投资要点
　　存储行业景气下行进入后半阶段，年内有望出现拐点。2022年，全球存储芯片市场规模约1334亿美元，占整个集成电路市场份额约23%。存储芯片由于标准化程度高，可替代性强，具备大宗商品属性，其价格变动可作为半导体景气度风向标。DRAM和NANDFlash作为主流产品，市场规模存在为期3-4年的周期性波动，上一行业景气度高点为21H2-22H1，当前正处于下行周期，我们预期2023年内行业有望恢复增长。
　　需求端仍有增量，关注消费复苏、服务器及算力提升机会。智能手机、服务器和PC为存储三大终端需求驱动力。2021年，DRAM位元需求中，智能手机占比约42%，服务器约38%，PC不足20%。手机、PC整体出货量见顶，但单机容量仍有提升空间；服务器受益于算力增长需求，例如ChatGPT等新兴下游出现，有望持续增长。智能汽车产业的发展也将贡献较高增速。
　　供给侧扩产放缓，关注海外大厂资本开支变动。2021年，DRAM领域，三星（43%）、海力士（28%）、美光（23%），CR3约94%；NAND领域，竞争格局相对分散，三星（34%）、铠侠电子（19%）、WDC（14%），CR3约67%。美光、海力士、三星资本开支从2006年开始持续波动上升，2022年底，美光宣布大幅削减23年资本开支30%，海力士缩减70%-80%，三星作为剩余变量为关注核心，其减产有望优化供需结构。
　　美光复盘：存储投资背后的“ASP—收入—毛利率—股价”传导。美光成立于1978年，是存储行业技术进步的重要推动者。公司历史上通过收购，缩小DRAM领域和三星差距；布局3DNAND新技术，实现快速增长。FY2022，美光来自DRAM和NAND的营收额分别为223.9亿美元、78.1亿美元。复盘公司股价，我们发现DRAM的ASP与毛利率为股价直接驱动要素，且相关性较强。公司股价已较长时间跑输SOX及纳斯达克指数，PB估值0.8-0.9倍位置安全边际较强。随着存储价格见底，有望迎来双击行情，带动整个产业链投资机会。
　　投资建议：看好行业价格触底带来的反转机会，建议关注IC设计公司（兆易创新、普冉股份、东芯股份）、模组公司（江波龙、佰维存储、德明利），海外建议关注美光/旺宏/华邦电/南亚科/宜鼎。
　　风险提示：需求复苏不及预期风险，产能过剩超预期风险，国产厂商技术进步较慢风险
　　

研究报告全文：证券研究报告行业深度报告半导体半导体行业深度报告海外观察系列十从美光破净看存储行业投2023年03月09日资机会证券分析师张良卫增持维持执业证书S0600516070001021-60199793zhanglwdwzqcomcn关键词TableTag困境反转研究助理卞学清执业证书S0600121070043投资要点TableSummarybianxqdwzqcomcn存储行业景气下行进入后半阶段年内有望出现拐点2022年全球存储芯片市场规模约1334亿美元占整个集成电路市场份额约23存行业走势储芯片由于标准化程度高可替代性强具备大宗商品属性其价格变半导体沪深300动可作为半导体景气度风向标DRAM和NANDFlash作为主流产品4市场规模存在为期3-4年的周期性波动上一行业景气度高点为21H2-0-422H1当前正处于下行周期我们预期2023年内行业有望恢复增长-8-12-16需求端仍有增量关注消费复苏服务器及算力提升机会智能手机-20-24服务器和PC为存储三大终端需求驱动力2021年DRAM位元需求-28-32中智能手机占比约42服务器约38PC不足20手机PC整2022382022772022115202336体出货量见顶但单机容量仍有提升空间服务器受益于算力增长需求例如ChatGPT等新兴下游出现有望持续增长智能汽车产业的发展也相关研究将贡献较高增速海外观察系列九景气向上供给侧扩产放缓关注海外大厂资本开支变动2021年DRAM领域从II-VI和Lumentum看光芯片三星43海力士28美光23CR3约94NAND领域竞争格局相对分散三星34铠侠电子19WDC14CR3国产化约67美光海力士三星资本开支从2006年开始持续波动上升2022-12-172022年底美光宣布大幅削减23年资本开支30海力士缩减70-海外观察系列八从安森美战80三星作为剩余变量