DRAM营收占比31分离式元器件17电源管理芯片9高压逻辑驱动芯片23嵌入式逻辑DRAM营收占比31分离式元器件17电源管理芯片9高压逻辑驱动芯片23嵌入式逻辑产品14Flash产品5产品14Flash产品512CONTENTS目录1主流存储价格和交期情况2中国台湾重点厂商最新月度数据3供给侧与需求侧近况更新4海外国内主要厂商CY23Q2业绩汇总5重点公司追踪6重点公司投资建议及风险因素13需求端看好23H2下游库存持续改善需求逐步复苏下游厂商降成本去库存趋势持续看好需求逐步复苏2022年需求疲软下行业库存持续攀升23H1行业库存持续去化具体来看IoT品类中海外市场及低阶产品需求更好Q2供应链去库存接近尾声下游客户逐步恢复拉货手机品类中高端产品需求稳定低阶产品需求更具韧性性价比凸显供应链中部分细分品类库存去化进展顺利已进入补库存阶段PC23Q2库存持续去化23H2需求有望进一步回暖传统服务器行业仍处于库存去化阶段我们认为目前终端厂商整体已处于去库存的后期全年出货有望呈现前低后高看好23H2至24年下游需求回暖趋势1服务器端我们预计23Q3需求将有望实现环比增长看好23H2DDR5在服务器端需求提升同时AI服务器DRAM和NAND的容量需求content是传统的68x和3x2PC端我们预计23年PC出货同比下滑低两位数low-doubledigit3手机及智能终端我们预计23年智能手机出货同比下降中个位数mid-singledigit年内前低后高库存逐季改善4汽车端稳健增长预计23Q3工业市场出现复苏初步迹象行业库存及需求有望在23H2持续改善Yole预计2023年全球存储市场规模下滑41DRAMNAND位元需求量个位数增长根据Yole预计2023年全球存储市场规模为850亿美元同比-41其中DRAM与NAND市场规模分别同比-47-37达420370亿美元预计2024年随供需关系改善产品价格持续复苏市场规模有望增长至1330亿美元同比55需求量来看美光预计2023年DRAMNAND位元需求Bit分别增长中低个位数low-to-midsingledigit和高个位数high-singledigitTrendForce预计由于2023年基期较低叠加部分存储器产品价格已来到相对低点TrendForce预计2024年DRAMNAND位元需求将同比13162020-2024年DRAMNAND供给和需求位成长率预估DRAMNAND市场规模季节变化单位GBinMU2020202120222023E2024EDRAMFlashSupplyBitGrowth142018201870-2101110300DRAMDemandBitGrowth1570208011906401300200100SupplyBitGrowth314039402980230360NAND0FlashDemandBitGrowth294039701920110016001Q202Q203Q204Q201Q212Q213Q214Q211Q222Q223Q224Q221Q23资料来源TrendForce含预测中信证券研究部资料来源CFM闪存市场中信证券研究部DRAM供给量和供需比单位GBinMUNAND供给量和供需比单位GBinMU供给量供需比供给量供需比10000825000088000620000066000150000444000100000220002500000000-21Q222Q223Q224Q221Q232Q23E3Q23E4Q23E1Q222Q223Q224Q221Q232Q23E3Q23E4Q23E14资料来源IDC含预测中信证券研究部资料来源IDC含预测中信证券研究部近期存储行业供给端变化生产端TrendForce三星电子9月起扩大减产幅度至509月11日根据TrendForce三星电子为应对需求持续减弱宣布9月起扩大减产幅度至50减产仍集中在128层以下制程为主且预计其他供应商也将跟进扩大第四季减产幅度加速库存去化速度我们认为原厂积极减产有望加速行业供需平衡速度加速价格回升韩媒称三星正将平泽128层NAND闪存产线转为236层具体规模尚未确认8月29日据韩媒Etnews引述业内人士透露三星电子正在推动平泽P1工厂NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺这是三星电子减少库存较多的128层NAND闪存的产量专注于尖端产品的策略三星目标是在今年年底前实现NAND供需正常化库存水平调整至6-8周虽然具体规模尚未确认但据悉三星电子将改变平泽的许多P1NAND生产线P1工厂是三星电子的核心生产基地其产能为每月10万片DRAM和19万片NAND基于12英寸300毫米晶圆我们认为由于半导体工艺转换需要相当长的时间设备更换期间的减产效果显著意味着可以快速减少128层NAND的库存有望加速行业供需平衡速度美光计划1制程在2025年上半年在中国台湾厂区量产美光中国台湾厂区董事长卢东晖在接受台湾中央通讯社专访时表示美光有多达65的DRAM产品在中国台湾生产其中新一代的1制程是美光第一代采用极紫外光EUV的制程技术将在2025年上半年先在台中厂量产日本厂未来也会导入EUV设备相较上