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>> 国泰君安-硅光技术产业深度研究:芯片出光,硅光技术开启高速与高集成度传输时代-230828
上传日期:   2023/8/28 大小:   4750KB
格式:   pdf  共51页 来源:   国泰君安
评级:   优于大势 作者:   朱峰,鲍雁辛
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硅光技术利用半导体工艺、集合光子与电子技术的优点,开启光通信更高速率、更高集成度时代
  硅光技术核心理念是“芯片出光”:借助成熟半导体CMOS工艺将光和电器件的开发与集成到同一个硅基衬底上,使光与电的处理深度融合。硅光技术将光通信的传输速率、集成度向更高水平推进,是满足不断发展的大数据、人工智能、未来移动通信等产业对高速通信需求的核心技术选择之一。相较于传统分立元器件,采用硅光技术的集成元器件更具高速率、高集成化、低功耗、低成本等优势,满足技术快速变革对高速数据传输的需求,是光通信产业最有潜力新风口之一。
  数据中心及电信网络建设和升级是硅光需求“基本盘”,AIGC产业加速发展催生硅光芯片增量新需求
  大数据、云服务背景下的数据中心、超算中心建设热潮,电信网络基础设施建设促进全球数据中心流量以每年32%的速度飞速增长。同时AIGC引发爆发式的算力需求每3.5个月将翻一倍,大量数据需要被存储、传输和处理催生海量的服务器需求,加速服务器集群建设。两条主线共同引发400G/800G的高速率光芯片/光模块需求,而国内数据中心目前以50G、100G、200G光模块技术为主,未来高速模块更新需求紧迫、替换空间巨大。面对行业所面临日益严峻的带宽与功耗痛点,具有高带宽、小尺寸、低能耗和低成本等优势的硅光方案是高速率光通信方向上可靠且最具性价比的发展方向,未来全球数通市场与AIGC市场高速增长是构成硅光产业巨大快速发展的两大支撑力。
  国产替代存在时代机遇,新兴光互联市场有望成为硅光芯片又一增长极
  目前全球硅光领域国外大厂占主导地位,高速芯片领域存在巨大国产化空间。当前我国25G及以上光模块国产化率较低,未来需求更大、用于200/400G高速光模块的50G及以上光芯片国产化率不超过5%。中美科技竞争与我国科技自主可控政策加快前沿技术进口替代进程,给我国硅光芯片企业带来增长机遇。同时在数通市场之外,硅光光传感应用领域的不断拓展,硅光在消费电子领域用于医学检测的可穿戴设备、智能驾驶领域的车载激光雷达、量子通信等具有广阔应用空间,为硅光芯片带来更多的市场需求。但中国硅光产业要完成国产替代仍需解决国内在硅光特殊工艺制造环节上暂时落后所带来硅光芯片在量产、封装以及良率、成本、工艺标准化等层面的限制因素。
  全球硅光产业国外厂商占主导,国内起步较晚但潜力巨大
  由于仍属前沿技术,当前全球范围内专注且有出货硅光产品的企业不多,包括Mellanox、思科、Luxtera、意法半导体、Acacia与Molex等,绝大多数为在光通信和硅光领域有较长时间积累的海外巨头。在国内,越来越多的信息技术产业龙头公司正关注并布局硅光技术,其中华为十分积极活跃。同时近年不少中国硅光早期项目公司如熹联光芯、赛丽科技、芯速联光电等亦在快速崛起,以实现高速领域国产化硅光产品研发突破,并多能提供全系的高速光互联解决方案,中国硅光产业实力增长潜力巨大。
  风险提示
  (1)硅光市场整体发展不及预期风险;(2)硅光技术发展不及预期风险;(3)市场竞争加剧的风险。
