存储器价格情况：
　　 DRAM方面：7月高端产品价格已现涨势，环比-8.33%~+10.10%，本轮高点21年6月至23年7月累计跌幅为69%~83%。高端DRAM(DDR5)价格有所上涨，7月涨幅0%~10.10%，主流DRAM(DDR4)价格仍下跌，7月跌幅在1.02%~7.92%，较6月有所扩大（6月跌幅1.37%~3.81%），利基DRAM(DDR3)价格跌幅在3.96%~8.33%（6月跌幅0.98%~7.69%），目前价格处于周期底部。我们认为，虽然供应商减产不及需求走弱速度，但相较23Q1，部分产品23Q2均价季跌幅有收缩趋势，根据TrendForce，23Q2 DRAM跌幅收缩至13%-18%，其中，PC及Server DRAM跌幅为15%-20%；Mobile DRAM跌幅为13%-18%。TrendForce预计，受DRAM厂商陆续减产影响，整体DRAM供给逐季减少，加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力，23Q3跌幅将进一步收缩至0%-5%，同时LPDDR5产品价格有望上涨0~5%。
　　 NANDFlash方面：7月价格止跌回升，环比0.00%~+1.42%（512GB大容量首次环比上涨），本轮高点21年7月至23年6月累计跌幅为47%~71%。23H2旺季备货周期将至，尽管今年需求低迷导致终端出货持续下修，市场仍认为23H2终端出货量会优于23H1，采购量有机会逐季增加；由于多数供应商已开始减产，库存压力有望在Q3下降，三星等原厂报价态度强势，Q3合约价有较大机率触底反弹，并刺激买方采购意愿，加速供需平衡。TrendForce预计23Q3起NANDFlash Wafer均价环比涨幅0%-5%，Q4涨幅将进一步扩大至8%~13%。
　　存储模组方面：今年2月开始价格下跌幅度收窄，7月价格基本稳定，本轮高点22年3月至23年7月累计跌幅为45%~64%。据CFM闪存市场，截至6月27日，近半年DDR4 SODIMM（8GB 3200）价格由约17美金降至不足14美金，降幅约19%，OEMSSD（512GBSATA）由约26.5美金降至19.5美金，降幅约26%。11月下旬以来降幅有所收窄，我们认为模组厂商产品单价有望于23H2企稳回暖，随下游需求复苏而获得销量弹性，同时上游晶圆成本处于底部，有利于模组环节盈利水平修复。
　　交期及价格预测：货期趋势整体缩短，存储器模块交期仍维持稳定，跌价已近尾声。根据TrendForce，23Q2 NANDFlash价格跌幅为10~15%，预计23Q3价格跌幅收缩至3~8%，供需错配下仍压制NANDFlash价格止跌回稳；NANDFlash Wafer均价预估将率先上涨，SSD、eMMC、UFS等模组产品则因下游客户拉货迟缓价格续跌，Q4 NAND整体均价有望止跌回升；根据TrendForce，23Q2 DRAM价格跌幅收缩至13%~18%，受DRAM厂商陆续减产影响，整体DRAM供给逐季减少，加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力，我们预计23Q3跌幅将进一步收缩至0%~5%。
　　厂商数据：主流存储器价格承压，中国台湾存储市场的重点公司如旺宏、华邦电、南亚科、力积电营收同比下降，旺宏和力积电环比上升，华邦电和南亚科环比下降。旺宏7月营收同比-39.48%，环比+1.95%；华邦电7月营收同比-14.56%，环比-9.64%；南亚科7月营收同比-44.56%，环比-0.85%；力积电7月营收同比-49.06%，环比+0.10%。
　　供给侧与需求侧近况更新：
　　供给端：为应对下游需求持续疲软、行业供过于求，部分厂商调降投片量，同时下调2023年资本开支及产能提升预期。据各公司业绩发布会，美光FY2023资本支出降至70亿美元，同比-40%以上，并将对DRAM和NAND进一步减产30%至2024年；SK海力士FY2023资本开支将同比削减超50%，并决定对NAND进一步减产5-10%；西部数据预计FY2024资本支出将大幅下降；三星平泽与西安厂扩大减产幅度；23H2大厂库存消耗速度将加快，促使半导体整体产业状况改善。量产、扩产方面，SK海力士24GBLPDDR5XDRAM已量产并供货OPPO；此外，SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品，计划2025H1量产。从历史周期看，资本开支增速与市场增速强相关性，随着各大存储厂商陆续下调2023年资本开支计划并降低稼动率，我们预计23年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，我们看好存储板块周期2023年下半年见底。
　　需求端：下游厂商“降成本、去库存”趋势持续，看好需求逐步复苏。2022年需求疲软下行业库存持续攀升，各大终端厂商将把重心持续放在去库存及降成本上，22Q4末华硕、联想、小米、浪潮库存周转天数相较22Q2末已有所好转。但小米和浪潮由于库存原材料增长、提前备货等原因，23Q1库存周转天数分别为87/179天，有所增加。我们认为，目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高。需求量来看，我们看好23H2至24年下游需求回暖趋势：1）服务器端，我们预计23Q3需求将有望实现环比增长，看好23H2 DDR5在服务器端需求提升，同时AI服务器DRAM和NAND的容量需求（content）是传统的6~8x和3x；2）PC端，我们预计23年PC出货同比下滑低两位数（low-double digit）；3）手机及智能终端，我们预计23年智能手机出货同比下降中个位数（mid-single digit），年内前低后高，库存逐季改善；4）汽车端稳健增长，预计23Q3工业市场出现初步复苏迹象，