为关注核心其减产有望优化供需结构略转型看碳化硅供需平衡表美光复盘存储投资背后的收入毛利率股价传导美光ASP2022-11-03成立于1978年是存储行业技术进步的重要推动者公司历史上通过收购缩小DRAM领域和三星差距布局3DNAND新技术实现快海外观察系列六从TI和ADI速增长FY2022美光来自DRAM和NAND的营收额分别为2239亿复盘看模拟芯片赛道的进攻性美元781亿美元复盘公司股价我们发现DRAM的ASP与毛利率和防守性为股价直接驱动要素且相关性较强公司股价已较长时间跑输SOX及纳斯达克指数PB估值08-09倍位置安全边际较强随着存储价格见2022-09-19底有望迎来双击行情带动整个产业链投资机会海外观察系列三美股激光雷达隐喻投资建议看好行业价格触底带来的反转机会建议关注IC设计公司兆易创新普冉股份东芯股份模组公司江波龙佰维存储德2022-05-02明利海外建议关注美光旺宏华邦电南亚科宜鼎海外观察系列一从wolfspeed风险提示需求复苏不及预期风险产能过剩超预期风险国产厂商技发展看碳化硅国产化术进步较慢风险2022-02-26表1公司估值以2023年3月8日收盘价计算美元人民币汇率取69收盘价单位为人民币总市值收盘价EPSPE代码公司投资评级亿元元2021A2022E2023E2021A2022E2023E603986SH兆易创新67910180350372403502725688766SH普冉股份721424180444688110SH东芯股份12428130591037627301308SZ江波龙26463902730180962335867数据来源Wind东吴证券研究所盈利预测为Wind一致预期139东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告内容目录1存储为半导体风向标DRAM和NAND为重要细分611存储器原理及分类612存储产业链构成613强周期大市场存储为半导体风向标7131存储市场空间大价格变动有效反应终端供需7132DRAM和NAND处于下行周期厂商集中度不断提高9133DRAMDDR4仍是目前主流DDR5有望提供新动能11134NANDFlash堆叠层数不断提高演进速度或将放缓122需求侧仍有增量关注服务器及算力提升机会1321智能手机服务器和PC为三大终端驱动力1322服务器CPU平台更新拉动未来DRAM需求增量1423智能手机PC出货量见顶平均容量仍有增长空间1524智能电动车带来主流与利基型存储第二曲线173供给侧扩产放缓年内有望现供需平衡拐点1831市场格局海外寡头垄断国内细分追赶1832三大厂商资本开支趋缓关注减产进度1933DRAM产能释放有限年内有望迎来价格拐点2034NAND整体供给略高未来价格上下波动214美光复盘从海外龙头看行业投资逻辑2241全球最大存储芯片企业之一持续技术创新推动行业标准2242公司具备强周期属性多重拟合阐释关联性本质2543重视技术与资产财务指标契合存储行业特征2844美光阶段性跑输指数有望迎来反转305全球重点公司梳理3151兆易创新Fabless芯片供应商存储器销售领先3152普冉股份专注非易失性存储器芯片聚焦NORFlash产品3153东芯股份专注于中小容量存储芯片定制化芯片构建核心竞争力3254江波龙聚焦存储领域营收稳定增长3255佰维存储专注于存储芯片嵌入式存储占比大3356德明利聚焦移动存储市场营收整体增长3457澜起科技内存接口芯片市占巨头产品获业内高度认可3558聚辰股份EEPROM产品份额领先专注集成电路设计3559旺宏电子深耕全球非挥发性内存整合元件NOR市场龙头企业36510华邦电专业内存集成电路公司布局利基型内存领域36511南亚科聚焦DRAM领域积极布局利基产品市场37512宜鼎国际工业级存储装置龙头企业布局工业级嵌入式产品领域376风险提示38239东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告图表目录图1存储行业产业链7图2全球半导体细分市场规模单位亿美元7图3全球半导体细分市场yoy7图4存储市场规模与集成电路市场规模单位亿美元8图5DRAM产品价格变化趋势单位美元8图6NAND产品价格变化趋