研究报告全文:硅光技术利用半导体工艺集合光子与电子技术的优点开启光通信更高速率更高集成度时代硅光技术核心理念是芯片出光借助成熟半导体CMOS工艺将光和电器件的开发与集成到同一个硅基衬底上使光与电的处理深度融合硅光技术将光通信的传输速率01集成度向更高水平推进是满足不断发展的大数据人工智能未来移动通信等产业对高速通信需求的核心技术选择之一相较于传统分立元器件采用硅光技术的集成元器件更具高速率高集成化低功耗低成本等优势满足技术快速变革对高速数据传输的需求是光通信产业最有潜力新风口之一数据中心及电信网络建设和升级是硅光需求基本盘AIGC产业加速发展催生硅光芯片增量新需求大数据云服务背景下的数据中心超算中心建设热潮电信网络基础设施建设促进全球数据中心流量以每年32的速度飞速增长同时AIGC引发爆发式的算力需求每35个月将翻一倍大量数据需要被存储传输和处理催生海量的服务器需求加速服务器集群建设两条主线共同引发400G800G的高速率光芯片光模块需求而国内数据02中心目前以50G100G200G光模块技术为主未来高速模块更新需求紧迫替换空间巨大面对行业所面临日益严峻的带宽与功耗痛点具有高带宽小尺寸低能耗和低成本等优势的硅光方案是高速率光通信方向上可靠且最具性价比的发展方向未来全球数通市场与AIGC市场高速增长是构成硅光产业巨大快速发展的两大支撑力国产替代存在时代机遇新兴光互联市场有望成为硅光芯片又一增长极目前全球硅光领域国外大厂占主导地位高速芯片领域存在巨大国产化空间当前我国25G及以上光模块国产化率较低未来需求更大用于200400G高速光模块的50G及以03上光芯片国产化率不超过5中美科技竞争与我国科技自主可控政策加快前沿技术进口替代进程给我国硅光芯片企业带来增长机遇同时在数通市场之外硅光光传感应用领域的不断拓展硅光在消费电子领域用于医学检测的可穿戴设备智能驾驶领域的车载激光雷达量子通信等具有广阔应用空间为硅光芯片带来更多的市场需求但中国硅光产业要完成国产替代仍需解决国内在硅光特殊工艺制造环节上暂时落后所带来硅光芯片在量产封装以及良率成本工艺标准化等层面的限制因素全球硅光产业国外厂商占主导国内起步较晚但潜力巨大由于仍属前沿技术当前全球范围内专注且有出货硅光产品的企业不多包括Mellanox思科Luxtera意法半导体Acacia与Molex等绝大多数为在光通信和硅光领域04有较长时间积累的海外巨头在国内越来越多的信息技术产业龙头公司正关注并布局硅光技术其中华为十分积极活跃同时近年不少中国硅光早期项目公司如熹联光芯赛丽科技芯速联光电等亦在快速崛起以实现高速领域国产化硅光产品研发突破并多能提供全系的高速光互联解决方案中国硅光产业实力增长潜力巨大风险提示051硅光市场整体发展不及预期风险2硅光技术发展不及预期风险3市场竞争加剧的风险2目录CONTENTS01高速率高集成化低功耗低成本硅光是光通信产业最有潜力新风口之一02数据中心与AI带动需求爆发开启硅光产业黄金发展期03国产替代时代机遇与硅光外延应用拓展将成为产业长期增长助力04全球硅光产业国外厂商占主导国内起步较晚但潜力巨大05风险提示301高速率高集成化低功耗低成本硅光是光通信产业最有潜力新风口之一11光通信是整个通信网络的支柱和底座光芯片是光通信系统的核心12硅光集合光子与电子技术的优点具高速率高集成化低成本等优势13硅光器件依然处于发展的初级阶段单片集成与CPO是未来趋势4015数据来源国泰君安证券研究11光通信是整个通信网络的支柱和底座相较以太网无线网络光通信具有通信容量大传输距离远信号串扰小抗电磁干扰等优点是当前全球最主流的信息传输方式之一光通信器件产业链主要分为上游光芯片组件中游光器件模组以及下游光通信设备电信数通设备等应用以太网通过铜线传输数据的一种方式具有速度快可靠性高等优点主要用于局域网内的数据传输无线网络通过无线电波传输数据的一种方式具有灵活性和可移动性主要用于移动设备和远程传输的数据传输光通信通过光纤传输数据的一种方式具有高带宽低延迟抗干扰等优点主要用于中长距离高速传输的数据传输技术光通信以太网无线网络传输介质光纤铜线无线电波带宽高中低延迟低中高抗干扰能力强中弱适用场景长距离高速传输局域网内移动设备和远程传输可靠性高高中灵活性低高高光通信传输距离长经济节能能一次性传输海量信息通信速度快6数据来源国泰君安证券研究11光模块OpticalModules是实现光信号传输过程中光电转换和电光转换功能的光电子器件是光通信中的重要组成部分光模块的产业发展趋势正向着高速率低成本低功耗发展目前光模块应用速率