研究报告全文：存储行业深度追踪系列第4期2023年7月部分产品初现涨势看好23H2板块复苏机遇中信证券研究部电子行业徐涛王子源程子盈2023年8月18日2023年7月存储行业数据更新及结论存储器价格情况DRAM方面7月高端产品价格已现涨势环比-8331010本轮高点21年6月至23年7月累计跌幅为6983高端DRAMDDR5价格有所上涨7月涨幅01010主流DRAMDDR4价格仍下跌7月跌幅在102792较6月有所扩大6月跌幅137381利基DRAMDDR3价格跌幅在3968336月跌幅098769目前价格处于周期底部我们认为虽然供应商减产不及需求走弱速度但相较23Q1部分产品23Q2均价季跌幅有收缩趋势根据TrendForce23Q2DRAM跌幅收缩至13-18其中PC及ServerDRAM跌幅为15-20MobileDRAM跌幅为13-18TrendForce预计受DRAM厂商陆续减产影响整体DRAM供给逐季减少加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力23Q3跌幅将进一步收缩至0-5同时LPDDR5产品价格有望上涨05NANDFlash方面7月价格止跌回升环比000142512GB大容量首次环比上涨本轮高点21年7月至23年6月累计跌幅为477123H2旺季备货周期将至尽管今年需求低迷导致终端出货持续下修市场仍认为23H2终端出货量会优于23H1采购量有机会逐季增加由于多数供应商已开始减产库存压力有望在Q3下降三星等原厂报价态度强势Q3合约价有较大机率触底反弹并刺激买方采购意愿加速供需平衡TrendForce预计23Q3起NANDFlashWafer均价环比涨幅0-5Q4涨幅将进一步扩大至813存储模组方面今年2月开始价格下跌幅度收窄7月价格基本稳定本轮高点22年3月至23年7月累计跌幅为4564据CFM闪存市场截至6月27日近半年DDR4SODIMM8GB3200价格由约17美金降至不足14美金降幅约19OEMSSD512GBSATA由约265美金降至195美金降幅约2611月下旬以来降幅有所收窄我们认为模组厂商产品单价有望于23H2企稳回暖随下游需求复苏而获得销量弹性同时上游晶圆成本处于底部有利于模组环节盈利水平修复交期及价格预测货期趋势整体缩短存储器模块交期仍维持稳定跌价已近尾声根据TrendForce23Q2NANDFlash价格跌幅为1015预计23Q3价格跌幅收缩至38供需错配下仍压制NANDFlash价格止跌回稳NANDFlashWafer均价预估将率先上涨SSDeMMCUFS等模组产品则因下游客户拉货迟缓价格续跌Q4NAND整体均价有望止跌回升根据TrendForce23Q2DRAM价格跌幅收缩至1318受DRAM厂商陆续减产影响整体DRAM供给逐季减少加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力我们预计23Q3跌幅将进一步收缩至05厂商数据主流存储器价格承压中国台湾存储市场的重点公司如旺宏华邦电南亚科力积电营收同比下降旺宏和力积电环比上升华邦电和南亚科环比下降旺宏7月营收同比-3948环比195华邦电7月营收同比-1456环比-964南亚科7月营收同比-4456环比-085力积电7月营收同比-4906环比01012023年7月存储行业数据更新及结论供给侧与需求侧近况更新供给端为应对下游需求持续疲软行业供过于求部分厂商调降投片量同时下调2023年资本开支及产能提升预期据各公司业绩发布会美光FY2023资本支出降至70亿美元同比-40以上并将对DRAM和NAND进一步减产30至2024年SK海力士FY2023资本开支将同比削减超50并决定对NAND进一步减产5-10西部数据预计FY2024资本支出将大幅下降三星平泽与西安厂扩大减产幅度23H2大厂库存消耗速度将加快促使半导体整体产业状况改善量产扩产方面SK海力士24GBLPDDR5XDRAM已量产并供货OPPO此外SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品计划2025H1量产从历史周期看资本开支增速与市场增速强相关性随着各大存储厂商陆续下调2023年资本开支计划并降低稼动率我们预计23年行业供给增速将低于需求增速供需将逐步达到平衡有助于库存修复我们看好存储板块周期2023年下半年见底需求端下游厂商降成本去库存趋势持续看好需求逐步复苏2022年需求疲软下行业库存持续攀升各大终端厂商将把重心持续放在去库存及降成本上22Q4末华硕联想小米浪潮库存周转天数相较22Q2末已有所好转但小米和浪潮由于库存原材料增长提前备货等原因23Q1库存周转天数分别为87179天有所增加我们认为目前终端厂商已处于去库存的后期全年出货有望呈现前低后高需求量来看我们看好23H2至24年下游需求回暖趋势1服务器端我们预计23Q3需求将有望实现环比增长看好23H2DDR5在服务器端需求提升同时AI服务器DRAM和NAND的容量需求content是传统的68x和3x2PC端我们预计23年PC出货同比下滑低两位数low-doubledigit3手机及智能终端我们预计23年智能手机出货同比下降中个位数mid-singledigit年内前低后高库存逐季改善4汽车端稳健增长预计23Q3工业市场出现初步复苏迹象行业库存及需求有望在23H2持续改善海外厂商业绩追踪从海外大厂业绩看存储行业复苏海外存储大厂均已发布CY23Q2业绩美光实现营收375亿美元-57YoY2QoQ三星电子DS板块下存储业务实现营收897万亿韩元-57YoY1QoQSK海力士实现营收731万亿韩元-47YoY44QoQ西部数据Flash业务实现营收1377亿美元-43YoY5QoQ美光三星电子存储业务SK海力士西部数据Flash业务Q2营收均实现环比增长存储