势单位美元8图7DRAM全球厂商营收单位亿美元10图8NAND全球厂商营收单位亿美元10图9DRAM各厂商市场份额2021年10图10NAND各厂商市场份额2021年10图11DRAM市场竞争格局变化11图12NAND市场竞争格局变化11图13DRAM细分市场规模占比11图14DRAM主要厂商制程进展对比12图15NANDFlash细分市场规模占比12图16NANDFlash主要厂商制程进展对比13图17DRAM三大终端需求分布13图18NAND终端需求分布13图19全球服务器出货情况单位百万台14图20DRAM单台服务器位元需求单位GB14图21ChatGPT拉动算力增长测算15图22ChatGPT拉动存储需求增长测算15图23全球智能手机出货情况单位百万部15图24DRAM单部智能手机位元需求单位GB16图25全球PC出货情况单位百万台16图26DRAM单台PC位元需求单位GB17图27全球汽车销量情况单位万台17图28海力士三星美光是DRAM供给端三大厂商19图29NANDFlash市场多公司占据较大份额19图30美光海力士三星预计资本开支放缓19图31三星海力士美光扩产计划20图32DRAM位元供需分析20图33过度供给率与DRAM产品合约价强负相关20图34NANDFlash季度供求1Q03-4Q23百万GB21图353DNAND占比超过9521图36过度供给率与NANDFlash产品合约价强负相关21图37NAND位元供需分析22图38美光基本信息一览23图39DRAMNAND贡献美光95收入亿美元23图40美光各业务部门营收亿美元保持涨跌同步23图41美光股价复盘24图42营收变化受量价关系波动影响本质由供需情况决定25339东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告图43量价关系带来的营收变化主要反映在利润端26图44美光毛利率与其DRAM单价表现出高度拟合26图45美光收入端利润端股价表现之间存在高度拟合关系27图46DRAM产品的技术持续迭代升级28图47美光不吝投入大量资金进行产品开发28图48美光PPE长期占总资产50以上29图49美光保持了较为可观的资本开支29图50美光产能建设产品研发的节奏调整与行业景气度相关29图51美光PB估值与DRAM现货价格高度相关30图52美光与SOX指数比较30图53美光与纳斯达克指数比较30图54兆易创新营收及增速31图55兆易创新存储芯片销售收入占比逐年降低31图56普冉股份营收及增速31图57普冉股份销售收入以NORFlash产品为主31图58东芯股份营收及增速32图59东芯股份毛利率及净利率32图60江波龙嵌入式存储营收占比最高32图61江波龙移动存储和嵌入式存储系列毛利率较高32图62江波龙营收及增速33图63江波龙毛利率及净利率33图64佰维存储营收及增速33图65佰维存储收入来自嵌入式存储和消费级存储33图66佰维存储毛利率及净利率34图67佰维存储嵌入式存储毛利率整体较高34图68德明利销售收入主要来自存储模组34图69存储卡模组毛利率较高34图70德明利营收及增速34图71德明利毛利率及净利率34图72澜起科技营收及增速35图73澜起科技毛利率长期处于较高水平35图74聚辰股份EEPROM营收比重高35图75聚辰股份EEPROM毛利率总体较高35图76旺宏营收及增速36图77旺宏毛利率及净利率36图78华邦电子营收及增速36图79华邦电子毛利率及净利率36图80南亚科营收及增速37图81南亚科毛利率及净利率37图82宜鼎营收及增速37图83宜鼎毛利率及净利率37表1存储器产品分类6439东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告表2DRAM产品价格现状9表3NANDFlash产品价格现状9表4存储行业竞争玩家图谱18表5美光通过四个不同部门报告运营情况24539东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告1存储为半导体风向标DRAM和NAND为重要细分11存储器原理及分类存储器原理存储器通过使用地址编址和电子静态存储技术实现存储和读取数据通常被组织成一个