正从10G40G向100G400G升级400G800G技术的研发与商业化应用进程加快并进一步向更高速的16T速率发展数据中心的迅速发展拉动全球光模块需求光模块是数据中心内部数据传输和数据中心间互联的核心部件随着全球范围内数据中心持续建设其需求不断被拉升根据Lightcounting预计全球光模块市场规模在2020年达到81亿美元市场规模并将在2026年进一步增长至176亿美元较2020年1173202410007数据来源SynergyResearchGroup数据来源Lightcounting国泰君安证券研究11光芯片是光模块等光电子器件的主要组成部分是现代光通信系统的核心电光转换由光芯片实现决定了信息传输速度和可靠性现代光通信系统是以光信号为信息载体以光纤作为传输介质同时由于一般电子设备仅能识别电信号需要光芯片进行电光转换将传输信息系统中的光信号转化为电信号光芯片按功能可以分为激光器芯片和探测器芯片首先发射端通过激光器内的光芯片进行电光转换将电信号转换为光信号经过光纤传输至接收端接收端通过探测器内的光芯片进行光电转换将光信号转换为一般设备能够识别的电信号其中核心的光电转换功能由激光器和探测器内的光芯片来实现光芯片直接决定了信息的传输速度和可靠性当前由于更高速率的光模块往往由多个中低速率光芯片组合实现随着光模块速率的提升光芯片在光模块的成本占比亦在不断提升202629978数据来源中国光芯片市场运营现状调研与发展战略研究报告2023-2030年观研报告网国泰君安证券研究数据来源5G承载光模块白皮书飞畅科技12一成熟的半导体产业在超大规模高度集成化极小制造上已有成熟工艺积累全球半导体制造产业经历超50年数千亿美元的建设已累积成熟的集成制造工艺将成熟发达的半导体集成电路工艺资源应用到集成光器件上来集成光学的工业水平会极大提高成熟的半导体产业已为硅光结合提供坚实基础二高速增长的新需求呼唤更高速更大带宽的光通信技术随着5G蜂窝5GF5G固网5G的持续发展4K8K超高清视频的普及现网中的数据流量正以每年3040的速度增长业务流量增长速度大于当前光通信带宽增长的速度同时新兴AIGC应用的高速发展自2012年以来每3-4个月人工智能的算力需求将翻一倍带动带宽需求不断增加光通信带宽也必须紧密跟进不断提升速率向高速的时代迈进9数据来源英特尔数据来源通信百科12芯片出光是硅光技术核心理念硅光技术利用成熟半导体CMOS工艺将光和电器件的开发与集成到同一个硅基衬底上使光与电的处理深度融合到一块芯片上真正实现光互连硅光技术将光通信的传输速率集成度向更高水平推进是满足不断发展的大数据人工智能未来移动通信等产业对高速通信需求的核心技术选择之一并可应用于生医感测量子运算激光雷达等新兴的外延应用领域硅光器件与产品主要可分为三个层次硅光器件硅光芯片硅光模块硅光器件包括光源调制器探测器波导等是实现各种功能的基本单元硅光芯片将光发送集成芯片光接收集成芯片光收发集成芯片相同功能器件阵列化集成芯片探测器阵列芯片调制器阵列芯片等等若干基本器件进行单片集成硅光模块进一步将光源硅光器件芯片外部驱动电路等集成到一个模块包括光发送模块光接收模块和光收发一体模块等是系统级的硅光产品形态10数据来源英特尔数据来源21世纪电源网12将微电子集成电路技术的超大规模超高精度特性和光子技术超高速率超低功耗的优势相结合硅光技术较传统分立器件方案具更多优势数据传输能力上光信号拥有电信号不可比拟的高速率传统铜电路已接近物理瓶颈继续提高带宽越来越困难云计算产业对芯片间数据交换能力提出更高要求单颗芯片性能越强互联的芯片数量越多较低的互联带宽就越容易成为性能提升的障碍25Gbs已接近传输速率的瓶颈而硅光技术能突破这一瓶颈大大提高带宽相对电传输采用高速光纤的光传输架构可以通过单一链路25Gbs的标准达到100Gbs的传输速度硅光芯片具高度集成化以半导体制造工艺将硅光材料和器件集成在同一硅基衬底上形成由调制器探测器无源波导器件等组成的集成光路相较InP等有源材料制作的传统分立器件硅光光模块无需ROSATOSA封装因而硅光器件器件体积与数量更小集成