深耕电源管理芯片近十年，延伸布局信号链芯片。公司以AC-DC芯片为起点，从以电源管理芯片为主到电源管理和信号链芯片全面发展，同时重点业务正逐步从消费电子向通讯电子、汽车电子及工业应用等领域过渡。2021年公司在全球电源管理芯片的市占率约为0.43%。
　　虚拟IDM模式，中低压+高压+超高压BCD工艺平台彰显技术不可替代性。同业上市公司采用Fabless业务模式，而公司采取虚拟IDM模式，是国内少数同时具备自主工艺制造技术和多产品线设计开发能力的模拟集成电路企业。公司BCD工艺平台的持续精进将持续赋能通讯电子、工业应用及汽车电子等领域的产品研发，同时公司的募投项目持续精进BCD工艺平台。
　　电源管理芯片增长驱动力强劲，汽车和通讯电子等持续赋能需求。受益于物联网及5G时代应用领域的拓展及需求的增加，TMR预计2026年全球电源管理芯片市场规模将扩张至约565亿美元，其中全球汽车电源管理芯片市场规模预计从2020年的22.5亿美元扩张至2026年的37.8亿美元（Yole预测），CAGR为9%，增长潜力巨大，同时募投项目持续助力公司布局汽车和通讯电子。
　　盈利预测：我们预计公司2022-2024年营业收入14.3/21.4/32.2亿元，归母净利润1.6/3.0/5.2亿元，首次覆盖，给予“推荐”评级。
　　风险提示：（1）上游原材料及零部件供应短缺风险；（2）下游需求不及预期风险；（3）产品研发及产业化应用不及预期风险；（4）各项营收增速不及预期风险。

研究报告全文：证券研究报告2022年12月27日方正电子公司深度报告杰华特688141SH虚拟IDM模式助力高端模拟芯片国产化分析师吴文吉登记编号S1220521120003杰华特业务版图虚拟IDM中低压高压超高压BCD工艺平台电源管理芯片信号链芯片降压转换器升降压转换器DC-DC芯片检测产品升压转换器业业务多相控制器和智能功率级模块务占线性电源芯片占转换器比比产品约AC-DC同步整流产品约98AC-DC初级侧调节器2AC-DC芯片高频GaN控制和驱动器去频闪照明产品接口产品电池管理芯片1000产品型号在售600在研产品型号消费电子通讯电子计算和存储工业应用汽车电子个企数安伺电工智智A服B人业据防服力业能能D照明机顶盒电视机手机交换机路由器基站网关务M电存存设驱系电座互A器动S脑储储备器统源舱联S资料来源杰华特招股书方正证券研究所整理2投资要点深耕电源管理芯片近十年延伸布局信号链芯片公司以AC-DC芯片为起点从以电源管理芯片为主到电源管理和信号链芯片全面发展同时重点业务正逐步从消费电子向通讯电子汽车电子及工业应用等领域过渡2021年公司在全球电源管理芯片的市占率约为043虚拟IDM模式中低压高压超高压BCD工艺平台彰显技术不可替代性同业上市公司采用Fabless业务模式而公司采取虚拟IDM模式是国内少数同时具备自主工艺制造技术和多产品线设计开发能力的模拟集成电路企业公司BCD工艺平台的持续精进将持续赋能通讯电子工业应用及汽车电子等领域的产品研发同时公司的募投项目持续精进BCD工艺平台电源管理芯片增长驱动力强劲汽车和通讯电子等持续赋能需求受益于物联网及5G时代应用领域的拓展及需求的增加TMR预计2026年全球电源管理芯片市场规模将扩张至约565亿美元其中全球汽车电源管理芯片市场规模预计从2020年的225亿美元扩张至2026年的378亿美元Yole预测CAGR为9增长潜力巨大同时募投项目持续助力公司布局汽车和通讯电子盈利预测我们预计公司2022-2024年营业盈利预测收入143214322亿元归母净利润单位百万20212022E2023E2024E营业总收入1042142921443221163052亿元首次覆盖给予推荐-15617371850035025评级归母净利润142162297519风险提示1上游原材料及零部件供应-15