二维矩阵其中的每个单元称为一个存储位置在计算机需要读取或写入数据时向存储器发送地址信号通过数据总线与存储器进行数据的传输存储器分类存储器按存储介质可以分为光学存储器半导体存储器以及磁性存储器其中半导体存储器主要基于半导体技术通过电线控制电信号的流量来存储和读取数据表1存储器产品分类数据来源SIAICinsights东吴证券研究所半导体存储器按照掉电后数据是否保存分为易失性存储和非易失性存储易失性存储主要以随机存储器RAM为主分为SRAM和DRAM两类SRAM静态随机存储器不需要周期性地刷新SRAM速度比较快但成本也较高是利基产品DRAM动态随机存储器需要周期性地刷新它的速度较慢但成本较低目前市场上主流RAM产品是DDR4广泛应用于个人电脑服务器等计算机系统非易失性存储是一种只读存储器存储的数据不能被修改或删除最常见的是NANDFlash和NORFlashNANDFlash是Flash存储器主流产品占据近95市场份额具有容量大成本低速度快等优势广泛应用于消费类电子产品如手机平板电脑数码相机等NORFlash主要优点是读写速度快主要应用于特殊用途设备如军事航空航天工业控制12存储产业链构成存储产业链分为四个环节存储晶圆颗粒主控芯片制造封装测试及模组厂商集成存储晶圆颗粒是存储器核心部分存储产品中的所有数据和信息均存储在晶圆颗粒639东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告中主控芯片是存储器的控制中心负责存储器的读写操作封装测试是将存储晶圆颗粒和主控芯片封装在一起并对整个存储器进行测试和调试模组厂商集成将存储器与其他电子组件组合在一起形成最终产品图1存储行业产业链光罩晶圆制造存储晶圆颗粒硅模组厂商集成内存或闪存模组主控芯片制造主控芯片设备封装测试数据来源东吴证券研究所绘制13强周期大市场存储为半导体风向标存储市场规模大波动性强是半导体与消费电子行业的重要风向标图2全球半导体细分市场规模单位亿美元图3全球半导体细分市场yoy数据来源WSTS东吴证券研究所数据来源WSTS东吴证券研究所131存储市场空间大价格变动有效反应终端供需存储是集成电路产业中收入占比第二的子品类2021年约28其中RAM随机性存储器和ROM只读存储器是存储产业中最重要的两个类目两者下属的DRAM动态随机存储器和NANDFlash闪存则是整个存储产业中最重要的细分产品2022年全球存储芯片市场规模约1334亿美元占整个集成电路市场份额约232018年是半导体行业上一轮景气度高点该年存储器占据了整个集成电路市场份额331尽管2020年后存储器周期下行未能追赶上逻辑芯片飞速增长的势头但存储芯片仍作为集成电路占比第二大的品类占据着产业核心地位对半导体与消费电子行业的景气度有着重要的指向作用全球存储芯片市场中约95由DRAM和NANDFlash构成DRAM动态随机存储器也称内存是一种易失性存储器RAM通电时资料存在断电则造成资料流失主要用于处理芯片的数据暂存NANDFlash又称闪存是非易失性存储器ROM断电时数据仍然可以保留通常应用与大容量外部存储739东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告图4存储市场规模与集成电路市场规模单位亿美元存储器市场规模亿美元集成电路市场规模亿美元存储器市场规模占比右轴560040480030400032002024001600108000020022004200620082010201220142016201820202022数据来源WSTS智研咨询东吴证券研究所存储芯片具备大宗商品特征短期内供需错配导致其价格周期性波动明显存储芯片的技术标准化程度高各厂商的同类产品间有较高的替代性正因此存储产业中各大龙头都能够对市场供给造成显著影响但单一厂商又无法做到完全左右市场的供求与产品价格而在这种竞争格局下某一厂商的产能调整会迅速引起其他厂商跟随进而导致存储芯片市场中产能过剩和产能不足的放大引起供需关系的周期性变动从而决定了存储行业的强周期属性而供求关系又会非常直观地反应在存储产品的价格上从而导致短期内存储产品的价格基于供求关系呈现周期性波动一轮循环通常为3-4年而从长期来看存储芯片价格遵循摩尔定律呈逐步下降的趋势