度更高集成电路产业对硅基CMOS生产技术和工艺有成熟积累硅光技术利用半导体在超大规模微小制造和集成化上的成熟工艺积累优势11数据来源LightCounting中商产业研究院国泰君安证券研究数据来源2017年硅光子行业分析报告12功耗更低相比传统的光学技术硅光结合了硅技术的低成本更高的集成度和互联密度以及更多的嵌入式功能功耗更低可靠性更高安全性高相较于铜电路的功耗大易发热以及电磁波易干扰易窃听的问题光信号在安全性上具有显著优势波导传输性能优异硅的波导传输特性优异其对应的光波长为11m在11-16m的通信波段是透明的同时硅与二氧化硅形成较大的折射率差使得硅波导具有较小的波导弯曲半径硅基材料与更紧密的集成方式降低了材料制造和封装成本第一相较于传统的分立式器件硅光模块的集成度更高封装与人工成本降低第二硅基材料成本较低且可以大尺寸制造相较传统三五族材料衬底而言硅基芯片成本得以大幅降低第三对光模块进行成本拆分光器件的成本占比超过70而其中TOSA光发射组件的成本占比较大普通光模块与硅光模块的发射器类型不同在100G短距CWDM4和100G中长距相干光模块中受限良率成本等问题硅光模块成本优势不明显但在400G及以上的高速率的场景中由于传统DML和EML发射器类型的成本较高硅光模块成本性价比优势开始显现TOSA12数据来源中国发展门户网ANewManufacturingApproachtoOpticalTransceivers飞速FS公司Juniper公司知乎通信产品推荐官国泰居安证券研究12在集成工艺上硅光技术是光通信传输向高速率高集成化低功耗低成本迈进最有潜力且可靠的方向之一1将大功率多波长激光器硅基高密度光发射模块硅基高速光接收模块等芯片模块混合集成在同一晶圆上提高集成光子组件密度可以有效提升数据传输密度和效率降低了功耗和成本光模块器件本身有损耗模块中各器件间有损耗硅光技术利用半导体工艺带来的高度集成化优势使各器件隔得更近将减少插入损耗光子集成产品在尺寸功耗成本可靠性方面比广泛采用的分立元器件更具优势是未来光器件的主流发展方向也是能实现超高密度10Tbscm2的唯一途径为低成本和低功耗的芯片到芯片通信铺平了道路并可能取代目前金属互联2硅光技术和传统InP方案薄膜铌化锂方案比较传统InP集成度低传输速率慢薄膜铌化锂技术尚待成熟成本高更适用于长距离传输硅光方案是高速率光通信方向可靠且最具性价比的发展方向目前光波复用解复用光波长调谐和变换等器件已可实现单芯片集成而光模块需要混合集成已量产的硅光方案基于硅衬底的混合集成是主要方式单片集成是未来技术发展方向13数据来源Soitec数据来源轻舟资本12CMOS在设计工艺流程上CMOS平台为硅光技术提供了强大的工艺能力但相较于半导体CMOS工艺硅光技术还有以下特殊性总体路径硅光的发展并非像半导体一样延续尺寸和节点减小的发展路径对硅光而言更小的工艺节点并非像集成电路等比缩小的重要性那样大版图特点硅光器件间的尺寸差别大存在许多不规则结构与其他半导体的版图区别较大工艺特殊性各硅光器件对尺寸和工艺误差非常敏感1nm的工艺误差或将对硅光器件性能带来明显的影响因而硅光工艺需要严格的尺寸精度控制除此之外硅光器件侧壁粗糙度也对波导损耗带来巨大影响对制备工艺有特殊优化的需要材料特殊性硅由于没有一阶线性电光效应材料发光较难硅不是最佳的调制器材料同时硅对11m以上波长透明无法作为通信波段光探测器材料以硅材料为基底引入多材料是硅光的必然选择硅光芯片在设计流程上仍存在难点如何做到与CMOS工艺的最大限度的兼容如何进行多层次光电联合仿真如何与集成电路设计一样基于可重复IP进行复杂芯片的快速设计等问题是硅光芯片从小规模设计走向大规模集成应用的关键CMOS14数据来源硅光子芯片工艺与设计的发展与挑战数据来源基于CMOS平台的硅光子关键器件与平台的硅光子关键器件与工艺研究13硅光器件的演进趋势可分为三个阶段分组硅化硅光集成光电一体技术融合硅光技术虽早在1969年便由著名的贝尔实验室提出但当前世界范围内硅光技术在光开关光波导硅基探测器Ge探测器光调制器SiGe调制器等已实现了突