板块营收低谷已过投资建议原厂单季度营收低谷已过部分高端存储价格已现涨势预计23H2供需关系持续改善部分产品价格有望回暖综合主要海外存储大厂给出的CY23H2指引我们认为随海外大厂稼动控制存储供需改善行业库存持续去化主流存储价格下半年有望持续回暖我们看好产业链公司23H2业绩底部复苏随AI服务器市场高速增长有望驱动HBM出货量及占比快速提升看好国内进行HBM前瞻布局的相关产业链公司建议关注1存储模组深科技江波龙佰维存储德明利协创数据朗科科技等2存储芯片设计东芯股份兆易创新北京君正普冉股份恒烁股份等3存储配套芯片澜起科技聚辰股份等风险因素下游需求复苏不及预期芯片价格持续下跌行业竞争加剧新技术研发进展缓慢国际地缘政治冲突等2CONTENTS目录1主流存储价格和交期情况2中国台湾重点厂商最新月度数据3供给侧与需求侧近况更新4海外厂商业绩追踪5重点公司追踪6重点公司投资建议及风险因素3DRAM价格7月高端产品价格已现涨势环比-83310107月高端产品价格已现涨势环比-8331010本轮高点21年6月至23年7月累计跌幅为6983高端DRAM服务器DDR5价格有所上涨7月涨幅01010主流DRAMDDR4价格仍下跌7月跌幅在102792较6月有所扩大6月跌幅137381利基DRAMDDR3价格跌幅在3968336月跌幅098769目前价格处于周期底部由于PCDRAMServerDRAMMobileDRAM占总DRAM消耗量超过85且DDR5比重仍低DRAM价格跌幅仍较大的主要原因是DDR4与LPDDR5的库存过高目前市场仍供过于求价格持续下跌然而在原厂陆续减产后DRAM下半年价格跌幅将有望逐季收缩我们认为虽然供应商减产不及需求走弱速度但相较23Q1部分产品23Q2均价季跌幅有收缩趋势根据TrendForce23Q2DRAM跌幅收缩至1318其中PC及ServerDRAM跌幅为1520MobileDRAM跌幅为1318TrendForce预计受DRAM厂商陆续减产影响整体DRAM供给逐季减少加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力23Q3跌幅将进一步收缩至05DXI指数DRAM周度价格美金45000DDR4-8Gb-1Gx8-3200MHzDDR4-8Gb-1Gx8白牌DDR5-32GBRDIMM4000035000DDR4-4Gb-512Mx8-3200MHzDDR4-4Gb-512Mx8-21332400MHz白牌DDR5-16GBDIMM3000025000DDR3-4Gb-512Mx8-13331600MHzDDR3-4Gb-512Mx8白牌DDR5-8GBDIMM20000150006150100004100500025000032023120212202132021420215202162021720218202192021120222202232022420225202262022720228202292022120232202342023520236202372023102021112021122021102022112022122022资料来源Wind中信证券研究部资料来源Bloomberg中信证券研究部DRAM月度价格美金DRAM价格变动幅度及所处周期位置目前价格美相当于上轮周DDR4-4Gb-512Mx821332400MHzDDR4-4Gb-512Mx821332400Mhz白牌7月价格变动幅度所处周期位置元期底部价格DDR4-8Gb-1Gx821332400MHzDDR4-8Gb-1Gx821332400MHz白牌GbDDR3-4Gb-512Mx8-13331600MHzDDR3-4Gb-512Mx8白牌DDR5-32GBRDIMM101078506DDR5-16GBDIMM00029754DDR5-8GBDIMM00016002DDR4-4Gb-512Mx8-3200MHz-102097周期底部-38160DDR4-8Gb-1Gx8-3200MHz-139142周期底部-5066DDR3-4Gb-512Mx8--396097周期底部-310713331600MHz4资料来源Bloomberg中信证券研究部资料来源Bloomberg中信证券研究部注价格更新日期为2023年8月14日NANDFlash价格7月价格止跌回升环比0001427月价格止跌回升环比000142512GB大容量首次环比上涨本轮高点21年7月至23年6月累计跌幅为477123H2旺季备货周期将至尽管今年需求低迷导致终端出货持续下修市场仍认为23H2终端出货量会优于23H1采购量有机会逐季增加ClientSSD与EnterpriseSSD在下游出货量下滑的预期下采购量也下降23Q1NANDFlash芯片价格跌幅收敛至1015此外5月起美韩系厂商大幅减产后已见到部分供应商开始调高wafer报价对于中国市场报价均已略高于3-4月成交价由于多数供应商已开始减产库存压力有望在Q3下降三星等原厂报价态度强势Q3合约价有较大机率触底反弹并刺激买方采购意愿加速供需平衡TrendForce预计23Q3起NANDFlashWafer均价环比涨幅05Q4涨幅将进一步扩大至813NAND价格表格美金NAND周度价格美金项目日高点日低点盘高点盘低点盘平均盘涨跌幅TLC闪存128GbTLC闪存256GbTLC闪存512GbSLC2Gb1300601300600797179256MBx854SLC1Gb1650501650500826-0243128MBx82MLC64Gb1425340425340386008GBx80MLC32Gb300190300190206304GBx83DTLC256Gb25020025020021020资料来源中信证券研究部资料来源TrendForce中信证券研究部注价格更新日为2023年8月11日BloombergNAND月度价格美金NAND价格变动幅度及所处周期位置目前价格相当于上轮周期TLC闪存128GbTLC闪存256Gb7月价格变动幅度所处周期位置美元GB底部价格TLC闪存512GbMLC闪存256GB合约MLC闪存128Gb16384Mx8合约MLC闪存64Gb8192Mx8合约TLC闪存128GB000111周期底部-2520864TLC闪存256GB-101098周期底部-454920TLC闪存512GB142141周期底部-6090320211202122021420215202162021720218202192021120222202232022420225202262022720228202292022120232202332023420235202362023720231120211220221020211220211020221120225资料来源Bloomberg中信证券研究部资料来源Bloomberg中信证券研究部注价格更新日期为2023年8月14日存储模组价格2月开始价格下跌幅度收窄7月价格趋稳今年2月开始价格下跌幅度收窄7月价格基本稳定本轮高点22年3月至23年7月累计跌幅为44606387据CFM闪存市场截至8月8日近半年DDR4SODIMM8GB3200由约165美金下降至不足14美金降幅约15OEMSSD512GBSATA由约25美金下降至19美金降幅约24自2022年11月下旬以来降幅有所收窄我们认为模组厂商产品单价有望于23H2企稳回暖随下游需求复苏而获得销量弹性同时上游晶圆成本处于底部有利于模组环节盈利水平修复内存条价格美金渠道市场内存条价格美金行业市场DDR4UDIMM8GB3200DDR4UDIMM16GB3200DDR4UDIMM32GB3200DDR4SODIMM4GB3200DDR4SODIMM8GB3200DDR4SODIMM16GB32001006080504060304020201000118218318418518618718818918101811181218118218318418518618718118218318418518618718818918101811181218118218318418518618718资料来源CFM闪存市场中信证券研究部资料来源CFM闪存市场中信证券研究部SSD价格美金渠道市场SSD价格美金行业市场ChannelSSD240GBSATAChannelSSD256GBPCle30OEMSSD128GBPCle30OEMSSD128GBSATAChannelSSD512GBPCle40ChannelSSD1TBPCle40OEMSSD512GBSATAOEMSSD512GBPCle30ChannelSSD480GBSATAChannelSSD512GBPCle30606050504040303020201010001182183184185186187188189181018111812181182183184185186187181182183184185186187188189181018111812181182183184185186187186资料来源CFM闪存市场中信证券研究部资料来源CFM闪存市场中信证券研究部交期及价格预测货期整体缩短跌价已近尾声货期趋势整体缩短存储器模块交期仍维持稳定跌价已近尾声根据TrendForce23Q2NANDFlash价格跌幅为1015预计23Q3价格跌幅将收缩至38供需错配下仍压制NANDFlash价格止跌回稳NANDFlashWafer均价预估将率先上涨SSDeMMCUFS等模组产品则因下游客户拉货迟缓价格续跌Q4NAND整体均价有望止跌回升根据TrendForce23Q2DRAM价格跌幅收缩至1318受DRAM厂商陆续减产影响整体DRAM供给逐季减少加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力预计23Q3跌幅将进一步收缩至05金士顿货期整体缩短存储器模块维稳威刚货期整体缩短存储器模块维稳旺宏NOR交期缩短NANDeMMC维稳Kingston23Q3货期货期趋势价格趋势ADATA23Q3货期货期趋势价格趋势Macronix23Q3货期货期趋势价格趋势PC商用DRAM4-6SMA存储器模块6-8SMANOR闪存8-12SMA存储器模块2-6SMAeMMC8-10SMAeMMC2-6SMANAND闪存8-12SMA存储卡8-10SMA存储卡2-10SMAeMMC52-54固态驱动器SSD4-8SMA固态驱动器SSD8-12SMA资料来源FutureElectronics中信证券研究部资料来源FutureElectronics中信证券研究部资料来源FutureElectronics中信证券研究部AllianceMemoryDRAMNAND货期缩短NAND价格预测跌幅有望收缩DRAM价格预测跌幅有望大幅收缩Alliance23Q223Q3E23Q223Q2E23Q3货期货期趋势价格趋势MemoryDDR4down1520DDR4down38eMMCConsumerdown813ConsumermostlyflatPCDDR5down1318DDR5down05PC商用DRAM2-20SMAUFSMobiledown1520Mobiledown813BlendedASPdown1520BlendedASPdown05DDR4down1823DDR4down38移动RAM12-16EnterpriseSSDdown1318down1015ServerDDR5down1318DDR5down05ClientSSDdown1520down510BlendedASPdown1520BlendedASPdown05SRAM12-45LPDDR4Xdown05Mobiledown13183DNANDWafersLPDDR5XwithHKMGup05NOR闪存12-20down813up05TLDQLCGraphicsdown1015down05NAND闪存8-24TotalNANDFlashdown1015down38Consumerdown1015down05Totaldown1318down057资料来源FutureElectronics中信证券研究部资料来源TrendForce含预测预测时间为202307中信证券研究部资料来源TrendForce含预测预测时间为202307中信证券研究部CONTENTS目录1主流存储价格和交期情况2中国台湾重点厂商最新月度数据3供给侧与需求侧近况更新4海外厂商业绩追踪5重点公司追踪6重点公司投资建议及风险因素8旺宏7月营收环比195看好车载领域带动公司业绩成长公司7月营收同比-3948环比195公司2023年7月营收2181亿新台币同比-3948环比1952023年1-7月累计营收亿新台币同比16714-3703营收环比增速再次转正持续布局车载等高容量产品市场公司23Q2营收约7429亿新台币环比46公司4月营收3008亿新台币是近6个月最高点主要系Q2的急单效应5-6月环比下降主要系营收回到传统淡季模式终端市场需求不振客户持续调整库存目前库存修正已接近尾声且公司强调车载医疗及工控三大领域布局将产生明显收益7月营收环比已略有上升从产品线来看23Q2ROM占比39营收同比40NORFlash占比46营收同比-47NANDFlash占比9营收同比-57FBG晶圆代工业务占比6营收同比-59旺宏旗下有一座12英寸厂主要生产NORFlash及NANDFlash并将主要产能分配NORFlash考虑到全球经济成长趋缓并造成存储需求减弱旺宏22Q4减产2025同时22年资本支出也由原定的160亿元新台币下修至106亿元新台币减幅约达34公司表示2023年减产措施将会根据市场情况进行调整闲置产线动能与资源将拨给技术研发使用以加快3DNOR及3DNAND开发速度公司96层3DNAND已进入量产开始接受客户订单192层3DNAND计划23年底到24年初进入量产3DNOR制程较为复杂预计2024年将有成果展现公司表示目前医疗车用等需求仍稳定NORFlash仍有机会成长并认为23年NORFlash价格将维稳公司亦将持续朝高密度应用领域布局月度营收单位新台币亿元月度营收变化率45营收YoY营收MoM40503540303020251020015-10-2010-305-400-50资料来源Wind旺宏光电公司官网中信证券研究部资料来源Wind旺宏光电公司官网中信证券研究部注旺宏2022年总营收43487亿元公司是全球最大的只读存储器生产制造公司并提供客户跨越广注旺宏2022年总营收43487亿元公司是全球最大的只读存储器生产制造公司并提供客户跨越广泛规格及密度的NOR型闪存产品2023年Q2ROM占比39NORFlash占比46NANDFlash占比泛规格及密度的NOR型闪存产品2023年Q2ROM占比39NORFlash占比46NANDFlash占比999华邦电7月营收环比-964预计23H2经营情况优于23H1公司7月营收同比-1456环比-964公司2023年7月营收6315亿新台币同比-1456环比-9642023年1-7月累计营收42641亿新台币同比-2958营收环比转负预计23H2经营情况优于23H1公司23Q2营收18811亿新台币环比739公司表示市场需求面已普遍回温最坏的时间已过景气度将反弹回升只是反弹力度估计要到8月会更加明朗公司营收有望逐季成长23H2会优于23H1从产品线来看23Q2公司DRAM产品营收占比33Flash产品占比67从应用面来看23Q2公司车用工业用消费电子电脑通讯电子营收占比分别为27202429营收同比10-240-172022年因需求疲软中科厂22Q4减产3040同时高雄厂因机台交期延迟每月10万片产能量产时间延后公司旗下共有台中厂和高雄厂两座12英寸晶圆厂22Q4合计产能分别为6万片1万片高雄厂第1期1万片产能已于23年1月到位以25nm制程生产全面投产2Gb和4GbDDR3第2期1万片产能建置时程预计延后半年公司预计23年下半年导入设备24年量产根据公司23Q2法说会随着客户需求回温台中厂减产幅度也由22Q4的3-4成降至23Q3的不到2成Q3-Q4营收有望持续温和成长公司预计20nmDRAM与45nmNORFlash新制程技术即将推出并贡献营收且会在2024年初将高雄厂产能提升至14万片公司亦推进内存设备的外部接口技术推出先进的HYPERRAM产品适用容量已扩展至256Mb和512Mb车规产品SDRAMDDR-DDR3LPDDR44X均已实现量产并向更高密度推进展望未来公司计划持续向客户稳定供货DDR3LPDDR44X等产品同时均衡供给多种应用需求并着重于汽车电子5G基站与工业用电子的发展月度营收单位新台币亿元月度营收变化率100营收YoY营收MoM908040307020601050040-1030-2020-3010-400-50资料来源Wind华邦电子公司官网中信证券研究部资料来源Wind华邦电子公司官网中信证券研究部注华邦电2022年总营收9453亿新台币公司业务主要内容包含积体电路及其相关产品的研发设注华邦电2022年总营收9453亿新台币公司业务主要内容包含积体电路及其相关产品的研发设计生产销售售后2022年公司DRAM产品营收占比43Flash产品占比57计生产销售售后2022年公司DRAM产品营收占比43Flash产品占比5710南亚科7月营收环比-085继4个月营收环比增长后首次下跌公司7月营收同比-4456环比-085公司2023年7月营收2437亿新台币同比-4456环比-0852023年1-7月累计营收15889亿新台币同比-6250营收环比微跌专注消费型及低功耗DRAM看好5GAI云端及网通等应用公司23Q2营收7027亿新台币环比937