图5DRAM产品价格变化趋势单位美元图6NAND产品价格变化趋势单位美元数据来源DRAMeXchange东吴证券研究所数据来源DRAMeXchange东吴证券研究所存储芯片买方市场特征显著价格变动有效反应终端需求变化存储芯片与处理器芯片相比标准化程度高且成本要求高各厂商的同类产品间有较高的替代性因而具备更显著的买方市场特征同时由于存储芯片商用程度高其价格也就能够更直观的反应终端需求的变化合约价反映大厂的一致预期现货价反映渠道供求关系存储价格分为合约价和现货价两种合约价格ContractPrice是指一线OEM如AppleSony联想等手机与PC企业二线OEMAdataPQI等中国台湾模组厂和通路代理商向存储原厂三星海力士美光等订货的价格各厂商订货的价格不一通常每月更新两次每月的5-10号和20-25号更新一次反映的是大型OEM和原厂对于后市价格与供求关系的预期协调现货价格SpotPrice是现货市场上流通的现货价格现货一般经由二线OEM和代理商流入市场进而由各通路炒卖形成现货市场及均衡价格每个工作日持续进行839东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告交易现货价格受市场供求关系变化市场预期等综合因素影响大周期波动性强现货价可以即时反映市场变化而合约价因间隔时间较长对市场反应要慢一些短期供求与远期预期分别对应的合约价与现货价也存在着相互影响表2DRAM产品价格现状DRAM现货平均价美元类型型号2023年1月20日2022年1月20日同比DDR416Gb2Gx82666Mbps398768-4818DDR48Gb1Gx82666Mbps188375-4987主流DRAMDDR48Gb1Gx8eTT141269-4758DDR416Gb2Gx8eTTMbps298539-4471DDR34Gb512Mx8125280-5536利基DRAMDDR48Gb512Mx162666Mbps183403-5459DRAM合约平均价美元类型型号2022年11月2021年11月同比DDR48Gb1Gx8221371-4043DDR416Gb2Gx8455768-4076主流DRAMDDR58GBSO-DIMM2463DDR416GBSO-DIMM3840DDR48GBSO-DIMM1970DDR44GB256Mx16150252-4048利基DRAMDDR34GB256Mx16167250-3320数据来源DRAMeXchange东吴证券研究所表3NANDFlash产品价格现状NANDFlash现货平均价美元类型型号2023年2月9日2022年2月9日同比MLC64Gb8GBx83883341614主流NAND3DTLC256Gb235294-2010SLC2Gb256MBx8114118-305利基NANDSLC1Gb128MBx8096111-1342MLC32Gb4GBx8216209311NANDFlash合约平均价美元类型型号2022年12月2021年12月同比NAND128Gb16Gx8MLC414481-1389主流NANDNAND64Gb8Gx8MLC298300-057利基NANDNAND32Gb4Gx8MLC259252266数据来源DRAMeXchange东吴证券研究所132DRAM和NAND处于下行周期厂商集中度不断提高由于存储行业固有特征作为最主要产品的DRAM和NANDFlash的市场规模也存在着明显的周期性波动通常遵循3-4年为一个波动周期存储行业上一次景气度高939东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告点为2021年当前正处于下行周期有望于2023年底重新恢复增长态势图7DRAM全球厂商营收单位亿美元数据来源ICInsightsDRAMeXchange东吴证券研究所图8NAND全球厂商营收单位亿美元数据来源中国闪存市场东吴证券研究所DRAM竞争格局优于NAND整体寡头垄断格局稳定根据2021年数据在DRAM的行业份额中三星4303海力士2838美光2273CR3约94NAND的行业份额中三星34铠侠电子19WDC14CR3约67海力士13美光11英特尔6CR6高达97总体来看DRAM行业集中度更高竞争格局优于NAND图9DRAM各厂商市场份额2021年图10NAND各厂商市场份额2021年数据来源DRAMeXchange东吴证券研究所数据来源中国闪存市场东吴证券研究所从厂商长期竞争格局变迁来看DRAM市场经历了一个较为长期的竞争过程才形成了如今三寡头垄断的市场格局在2005年三星电子海力士和美光只能占到DRAM市场60的份额经过长期的并购整合不断提高市场集中度到2013年美光收购尔必1039东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告达后三家公司能够始终占据90以上的份额市场竞争格局稳定目前存储行业三巨头占整个DRAM市场份额94不同于DARM行业集中度经历了长期由低到高的发展进程NANDFlash一直是集中度相对较高的行业截至1996年全球NAND大厂现在已多半退出市场新晋厂商通过技术突破占据了稳定的市场份额2005年CR6就已经高达98到2021年CR6约为97前六家厂商合计市占率长期稳定在95NAND行业集中度一直处于较高水平各玩家间呈现出一定的并购整合趋势但目前为止寡头垄断格局仍然处于稳定状态图11DRAM市场竞争格局变化图12NAND市场竞争格局变化数据来源IDC东吴证券研究所数据来源IDC东吴证券研究所133DRAMDDR4仍是目前主流DDR5有望提供新动能DRAM可分为同步存储SDRAM和异步存储其中主流产品SDRAM已经迭代了SDRSingleDataRateSDRAMDDR1DoubleDataRate1SDRAMDDR2DDR3DDR4DDR5六代并据三星预计有望在2024年前设计出DDR6图13DRAM细分市场规模占比数据来源TrendForceYole东吴证券研究所参考DDR产品以往渗透率变化Mircon23Q1业绩指引预计服务器和PC端DDR5渗透率在2024年中可达到50超越DDR4成为DRAM需求主要驱动力因此我们预期当前DRAM正处于DDR4向DDR5的过渡阶段预计DDR5可在2026年前基本完成对DDR4的替代每次产品迭代都会带来芯片性能得到显著提升例如从DDR4到DDR5的产品发展来看可以总结出DDR5相较于DDR4显著的性能提升1更快速度DDR5的频率从4800MHz起跳2更低能耗IO电压从12V降低至11V3更优电源管1139东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告理DDR5集成电源管理IC而DDR4需要主板4更高带宽单根DDR5内存使用双通道单根DDR4只占用单通道5更高效率DDR5的突发终止和突发长度分别扩展到8和16bit6更高容量单芯容量从2GB提升到8GB单根内存条最大256GB7更加可靠DDR5支持ECC纠错对于企业级服务器客户来说可靠性和扩展性更高目前DRAM市场主流仍是DDR4在2021年占90DDR-DDR3合计占比10在DRAM领域以三星美光科技为代表的大厂正在不断加速制程升级三星在2022年10月的SamsungFoundryForum上宣布将进入1bnm工艺阶段美光科技2022年11月宣布将采用全球先进技术节点的1DRAM并计划在23年实现量产1xnm相当于16-19nm1ynm相当于14-16nm1znm相当于12-14nm11对应更小的制程图14DRAM主要厂商制程进展对比数据来源Trendforce东吴证券研究所134NANDFlash堆叠层数不断提高演进速度或将放缓NANDFlash技术标准经历了2D到3D的阶段在2DNANDFlash时代NANDFlash的存储密度随晶体管尺寸向下微缩而不断提高但当密度提高到一定程度NANDFlash中存储的电荷数量受限读写容量难以提升耦合效应和干扰同样问题严重图15NANDFlash细分市场规模占比数据来源Yole东吴证券研究所1239东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告图16NANDFlash主要厂商制程进展对比数据来源Trendforce东吴证券研究所NANDFlash逐渐从二维平面过渡至三位堆叠结构在3DNANDFlash时代堆叠层数成为NANDFlash新标准200层之下各代