破情况下仍处于从硅光集成到全光电融合简化工艺流程提升效率的进化期分组硅光用硅基和半导体工艺将光通信底层器件做出来并实现工艺的标准化即硅基光电器件逐步取代分立元器件硅光集成当前技术阶段该阶段下集成技术从耦合集成向单片集成演进使不同器件组合集成为不同的芯片简化工艺流程提升效率光电一体技术融合演进中的技术阶段光与电的部分实现全面硅基集成化且能实现光电合封根据集成元器件激光器调制器探测器等是否采用同种材料光子集成可以分为混合集成和单片集成当前硅光器件处于从混合集成向单片集成发展的初级阶段在光通信系统中混合集成使用较多但单片集成也已经进入量产从分立器件组合到混合集成再到单片集成方案集成不同材料的难度低耦合损耗易封装小尺寸低功耗等性能依次提升优点能够实现无源光波导与有源器件之间较自由的结合灵活度高顺混合集成应光模块小型化趋势方便使用成熟自动化IC封装工艺有利于大量生产激光阵列探测器阵列调制器阵列耦合光学元器件采用不同衬前期工艺成本低器阵列波导光栅阵列缺点光电芯片之间的键合会引起寄生效应不同元器件间需要精密的位光底材料置调整与固定加之不同材料在光学机械和热特性等方面存在差异都子集将增加封装的复杂性和成本并限制集成规模成单片集成激光器调制器激光器电芯片探测器优点能够与硅光工艺同步缩小线宽提高集成度具有低损耗易封装光学元器件采用相同衬电芯片激光器调制器合波器电芯片可靠性强等优势底材料探测器分合波电芯片系统级集成芯片缺点集成难度大技术要求高15数据来源半导体行业观察中国信通院轻舟资本国泰君安证券研究13CPO在封装技术上CPO共封装技术使用高级封装技术把硅光模块和CMOS芯片集成到同一个封装内是让光学引擎和交换芯片的电连接距离尽可能地短的光互连技术CPO技术使光模块不断向交换芯片靠近以缩短两者走线距离使光模块的功耗尺寸和成本都进一步下降有望逐步替代可插拔光模块可插拔模式Pluggable为传统的封装模式光纤插在光模块上通过SerDes通道送到网络交换芯片AISC近封装光学NPONearpackagedoptics是将光引擎与交换芯片分开装配在同一块PCB基板上共封装光学CPOCo-packagedoptics是将交换芯片和光引擎共同装配在同一个插槽上形成芯片和模组的共封装CPO技术传统的光传输和数据传输进行结合使得传输效率提高可靠性增强CPO技术是基于传统的WDM技术和SDH技术发展而来它利用WDM技术将不同波长的光信号传输到同一条光纤上然后在光传输设备中使用SDH技术对光信号进行封装和解封装使光信号和数据能够混合传输CPOASICCPO16数据来源易飞扬通信数据来源AIOT大数据13CPOCPOCPO封装技术具有以下优势类型具体公司当前现状及未来规划通过减少光器件和电路板之间的连接长度CPO技Intel2020展示128T样机集成816T光引擎术能降低信号传输中的损耗和功耗提高通信速度提Rockley2020年OCF展示256T样机升传输质量与传统光模块相比CPO在相同数据传输2020年OCF发布和IBM合作的32T硅光平台Odin支持可插拔和CPO2021年和2022年RanovusOCF对Odin平台进行技术送代未来预计将异质集成量子点激光器改为独立封装芯片速率下可减少约50功耗根据AyarLabs以芯片模降低成本块公司32100Gbs为例现在所使用的交换机功耗436W而2021年发布基于DSP合封的CPO硅光平台的800GDR8光模块2022年OCF发布256TBroadcom样机2021年1月宣布2022年底退出256TCPO芯片2023年推出512TBailly2025年CPO交换机通过共封装大幅度缩短电连接功耗仅推出硅光平台芯片Janssen230WInphi2020年12月发布400GDR4硅光引擎2019年收购硅光公司Acacia传输网和Luxtera数据中心2021年收购硅光公CPO技术可以有效降低封装成本传统封装需要使用Cisco司Coreoptics和lightwave发布CPAK硅光模块多层板多个BGA等组件CPO技术仅需一个光电共封无自研模块与Google合作