258140983617450EPS元039036067116短缺风险2下游需求不及预期风险ROE151551486213073产品研发及产业化应用不及预期风险PE00014495789445244各项营收增速不及预期风险PB000744680591资料来源Wind杰华特招股书灿瑞科技招股书TMR中商产业研究院Yole半导体行业观察方正证券研究所整理3目录1进入高速增长期重点业务正从消费向通讯工业等领域过渡2中低压高压超高压BCD工艺平台彰显技术不可替代性3募投持续赋能汽车电子等下游应用的渗透以及BCD工艺平台4盈利预测4股权结构稳定截至9月26日ZHOUXUNWEI和黄必亮合计控股4705股权为公司共同实际控制人图表公司股权结构图员工持股计划资料来源杰华特招股书方正证券研究所整理5公司进入高速增长期公司进入高速增长期公司2021年实现营收1042亿元同比156归母净利润为142亿元扭亏为盈公司2022年前三季度的营收与归母净利润分别为1040与109亿元电源管理芯片公司电源管理芯片包括DC-DC芯片线性电源芯片以及AC-DC芯片其中DC-DC芯片逐渐发力AC-DC芯片营收占比逐年下降主要系公司AC-DC芯片主要用于消费电子而公司逐步将业务重点向工业与汽车等其他应用领域过渡2021年开始公司线性电源芯片营收增长快速主要系新品量产以及与大客户展开合作信号链芯片目前占比较小营收增长主要系新产品的推出图表2018-2022Q1-Q3公司营收亿元图表2019-2022Q1-Q3公司归母净利润亿元120120104210402010010014215109367808010606005407267004025740198189052014537520101211670800006508000152025DC-DC芯片线性电源芯片AC-DC芯片电池管理芯片信号链芯片其他业务30270资料来源Wind杰华特招股书方正证券研究所整理6业务重点从消费电子向通讯电子汽车电子及工业应用等领域过渡随着公司消费电子应用领域业务的逐步稳定图表公司主要产品的平均销售价格情况电源管理芯片的持续迭代以及产品布局的不断单位元颗2019年2020年2021年2022H1拓展公司逐步将业务重点从消费电子向通讯DC-DC芯片018021032038电子汽车电子及工业应用等领域过渡AC-DC芯片024019026030汽车电子与新能源领域等国家战略性新兴行业线性电源芯片033031057050电池管理芯片103152177144将成为公司的重点市场发展方向信号链芯片156133145309注其中AC-DC芯片平均单价为剔除晶圆产品后图表2018-2022H1公司营收拆分DC-DC芯片平均单价逐年提升主要系产2022H1品型号的丰富应用领域向通讯电子计34151535算与存储及汽车电子拓展以及与客户合作的加强2021AC-DC芯片20年平均单价同比下降主要29131741系推出成本低产品且采取具有市场竞争力的定价策略后续年份平均单价提升主要系需求以及产品结构改善202012122056线性电源芯片21年平均单价提升较多主要系新产品实现量产单价较高的通讯电子产品占比高于单价较低的计算与存储20195112065电池管理芯片锂电池充电芯片采取业内领先的集成充电方案营收增长较快通讯电子汽车电子计算和存储工业应用消费电子信号链芯片收入提升主要系新品推出资料来源杰华特招股书方正证券研究所整理7综合毛利率稳步提高2022H1研发费用率2046随着线性电源芯片在通讯领域的新品的量产DC-DC芯片在通讯领域的产品进入大客户供应链并逐步放量市场需求的驱动以及产品结构的变化公司综合毛利率呈上升趋势2022前三季度实现综合毛利率4071扣除股份支付后2019-2021公司四费比率呈下降趋势2022H1管理费用率有所上升主要系公司营业规模增长需扩