主要因为出货量较Q1增加10经过逐季持续走弱23Q2负面因素逐步趋缓加上供应商资本支出调整虽然市场状况未全面回暖但PC季节旺季效应下公司预计23H2业绩优于23H1从产品线来看公司2022年DRAM产品营收比例接近1002021年消费型DRAM占营收的60-70标准型DRAM占10-15行动型占10-15公司22年6月于台湾新北市投建12英寸新晶圆厂新厂投资3000亿元新台币完成后月产能可达45万片晶圆预计2025年开始装机投片量产目前一代10纳米级制程1A产品已开始送样第二代10纳米级制程1B产品已完成试产2023年度计划第二代10纳米级制程1C测试产品完成制程测试2024年起逐步于现有厂房导入1B量产及1C试产降本减产策略下公司2022年实际资本支出207亿元新台币减幅约为27其中生产设备资本支出减幅约5成车载领域公司DDR2-DDR4已量产DDR5研发中LPDDR44X部分产品已量产展望未来公司23年计划持续缩减资本支出规划以约185亿新台币为目标其中生产设备资本支出不超过5成并持续推进新制程的研发长期来看5GAI云端及网通等应用仍有望带动公司业绩增速扭负为正月度营收单位新台币亿元月度营收变化率80营收YoY营收MoM7040602050040-203020-4010-600-80资料来源Wind南亚科公司官网中信证券研究部资料来源Wind南亚科公司官网中信证券研究部注南亚科2022年总营收56952亿新台币公司致力于DRAM的研发设计制造与销售2022年注南亚科2022年总营收56952亿新台币公司致力于DRAM的研发设计制造与销售2022公司DRAM产品营收比例接近100年公司DRAM产品营收比例接近10011力积电7月营收环比010保守看待Q3复苏节奏公司7月营收同比-4906环比010公司2023年7月营收3430亿新台币同比-4906环比0102023年1-7月累计营收25889亿新台币同比-4750营收环比略有上升保守看待Q3复苏节奏公司23Q2营收11009亿新台币环比-38523H1累计营收22559亿元同比-472公司主营业务包括DRAMFlash和晶圆代工23Q2DRAM营收占比31分离式元器件17电源管理芯片9高压逻辑驱动芯片23嵌入式逻辑产品14Flash产品5CMOS影像传感器1公司Q2产能利用率约为6062其中8英寸优于12英寸管理层认为由于全球进入后通胀时代欧美市场消费心理保守中国大陆经济短期疲软市场氛围较难好转对Q3保守看待存储业务方面公司表示三大原厂存储芯片减产效益明显ASP已回稳市场最坏情况已经过去客户提高了对公司的利基型存储芯片的采购意愿长期发展方面公司积极布局海外产能2022年12月于美国亚利桑那州晶圆厂开始兴建第二期工程两期工程总投资约400亿美元完工后将合计年产超过60万片晶圆终端产品市场价值预估超过400亿美元同时Fab188期工厂已实现3nm量产公司预计5年创造15万亿美元产值月度营收单位新台币亿元月度营收变化率80营收MoM营收YoY700860065004400230020-0210-040-06资料来源Wind力积电公司官网中信证券研究部资料来源Wind力积电公司官网中信证券研究部注力积电2022年总营收76087亿新台币公司主营业务包括DRAMFlash和晶圆代工23Q2注力积电2022年总营收76087亿新台币公司主营业务包括DRAMFlash和晶圆代工23Q2DRAM营收占比31分离式元器件17电源管理芯片9高压逻辑驱动芯片23嵌入式逻辑DRAM营收占比31分离式元器件17电源管理芯片9高压逻辑驱动芯片23嵌入式逻辑产品14Flash产品5产品14Flash产品512CONTENTS目录1主流存储价格和交期情况2中国台湾重点厂商最新月度数据3供给侧与需求侧近况更新4海外厂商业绩追踪5重点公司追踪6重点公司投资建议及风险因素13需求端看好23H2下游库存持续改善需求逐步复苏下游厂商降成本去库存趋势持续看好需求逐步复苏2022年需求疲软下行业库存持续攀升各大终端厂商将把重心持续放在去库存及降成本上22Q4末华硕联想小米浪潮库存周转天数较22Q2末已经有所好转但小米和浪潮由于库存原材料增长提前备货等原因23Q1库存周转天数分别为87179天有所增加我们认为目前终端厂商已处于去库存的后期全年出货有望呈现前低后高需求量来看我们看好23H2至24年下游需求回暖趋势1服务器端我们预计23Q3需求将有望实现环比增长看好23H2DDR5在服务器端需求提升同时AI服务器DRAM和NAND的容量需求content是传统的68x和3x2PC端我们预计23年PC出货同比下滑低两位数low-doubledigit3手机及智能终端我们预计23年智能手机出货同比下降中个位数mid-singledigit年内前低后高库存逐季改善4汽车端稳健增长预计23Q3工业市场出现复苏初步迹象行业库存及需求有望在23H2持续改善预计2023年全球存储市场规模下滑41DRAMNAND位元需求量个位数增长根据Yole预计2023年全球存储市场规模为850亿美元同比-41其中DRAM与NAND市场规模分别同比-47-37达420370亿美元预计2024年随供需关系改善产品价格持续复苏市场规模有望增长至1330亿美元同比55需求量来看美光预计2023年DRAMNAND位元需求Bit分别增长中低个位数low-to-midsingledigit和高个位数high-singledigit2022-2025E全球存储市场规模单位亿美元2022年各类型存储器市场规模单位亿美元2500200010007972000800587144013301500600850100040050020032107600DRAMNANDNORSRAMFRAM20222023E2024E2025EEEPROM和其他新兴NVM资料来源Yole含预测中信证券研究部资料来源Yole中信证券研究部DRAMNAND市