退出400G800GOSFP交换机未来方向是16TOSFP-XDArista装器件即可完成整个系统封装封装更倾向于可插拔模块设备商Juniper2016年收购Aurrion可实现片上激光器集成2019年发布100G400G硅光模块CPO技术使得整体系统集成度大大提升尺寸缩小设备商华为2012年收购光自己成公司CIP和硅光公司Caliopa性能提高减小芯片封装面积能提升硅光技术在数据美国子公司Ragile在2021年11月的OCP会议上发布256T冷板CPO样机2022年OFC发布512T液冷CPO样机Facebook2019年成立CPO连门个规划327光引擎实现中心应用场景的普及锐捷400GDR4和FR4规格规划2024年部署Gent512TMicrosoft2019年成立CPO联盟起草相关标准Google在200G电口512T时代倾向于可插拔模块终端腾讯通过传统产品堆叠也可以实现等效于512T交换能力倾向于可插拔模块用户阿里巴巴2019年发布硅光400GDR4模块倾向于可插拔模块17数据来源共封装光学CPO行业标准解读13HPCAICPO数据中心光模块是核心应用CPO的部署将受到数据中心交换速率的推动博通认为随着数据中心内数据速率不断向更高速度和更复杂的调制技术发展铜IO正接近极限而CPO有望实现CPUGPU各种器件的直接连接从而实现数据中心内资源池化和内存分解CPO还能减少光器件和电路板间的连接长度进而降低信号传输损耗和功耗提高数据传输速度和质量根据CIR的市场报告2023年超大型数据中心CPO设备收入将占CPO市场总收入的80高性能计算HPC和AI给CPO带来新机会AI集群所需的网络连接带宽将增加32倍连接容量增加100倍当前光模块速率已无法满足这一带宽提升需求目前可插拔光模块的设计将使整个系统的成本增加一倍并增加20-25的功耗内存访问也是AI集群和HPC的另一个瓶颈CPO被认为是可以在AI集群和HPC中提供巨大的高效的连接的唯一途径同时下一代计算平台XR对云计算通信的低延迟高数据速率亦有较高要求有望成为拉升CPO需求又一推动力在硅光的制造工艺外随着上述需求的爆发未来封装技术将为硅光提供核心技术支撑根据CIR当前CPO出货将主要于超算中心领域并预计工业级数据中心级场景将在2024至2025年加速商用2027至2028年开始大规模上量预计2025年全球CPO整体市场收入将突破2亿美元2028年突破9亿美元CPOCPO数据中心人工智能云计算CPO应用领域5G通信消费电子汽车电子量子通信18数据来源国泰君安证券研究数据来源CIR02数据中心与AI带动需求爆发开启硅光产业黄金发展期21需求变化一数据中心及电信网络建设与升级是硅光芯片的基本盘22需求变化二人工智能超算中心带动硅光芯片产业爆发式增长1902AI需求变化一数据中心云计算等高速需求变化二人工智能超算中心带动硅光时代机遇硅光芯片将成为光通信产光通信需求快速增长芯片产业爆发式增长业的增长引擎1大数据人工智能5G通信网络生成式AI大模型AI将成为新一轮科技产业发光芯片已广泛应用于通云计算等的发展刺激了全球数据中心展的智能底座由此引发的算力需求大爆发将信工业消费照明建设热潮使得硅光芯片为未来AI产业助力等领域超算中心的服务器间有高速互联需2国内外加快部署建设光网络数据和求能支持高速光通信的硅光芯片光传感下游与外延应用领域的拓展通信基础设施光通信激光器芯片成长具有巨大发展爆发力为硅光芯片带来更多的市场需求空间大国内硅光芯片企业享受国产替代的时代机遇和未来数据通信市场需求是光模块成长的稀缺的市场地位消费智能量子主要驱动400G800G高速光模块电子驾驶通信将成主要增长点10Gbs及以上的光通信芯片国产化率不超过5美日公司占主导中美科技竞争加快进口替代进程给我国硅光高速率光芯片市场增速芯片龙头企业带来增长将远高于中低速率光芯片国产替代动力足特别是高速芯片领域已显现国产龙头公司的时代机遇20数据来源国泰君安证券研究
 
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