充人员2022H1公司财务费用率增长主要系支付较多产能保证金等原因使得公司银行贷款增加利息支出金额增长作为技术驱动型公司公司始终保持较高的研发费用率图表2018-2022Q1-Q3公司分业务毛利率拆解图表2018-2022H1公司相关费用率803070256023245020201840407115301020510002019202020212022H12022Q1-Q32019202020212022H1电源管理芯片AC-DC芯片DC-DC芯片-5线性电源芯片电池管理芯片信号链芯片销售费用率管理费用率综合研发费用率财务费用率资料来源Wind杰华特招股书方正证券研究所整理8供应商稳定品牌客户资源丰富公司不存在向单个供应商采购比例超过采图表公司主要产品发展阶段购总额50的情况且供应商稳定起步发展按需开发引领发展2020公司采购业务通常采用框架协议订单2013-20172018-2019至今的方式向供应商采购公司与前五大供产AC-DC芯片电源管理芯电源管理信号应商均签署重大采购合同2022年1月品为主片为主链芯片全面发展公司与中芯国际签署战略合作协议通讯电子汽车电子消费电子交换机等约定公司向中芯国际提供金额为33920通讯电子照明计算机和存储万元人民币的保证金以协助中芯国际为应物联网终端应用用机顶盒笔记本和台式机满足公司的产能需求持续投资扩充产能工业应用领电视机和板卡服务器合同有效期至2025年12月31日中大功率充电器域充电器工业应用消费电子移动电源工业控制系统图表公司2019-2022H1主要供应商及采购产品手机终端安防产品2022H12021年2020年2019年中芯国际中芯国际华润上华华润上华36262427供晶圆晶圆晶圆晶圆应长电科技长电科技长电科技长电科技17192119链封测封测封测封测体华润上华华润上华中芯国际世界先进812119系晶圆晶圆晶圆晶圆终通富微通富微世界先进通富微5687封测封测晶圆封测端华天科技晶导微晶导微新洁能客5676封测封测封测MOS户合计71707069竞合计万47564548002366517664争元对注中芯国际的关联方上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心有限合伙持有公司25988的股权手资料来源杰华特招股书方正证券研究所整理9目录1进入高速增长期重点业务正从消费向通讯工业等领域过渡2中低压高压超高压BCD工艺平台彰显技术不可替代性3募投持续赋能汽车电子等下游应用的渗透以及BCD工艺平台4盈利预测10虚拟IDM模式基于自有工艺进行芯片制造同业上市公司采用图表同业可比公司主要产品业务模式以及销售模式对比Fabless业务模式而公司主要产品业务模式销售模式公司采取虚拟IDM模圣邦股份电源管理和信号链芯片Fabless经销为主直销为辅式是国内少数同时芯朋微电源管理芯片Fabless经销为主直销为辅具备自主工艺制造技思瑞浦信号链和电源管理芯片Fabless经销为主直销为辅术和多产品线设计开力芯微电源管理芯片Fabless直销为主经销为辅发能力的模拟集成电艾为电子音频功放芯片和电源管理芯片等Fabless经销为主直销为辅路企业公司电源管理和信号链芯片虚拟IDM经销为主直销为辅图表IDMFabless以及虚拟IDM经营模式对比工艺灵活性无巨额建厂成本虚拟产品IDM产品Fabless产品设计设计厂商设计厂商IDM厂商需晶圆IC客需晶圆IC客需晶圆晶圆IC客求制造产品户求制造产品户求制造工艺产品户封装测试封装封装发明22测试测试018微米的7-55V中低压BCD工艺专利项018微米的10-200V高压BCD工艺新型17035微米的10-700V超高压BCD工艺专利项资料来源杰华特招股书上市公司公告方正证券研究所整理11模拟集成电路工艺目前应用于模拟集成电路的工艺包括图表BCD工艺的三大