场规模季节变化单位GBinMUDRAM供给量和供需比单位GBinMUNAND供给量和供需比单位GBinMUDRAMFlash供给量供需比供给量供需比30010000825000082508000200000620061506000150000410044000100000250020002500000000-21Q222Q223Q224Q221Q232Q23E3Q23E4Q23E1Q222Q223Q224Q221Q232Q23E3Q23E4Q23E14资料来源CFM闪存市场中信证券研究部资料来源IDC含预测中信证券研究部资料来源IDC含预测中信证券研究部近期存储行业供给端变化产能端三星平泽与西安厂扩大减产幅度8月7日据ZDNetKorea三星电子正在针对NAND最大生产基地平泽和西安厂区进行产线稼动率调节与此前仅在非主力生产线减少产量不同三星电子认为与DRAM相比NAND库存仍处于较高水位对最大生产基地减少晶圆投入量可望有效降低NAND库存减产目标为第6代128层V-NAND从2023Q3起三星电子已停止向华城16产线供应NAND晶圆平泽和西安工厂也将降低平均晶圆投入量从每月投入22万23万片晶圆降低至20万片为两年多来最低水准据此2024年NAND年产量预计将减少10我们认为三星积极减产有望加速行业供需平衡速度产品端SK海力士展示全球最高层321层NAND闪存样品计划2025H1量产8月9日SK海力士公布321层1TbTLCTripleLevelCell4DNAND闪存开发的进展并展示了现阶段开发的样品SK海力士将进一步完善321层NAND闪存并计划于2025年上半年开始量产321层1TbTLCNAND的效率比上一代238层512Gb提高了59这是由于数据存储的单元可以以更多的单片数量堆栈至更高在相同芯片上实现更大存储容量进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量我们认为公司积极推出人工智能时代所需的高性能大容量NAND产品将有助于巩固品牌在NAND技术领域的领先地位SK海力士24GBLPDDR5XDRAM已量产并供货OPPO8月11日SK海力士宣布已开始向客户提供应用于智能手机等移动产品的高性能DRAMLPDDR5X产品该产品可在JEDEC规定的最低电压标准范围101112V下运行数据处理速度为每秒68GB其相当于每秒可以传输13部全高清Full-HDFHD级电影SK海力士自7月开始量产新产品将搭载于OPPO旗下一加旗舰机Ace2Pro我们认为成功量产24GBLPDDR5XDRAM并供应客户将进一步加强SK海力士在移动DRAM市场的竞争优势SK海力士LPDDR5T已完成与联发科下一代移动AP应用的性能验证8月11日SK海力士宣布其LPDDR5T已完成与联发科下一代移动AP应用的性能验证LPDDR5T于2023年1月开发是世界上速度最快的移动DRAM运行速度达到96Gbpss于2023年2月向联发科提供了LPDDR5T样品进行测试目前JEDEC的标准化审批流程已进入最后阶段LPDDR5T正在为全面上市做好准备SK海力士预测随着产品标准化和市场供应正式开始移动设备DRAM的更新换代将从明年开始加速我们认为未来LPDDR5T上市将帮助SK海力士继续巩固移动DRAM市场领先地位三星电子发布超高性能PCIe50数据中心专用SSDPM9D3a8月10日三星电子首次在中国公开展示超高性能PCIe50数据中心专用SSDPM9D3a采用三星先进的控制器软件和系统技术是一款能提供每TB50KIOPS随机写入性能最大8TB的8通道产品与上一代产品相比PM9D3a系列SSD随机性能提高了18倍能效提高了16倍另外PM9D3a能够在高温高湿环境下依旧保持可靠性在多种数据中心环境中提供稳定的解决方案目前PM9D3a已完成开发工作预计于明年上半年将推出多种形态的产品以满足客户的需求我们认为随PM9D3a发布三星将进一步巩固其在数据中心SSD的市场地位并有望加速PCIe50在数据中心端的渗透率提升15HBM原厂积极扩产预估2024年HBM供给位元量同比105客户持续加单HBM原厂积极扩产预估2024年HBM供给位元量同比105存储器原厂面对英伟达以及其他云端服务商自研芯片的加单试图通过加大TSV产线来扩增HBM产能根据TrendForce目前高端AI服务器GPU搭载HBM已成主流预估2023年全球HBM需求容量将达29亿GB同比增长近60从目前各原厂规划来看TrendForce预估2024年HBM供给位元量将同比105考虑到TSV扩产加上机台交期与测试所需的时间合计可能长达912个月因此多数HBM产能23Q2才有望陆续释放产品趋势主流需求将从HBM2e转向HBM324年HBM3价格有望持平HBM2eHMB2等旧产品价格将下跌TrendForce表示随着使用HBM3的加速芯片陆续放量2024年市场需求将大幅转向HBM32024年占比将超过HBM2e达60且其更高的ASP将带动明年HBM营收显著成长价格方面根据TrendForce2024年基于整体HBM供应情形将大幅改善且各原厂积极扩大市占率的情况HBM2与HBM2e价格将下跌主流产品HBM3价格预估与2023年持平由于HBM3平均销售单价远高于HBM2e与HBM2有望进一步带动2024年整体HBM营收至89亿美元同比127竞争格局SK海力士领先三星电子市占率快速上升目前SK海力士HBM3产品领先其他原厂是NVIDIAServerGPU的主要供应商三星电子则着重满足其他云端服务商的订单在客户加单下预计今年与SK海力士的市占率差距会大幅缩小根据TrendForce2023-2024年两家厂商HBM市占率预估相当合计拥有HBM市场约95的市占率不过因客户组成略有不同在不同季度的出货表现将存在区别美光今年专注开发HBM3e产品相较两家韩厂大幅扩产的规划预期23-24年美光的市占率会略有下滑2022-2023E