一代的1制程美光最新的1制程功耗降低约15位元密度提升超过35每颗晶粒容量可达16Gb卢东晖看好1制程与DDR5组合的产品性能我们认为美光积极推动制程升级进展顺利有望在行业技术迭代中占据领先身位产品端三星电子或将从23Q4开始向NVIDIA供应HBM39月2日花旗集团分析师指出三星电子已通过了NVIDIA最终HBM3质量测试并将从23Q4起对其供应HBM3最早会从10月开始供应由于生成式AI市场的增长速度快于预期英伟达最初将订单集中在SK海力士三星电子也有望因需求增长而成为供应商花旗集团预计到2024年三星或将为NVIDIA供应高达30的HBM3芯片我们认为三星电子HBM3导入NVIDIA有望提升其HBM全球市占率三星电子发布12纳米级32GbDDR5DRAM产品预计2023年底量产9月1日三星电子宣布采用12纳米nm级工艺技术开发出其容量最大的32GbDDR5DRAM这是继2023年5月三星电子开始量产12纳米级16GbDDR5DRAM之后取得的又一里程碑32GbDDR5内存颗粒提高了集成密度并优化了封装设计与DDR516Gb颗粒相比在相同封装尺寸情况下单片DRAM内存颗粒容量翻倍三星电子计划新产品于今年年底开始量产我们认为三星电子积极推出大容量DRAM新品将有助于巩固品牌在DRAM技术领域的领先地位三星电子展示下一代AI内存与现有HBM相比性能提高一倍以上8月29日三星电子在HotChips2023上公布了高带宽存储器HBM-内存处理PIM和低功耗双倍数据速率LPDDR-PIM研究成果这两款存储器是未来可用于人工智能AI行业的下一代存储器三星电子展示了一项研究成果将HBM-PIM应用于生成式AI与现有HBM相比加速器性能和功效提高了一倍以上我们认为三星未来有望进一步巩固其在AI内存市场的领先地位15HBM原厂积极扩产预估2024年HBM供给位元量同比105客户持续加单HBM原厂积极扩产TrendForce预计2024年HBM供给位元量同比105存储器原厂面对英伟达以及其他云端服务商自研芯片的加单试图通过加大TSV产线来扩增HBM产能TrendForce统计发现目前高端AI服务器GPU搭载HBM已成主流且预计2023年全球HBM需求容量将达29亿GB同比增长近60从目前各原厂规划来看TrendForce预计2024年HBM供给位元量将同比105考虑到TSV扩产加上机台交期与测试所需的时间合计可能长达912个月因此多数HBM产能24Q2才有望陆续释放产品趋势主流需求将从HBM2e转向HBM324年HBM3价格有望持平HBM2eHMB2等旧产品价格将下跌TrendForce表示随着使用HBM3的加速芯片陆续放量2024年市场需求将大幅转向HBM32024年占比将超过HBM2e达60且其更高的ASP将带动明年HBM营收显著成长价格方面TrendForce预计2024年基于整体HBM供应情形将大幅改善且各原厂积极扩大市占率HBM2与HBM2e价格将下跌且预计主流产品HBM3价格将与2023年持平由于HBM3平均销售单价远高于HBM2e与HBM2有望进一步带动2024年整体HBM营收至89亿美元同比127竞争格局SK海力士领先三星电子市占率快速上升目前SK海力士HBM3产品领先其他原厂是NVIDIAServerGPU的主要供应商三星电子则着重满足其他云端服务商的订单在客户加单下TrendForce预计今年三星与SK海力士的市占率差距会大幅缩小TrendForce预计2023-2024年两家厂商HBM市占率预估相当合计拥有HBM市场约95的市占率不过因客户组成略有不同在不同季度的出货表现将存在区别美光今年专注开发HBM3e产品相较两家韩厂大幅扩产的规划美光预计23-24年其市占率会略有下滑2022-2023E全球HBM需求容量及预测2022-2024EHBM2e与HBM3比重转进预估2022-2024EHBM市占率预估亿GB35HBM3HBM2eOthersSK海力士三星美光3010010054111510902290258080702570404750482050606015505040704010306030504750482039200510108000020222023E2024E20222023E2024E20222023E资料来源TrendForce含预测中信证券研究部资料来源TrendForce含预测中信证券研究部资料来源TrendForce含预测中信证券研究部16CONTENTS目录1主流存储价格和交期情况2中国台湾重点厂商最新月度数据3供给侧与需求侧近况更新4海外国内主要厂商CY23Q2业绩汇总5重点公司追踪6重点公司投资建议及风险因素17海外从海外大厂业绩看存储行业复苏海外存储大厂均已发布CY23Q2业绩复盘海外原厂基本面复苏节奏股价表现和估值弹性我们认为本轮下行周期已近尾声行业复苏可期原厂营收表现随行业供需关系存在一定的周期性从历史数据来看每个周期持续约3-5年左右美光自FY22Q3营收见顶连续3个季度营收大幅下滑累计跌幅接近60直至FY23Q3环比实现微增下行周期已持续一年回顾CY23Q2三星电子存储业务美光SK海力士西部数据Flash业务23Q2营收均实现环比增长对CY23Q2营收