发展方向BCD工艺以及CMOS等其他工艺公司发展方向概述发展重点应用领域使用BCD工艺该工艺可以降低模拟芯在制程不断缩小的片的功耗减少不同模块之间的相互干高压通常可集成耐压情况下兼容低压控电子照明扰并降低成本BCD100-700V的器件制电路和耐高压功工业控制率器件DMOS现阶段BCD工艺的发展路径是More高功率通常应用于中等电压于降低成本及优化Moore和MorethanMoore齐汽车电子BCD大电流驱动等场景下功率器件结构等头并进即在重视制程的更新外亦聚高密度是指在同一芯片上集成更多样化的手机背光驱动焦于优化功率器件结构使用新型隔离高密度复杂功能并保证其运行的稳定性通常快充等消费电子BCD工艺等方向适用于电压范围为5-70V的器件类低电压场景图表模拟集成电路主要工艺概况工艺类型概述优点缺点主要应用以PNP和NPN型双极半导体噪声低精度高电流大集成度低功耗大Bipolar模拟信号处理为基础的集成电路制备步骤少价格低效率低互补式金属氧化物半导体集成度高功耗低逻辑运算CMOS低频低压属于单极性集成电路工艺简单与存储以双扩散MOS晶体管为基础对的集成电路耐压热稳定性好DMOS集成度低功率器件与CMOS结构类似但漏端击穿电压高噪音低同一芯片上集成Bipolar和CMOS集成度高灵敏度高工艺复杂BiCMOS混合信号处理两种工艺技术功耗低设计制备成本高同一芯片上集成BipolarCMOSDMOS集成度高功耗低BCD涉及复杂工艺和材料模拟芯片三种工艺技术功能丰富资料来源杰华特招股书意法半导体官网TSMC官网等方正证券研究所整理12中低压018微米的7-55V中低压BCD工艺公司自主研发的7-55V电压先进BCD工艺平台经过三期迭代目前已处于国际先进水平相关参数与某头部晶圆厂第三代工艺相近基于该工艺平台公司进行中低压全集成电源管理芯片的研发已量产诸如国内首款60A单芯片全集成芯片大电流POL等多个产品品类广泛应用于服务器人工智能通讯等领域下的低压大电流CPU供电场景图表公司各代中低压BCD工艺平台的技术特点平台情况以及研发进度和迭代情况第一代中低压BCD工艺平台第二代中低压BCD工艺平台第三代中低压BCD工艺平台客制化工艺平台优化核心精度LDMOS器件核心精度LDMOS器件减小寄生电容技优化工艺条件拓展击穿工作电压术模拟CMOS器件器件提升产品良率改善导通电阻特高精度双极结型晶体管点MTPOTP可编程器件系列IP齐纳二极管其他寄生无源器件7-55V7-35V基汽车电子本计算机通讯人工智能计算机通讯人工智能计算机通讯人工智能情035um首创性更大电流况覆盖超大电流研发2014年中-2016年中2018年初-2020年中2020年底-2021年底进工艺开发已完成度资料来源杰华特招股书方正证券研究所整理13高压018微米的10-200V高压BCD工艺公司自主研发的10-200V高压BCD工艺平台主要用于研发高压高可靠性芯片与主要晶圆厂相比公司高压BCD工艺的器件击穿电压BVBreakdownVoltage能力较强特别是在200V高耐压应用中具有明显优势基于该工艺平台公司已经量产多系列芯片如热插拔保护芯片以太网供电芯片桥式驱动芯片等广泛应用于通讯电子和工业应用等领域图表高压BCD工艺器件BV能力比较高压BCD工艺类别公司晶圆厂A晶圆厂B晶圆厂C晶圆厂D100VMOSBV150无110100100200VMOSBV230无无无无注上表数值为器件击穿电压数值越高代表器件的抗击穿能力越强其中200VMOSBV一般由模拟集成电路设计公司自研晶圆厂未建立相应标准工艺图表公司各代高压BCD工艺平台的技术特点平台情况以及研发进度和迭代情况第一代高压BCD工艺平台2017年中-2018年中第二代高压BCD工艺平台2020年中-2022年底优化器件结构设计和不增加掩膜层次技018微米CMOS工艺单步离子注入工艺100