全球HBM需求容量及预测亿2022-2024EHBM2e与HBM3比重转进预估2022-2024EHBM市占率预估GB35HBM3HBM2eOthersSK海力士三星美光3010010054111510902290258080702570404750482050606015505040704010306030504750482039200510108000020222023E2024E20222023E2024E20222023E资料来源TrendForce含预测中信证券研究部资料来源TrendForce含预测中信证券研究部资料来源TrendForce含预测中信证券研究部16CONTENTS目录1主流存储价格和交期情况2中国台湾重点厂商最新月度数据3供给侧与需求侧近况更新4海外厂商业绩追踪5重点公司追踪6重点公司投资建议及风险因素17美光FYQ3CYQ2营收低谷已过DRAM和NAND计划继续减产30至2024年FYQ3营收环比微增营收低谷或已过去美光FYQ3实现营收375亿美元公司此前预期中值为37亿美元YoY-57QoQ2毛利率-16优于此前公司指引上沿净亏损190亿美元Q2为231亿元环比收窄Non-GAAPEPS-143美元高于市场预期公司本期减记库存约4亿美元Q2则减计高达143亿美元我们认为库存费用的环比大幅减少是行业景气即将触底的重要信号营收结构方面DRAM营收占比71QoQ-2NAND营收占比21QoQ14ASP相较Q2均有所收窄FYQ4营收指引优于预期FY2023资本开支及投片量指引进一步下调公司指引Q4营收39亿美元上下浮动2亿美元中值高于市场预期的387亿美元预计Q4毛利率为-105上下浮动25pctsNon-GAAPEPS-119美元上下浮动007美元公司预期23H2DRAM和NAND比特出货量仍将实现强劲增长公司预计FY2023资本开支为70亿美元相比上年削减超40WFEFab设备下降超50此外公司计划对DRAM和NAND进一步减产30并持续到2024年23H2供需格局有望改善NAND或先于DRAM复苏公司看好23H2至24年下游需求回暖趋势预计23年DRAMNAND需求按Bit分别增长中低个位数low-to-midsingledigit和高个位数high-singledigit其中数据中心FYQ3云端和企业端收入连续强劲增长生成式AI带动AI服务器存储需求超预期PC端公司预期CY23出货同比下滑低两位数low-doubledigit智能手机公司预期CY23出货同比下降中个位数mid-singledigit汽车端FYQ3季度收入创记录同比增长高个位数high-singledigit下半年需求可期工业端FYQ3市场出现复苏初步迹象行业库存及需求有望在CY23H2改善供给端部分厂商调降稼动率或Capex我们预计存储厂商库存将在23Q2达峰并逐步下调23H2有望趋于健康水平美光季度业绩亿美元美光分产品营收结构美光分下游应用营收结构百万美元美光分地区营收结构营收净利润DRAMNAND其他计算与网络业务嵌入式业务移动业务中国大陆美国中国台湾中国香港存储业务其他日本欧洲其他国家亚太地区1001009025132648239610000100802443254127002700809000906070800080700060704060005050006020407268734572567239692573717122400050030300040202000-203010100020-4000100FY2019FY2020FY2021FY2022资料来源美光官网中信证券研究部资料来源美光官网中信证券研究部资料来源美光官网中信证券研究部资料来源美光官网中信证券研究部注亚太地区不包括中国大陆中国台湾和马来西亚18三星电子FYQ2CYQ2存储业务营收环比微增行业营收低谷已过FY23Q2整体营收环比跌幅收窄存储业务营收环比微增三星电子Q2实现营收-22YoY-6QoQ至6001万亿韩元毛利率为30628pctsQoQ净利润-至万亿韩元其中板块下存储业务实现营收至万亿韩元占板块营收占总体营收包括85YoY10QoQ172DS-57YoY1QoQ897DS61DS25Memory存储SystemLSI设计Foundry代工FY23Q2营收1473万亿韩元占比-48YoY7QoQ营业利润-436万亿韩元23Q122Q2分别为-458998万亿韩元FY23Q2存储板块回顾公司表示客户在Q2继续调整库存服务器需求仍然疲软但在科技巨头加大对AI投资的推动下高密度高性能存储产品的需求保持强劲尽管公司面临价格持续下跌库存估值损失增加特别是NAND但盈利仍实现增长1DRAM由于公司扩大了服务器存储产品的销售规模同时积极应对DDR5和AI带来的HBM需求的增长位元增长实现超预期2NAND公司努力通过扩大先进制程节点占比从而不断强化成本竞争力ASP单季降幅明显放缓此外公司还通过在UFS40的竞争力积极应对市场上旗舰智能手机的需求FY23H2存储板块展望公司表示考虑到行业减产范围扩大需求将在下半年逐步恢复客户库存调整有望接近尾声1移动端和PC由于23H2新款智能手机的推出和PC的促销活动有望带动存储需求将逐季改善2服务器库存料将在23H2逐渐消化完毕公司认为DDR4和DDR5的需求都将逐步改善对于存储业务布局三星电子表示将持续优化产品组合专注于高附加值高密度产品公司将加速扩大DDR5LPDDR5x和HBM3等先进节点产品的营收占比强化在高性能服务器和移动旗舰产品领域的领导地位三星电子DS部门下Memory营收万亿韩元23Q2三星电子各业务营收占比营收YoYDXDSSDCHarmanMemoryOthers251055202301015-539-102310-1561-20562-250-3022Q122Q222Q322Q423Q123Q2资料来源三星电子官网中信证券研究部资料来源三星电子官网中信证券研究部19