展望积极存储板块营收低谷已过综合各厂商给出的CY23H2指引我们认为随海外大厂稼动控制存储供需改善行业库存持续去化主流存储价格下半年有望持续回暖据CFM中国闪存市场存储现货市场中NAND晶圆端涨价正陆续传导至SSDeMMCUFS卡和U盘等成品端部分DRAM现货价格亦出现小幅上扬站在当下时点我们认为本轮存储行业下行周期已至尾声看好23H2供给推动涨价及未来需求回暖带动景气各存储原厂分季度业绩和预测收入利润率库存FY23Q3毛利率-16154QoQFY23Q3营收375亿美元YoY-57QoQ2公司FYQ3减记库存约4亿美元Q2则减计高达美光FY23Q4预期毛利率为-105上下浮动FY23Q4预计QoQ-19143亿美元25pctsFY23Q2营收6001万亿韩元-22YoY-6QoQ其中DS板块下存23Q2存货3050亿元人民币同比655环三星电子储业务实现营收-57YoY1QoQ至897万亿韩元占DS板块营收毛利率为30628pctsQoQ比19961FY23Q2库存环比减少44至1642万亿韩元SK海力士FY23Q2营收731万亿韩元-47YoY44QoQ毛利率为-1616pctsQoQ同时存货估值损失因DRAM价格上涨而减少FY23Q4营收-41YoY-5QoQ至2672亿美元Flash实现营收1377FY23Q4Non-GAAP毛利率为39-67pcts亿美元-43YoY5QoQ营收占比52QoQ西部数据FY24Q1展望公司预计Flash和HDD营收将保持稳定Q1预估实现营收公司FYQ4库存环比下降3亿美元FY24Q1展望Non-GAAP毛利率2545-255275亿美元-53QoQ公司预计HDD和闪存收入将在FY24的1406pctQoQ剩余时间内改善资料来源BloombergWind各公司官网含预测中信证券研究部注注此处财年FY对应业绩为日历年二季度CYQ2业绩预测业绩为日历年三季度CYQ3业绩18海外主要海外原厂对供需及价格展望各存储原厂对供需及价格展望下游景气度对需求的看法资本开支产能计划价格展望数据中心FYQ3云端和企业端收入连续强劲增长生成式AI带动AI服务器存储需求超预期PC公司预期CY23出货同比下滑低两位数low-doubledigit公司看好23H2至24年下游需求回暖趋势预计23公司预计FY2023资本开支为70亿美元相FY23Q3DRAM和NAND位元价格智能手机公司预期CY23出货同比下降中个位数mid-single年DRAMNAND需求按Bit分别增长中低个位比上年削减超40WFEFab设备下分别环比下滑10和15左右预计美光digit数low-to-midsingledigit和高个位数high-降超50此外公司计划对DRAM和FY23Q4价格进一步环比下跌但整汽车FYQ3季度收入创记录同比增长高个位数high-singledigitNAND进一步减产30并持续到2024年体而言价格趋势正在改善singledigit下半年需求可期工业FYQ3市场出现复苏初步迹象行业库存及需求有望在CY23H2改善移动端和PC由于23H2新款智能手机的推出和PC的促销活动预计内存市场在下半年将逐步恢复有望带动存储需求将逐季改善考虑到行业减产范围扩大料需求将在下半年逐三星平泽与西安厂扩大减产幅度未给出三星但市场反弹的速度可能会取决于宏观服务器库存料将在23H2逐渐消化完毕公司认为DDR4和步恢复而客户的库存调整则可能逐步收尾明确数据变量DDR5的需求都将逐步改善PC渠道库存量下降产品出货量将环比增长公司预计23H2商用和游戏产品将带动内存需求增长移动端需求复苏仍相对乏力公司预计23H2受益新产品推公司预计FY23Q3DRAM需求按Bit环比增长出和低内存价格需求有望改善旗舰产品对高密度高性能的low-to-midteenNAND需求预计环比持平公司预计23H2库存加速减少价格LPDDR5需求增加公司看好23H2至24年下游需求回暖趋势预计23公司FY2023资本开支将同比削减超50SK海力士会相对稳定继续计提库存减值损失服务器CY23整体由于云服务商削减IT开支调整库存导致年DRAMNAND需求按Bit分别增长中低个位并决定对NAND进一步减产5-10的可能性很小端需求疲软但FY23Q2起AI市场增长带动高端服务器产品数low-to-midsingledigit和高个位数high-需求高规格DDR5HBM需求持续增加公司预计中长期AI市singledigit场规模CAGR达30左右带动服务器需求CAGR达高个位数highsingle硬盘驱动器HDD公司预计在FY24Q1市场公司23财年的资本支出同比减少大约30公司认为Flash的两大最主要的终端客户Client和消费者Consumer业务营收已经恢复增长需整体需求将保持稳定此后市场需求将进一步改到35在总体资本支出层面上与公司市场客户端和消费者端市场正在复苏西部数据求正在恢复库存逐渐正常化价格跌幅放缓云业务受下游善财年初的计划相比减少近10亿美元增长单位容量逐渐提高价格下降需求影响持续承压闪存Flash对市场环境改善持乐观态度对于2024财年公司预计将大幅降低速度趋缓资料来源各公司官网2023年中报业绩交流会含预测中信证券研究部19