V开关应用开关型LDMOS器件术高性能逻辑LDMOS引入降低表面场技术创新特殊菱形源极结构设计特显著提升LDMOS器件击穿电压大幅提升安全工作区点10-100V10-200V基电池管理服务器新能源通讯工业电池管理服务器新能源通讯工业本情首创性国内支持通讯等级的高压工艺平台首创性国内支持新能源全电压范围需求的高压工艺平台况资料来源杰华特招股书方正证券研究所整理14超高压035微米的10-700V超高压BCD工艺公司自研的超高压BCD工艺平台适用于AC-DC系列产品的研发基于该平台已量产了诸如应用于高频GaN的ACF控制器等多款行业先进性产品公司的第三代超高压BCD工艺平台在晶圆面积电源效率及耐压等级等多项指标上达到或超过了部分国际知名厂商的公司产品并且该工艺的主要器件性能已优于部分主流晶圆厂的器件性能图表公司各代超高压BCD工艺平台的技术特点平台情况以及研发进度和迭代情况第一代超高压BCD工艺平台第二代超高压BCD工艺平台第三代超高压BCD工艺平台引入衬底终端技术缓解曲率效应进一步减少掩膜层次提高工艺控制能力和良率显著减少高压功率LDMOS器件面积降低工艺成本提高芯片集成度技采用降低表面场技术采用创新的可动离子电场屏蔽技术降低工艺成本术大幅提升核心高压功率明显提升核心高压功率LDMOS器件性特LDMOS的功率优值能及HTRB可靠性高压JFET器件的静电防护能力点抗浪涌性能减少现有高压集成工艺的掩膜版层次高性能高可靠性核心功率LDMOS进一步降低核心功率LDMOS优化成本解决照明应用中高失效率的痛点和难点比导通电阻基智能家居家电新能源本智能家居智能家居家电新能源情08um6寸晶圆工艺节点035um8寸晶圆工艺节点12寸晶圆工艺节点况研发2017年初-2018年中2018年中-2019年中2021年中-2022年中进工艺开发已完成度资料来源杰华特招股书方正证券研究所整理15DC-DC21年营收占比36产品覆盖5700V低中高全电压等级公司的DC-DC芯片兼具成本优势和性能优势基于与所需电压相匹配的自有工艺公司针对性进行电路设计实现晶粒面积小于竞品具备成本优势同时公司基于自研的DC-DC控制技术并结合下游终端设备的系统应用特点进行优化实现产品的高效率高可靠性以及良好的电源特性图表公司主要DC-DC类细分产品线情况芯片类别产品功能介绍主要应用领域主要性能指标功率密度高电磁干扰低主要用于将高输入电压转换为较低的输出电压通讯电子计算和存储降压转换器低静态功耗与高效率适用于对电源转换效率较为敏感的场景工业应用消费电子快速负载跳变动态反应简单易用可实现较低的输入电压主要用于将低输入电压转换为较高的输出电压通讯电子工业应用功耗低升压转换器适用于电池供电的场景消费电子功率密度高可实现关断功能在输入电压相对输出电压更高更低以及接近等不同输入输出范围宽计算和存储升降压转换器条件下均可提供稳定的输出电压低静态功耗与高效率工业应用消费电子适用于电池供电Type-CPD超级电容供电等场景功率密度高通过多相控制器和智能功率级模块的组合使用将多转换效率高多相控制器和智通讯电子个降压电路的输出并联使用从而输出数百安培到数电流精度高能功率级模块计算和存储千安培的电流适用于超大功率供电的需求实现温度采样资料来源Wind杰华特招股书方正证券研究所整理16DC-DC核心产品部分关键指标领先国际同类产品水平公司的DC-DC芯片具备完整的通讯和服务器电源解决方案和PC电源方案具备完整的通讯和服务器电源解决方案具备完整的PC电源方案65V大电流MOSFET集成降压芯片2019公司为仁宝电脑纬创应用于通讯和工业市场量产首创性股份英业达等全球头部笔记本代工厂的合格客100V大电流降压控制器芯片首创性供应商多个DC-DC户产品系列已进入戴尔用于CPU供电的智能功率级单芯片可2020惠普小米等知名终端模块SmartPower支持60A客户的供应链体系StageDrMOS输出电流图表公司部分DC-DC产品与国际竞品的关键性能指标对比情况DC-DC类产品-100V大电流降压控制器DC-DC类芯片-智能功率级模块应用于汽车电子通讯电子与工业应用领域应用于通讯电子计算和存储领域关键性能指标公司产品国际竞品一国际竞品二对比情况关键性公司产国际国际对比情况达到国际同类产能指标品竞品一竞品二电压范围V6-756-754-60品水平电压范达到国际同类产达到国际同类产3-163-1645-16驱动能力1590159021围V品水平品水平领先国际同类产驱动电压V7510V可选755关键负品水平达到国际同类产载范围高略低低静态电流达到国际同类产品水平6001800750的效率uA品水平达到国际同类产电压精度1115重载结达到国际同类产品水平低低中温品水平在10V驱动电压下领先国际同类产效率中等较低效率更高品水平资料来源杰华特招股书方正证券研究所整理17DRMOSMOSFET的节能高效之星DoctorMOSDRMOS是将HighSideMOSLowSideMOS及驱动IC三个原先分离的原件通过四方平面无引脚封装技术整合成高度集成电路化元件的节能技术三合一封装的DRMOS面积是分离MOSFET的14功率密度是分离MOSFET的3倍增加了超电压和超频的潜力并大幅降低寄生电容电感进而降低开关损耗达成卓越效率TraditionaldesignDoctorMOS减少能源浪费三高用电效率合超低电源应对高端主板严反应时间一苛超频工作封低阻抗特性增加系统稳定性装发热量低减少热能产生传统的CPUGPU电源供应器需使用三颗ICDriverhighsideMOSFETlowsideMOSFET然而这三个独立的IC分散在主板上彼此间的讯号传递路径很长操作频率无法太高因此若需在更高频的环境下操作是无法提供CPUGPU足够的动态电流DRMOS则是将上述三个独立原件封装在一个QFN中将大幅降低控制讯号的传递路径将可提高操作频率使用DRMOS的主板在相同的散热条件下温度及阻值更低展现更好的用电效率更省电此外透过DRMOS的超低电源反应时间及低阻抗特性主板也会有更好的超频表现资料来源百度百科中关村在线方正证券研究所整理18DRMOSMOSFET的节能高效之星DRMOS应用主要多用在CPUGPU供电服务器数据库5G等需要高频操作的应用凭借其将新型MOS和驱动其开关的电路集合于单晶片原理DRMOS缩短了开关切换时间具备更低的内部电阻及漏电流因此其动态响应速度更快发热量低无用功耗低功率密度更高这些特性使得DRMOS被广泛运用于PC主板图形卡笔记本电脑服务器路由器及存储器笔记本电脑服务器PC主板DRMOS图形卡存储器路由器资料来源豆丁网瑞萨集成功率器件DrMOS多芯片模块介绍宜锦科技官网方正证券研究所整理19多相控制器电源管理系统的智慧大脑多相控制器应用主要用在CPUGPUSoCASIC供电服务器与计算系统等需要大电流低电压快速瞬态响应和高频操作的应用数字多相控制器凭借自动环路补偿和自适应切相功能大大提升了多相变换器的效率因此能够更有效地解决大电流功率应用挑战大幅降低部件选择环路性能优化和布局等带来的负担这些特性使得数字多相控制器被广泛运用于汽车消费电子工业电信基础设施云计算等领域汽车消费电子云计算电信基础设施数字多相控制器是改善数据中心效率和尺寸电熔第一级电熔第二级第三级丝丝的关键技术随着用户对数据中心的需求越热插热插拔拔来越大提高数据中心尺寸和密度也变得迫LLC电DrMos内核在眉睫其中关键制约因素是服务器每个机源模块电感数字多架的功率限制提高工作电压是一种解决方相控制DrMos案但该方案必须同时满足高效率与小尺寸器因而无需任何外部元器件的数字多相控制器成为技术关键其带来的低成本与系统可降压BuckDDR调性使得该技术更具吸引力风扇资料来源MPS官网方正证券研究所整理20