产品中各大原厂都推出相同或近似堆叠层数的3DNANDFlash且技术迭代速度与产能扩大速度呈现不断加速趋势但进入200层竞争后各原厂堆叠层数开始出现大规模分歧存储工艺更突显复杂化趋势三星投资1000亿美元以期维持技术领导者地位考虑到NANDFlash各玩家技术研发投入与营收利润的平衡存储工艺堆叠方式的复杂化趋势预计NANDFlash高速迭代的趋势受挫层数演进速度或将逐渐放缓2需求侧仍有增量关注服务器及算力提升机会21智能手机服务器和PC为三大终端驱动力智能手机服务器和PC是存储三大终端需求驱动力在三者中2021年智能手机DRAM位元需求占比最大约为42服务器DRAM位元需求占比为38略逊于智能手机PC占比不足20但从未来需求预测来看2022年服务器DRAM位元需求占比有望达到49超过智能手机成为DRAM最大终端需求驱动力在NANDFlash方面据TrendForce预估2023年智能手机仍为NANDFlash市场终端第一大需求占比38PC和服务器分别占比21和23虽然2021年汽车存储整体市场规模仅为手机存储市场的十分之一但在智能网联汽车发展大趋势下汽车存储领域发展迅速有望为存储行业提供新的增长动能根据佐思汽研预测2021-2027年复合增长率将达186图17DRAM三大终端需求分布图18NAND终端需求分布数据来源IDCTrendForce东吴证券研究所数据来源Trendforce东吴证券研究所1339东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告22服务器CPU平台更新拉动未来DRAM需求增量新一代服务器CPU平台刺激换机需求助推服务器需求增长拉动DRAM需求未来增量22Q3服务器出货量同比下滑15但23年服务器CPU更新将再度拉升终端需求Intel新一代代号为SapphireRapids采用10nm制程的第四代至强可扩展处理器有望于23Q1规模量产且亚马逊谷歌Meta和微软等科技公司计划采购基于SapphireRapids的新平台可预期SapphireRapids投放市场将会提振服务器DRAM的终端需求另一厂商AMD新一款Zen4架构Genoa处理器也于2022年底前出货到OEM大厂明年将推出针对原生云计算的Bergamo技术及数据库运算的Genoa-X以及边缘终端及电信基建的Siena等处理器争夺DDR5服务器市场份额各大厂商陆续推进换机进程有望进一步推动DRAM市场需求的增加图19全球服务器出货情况单位百万台数据来源IDC东吴证券研究所DDR5渗透率的提高带动DRAM单台服务器位元需求快速增长预估2022年增速约42由于NANDFlash相较于DRAM更具价格弹性目前供过于求状态下经历了均价连续多季下滑可预期DDR5渗透率的提升将刺激服务器市场单台位元需求增长TrendForce预估2023年enterpriseSSD平均容量年成长率为26图20DRAM单台服务器位元需求单位GB700600500400300200100020182019202020212022数据来源TrendForce东吴证券研究所ChatGPT带动算力规模大幅提升ChatGPT发布之后迅速引起全球范围的广泛关注各大厂商也相继宣布GPT模型开发计划以GPT模型为代表的大模型训练和应用带来底层算力需求的显著提升相应地需要大量AI芯片为其提供算力支撑训练AI模型需要规模庞大的数据集在AI芯片中存储的数据越多训练大模型的速度就越快训练准确度也更高因此算力规模的提升最终将带动存储芯片的需求增长1439东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告为测算ChatGPT对存储芯片的拉动首先需要测算ChatGPT对带动的算力增长算力需求的增长主要来自训练和推理两方面分短期和远期测算短期仅考虑ChatGPT和Bing用户访问远期则把Google百度等搜索引擎的用户访问也纳入考量基本假设包括短期日度访问量为6000万次ChatGPT-2000万次Bing-4000万次远期日度访问量为35亿次Google-30亿次百度-2亿次其他-3亿次每次访问平均提问次数为8次平均每个回答生成词数为50词训练使用数据量为推理生成数据量的1GPU算力利用率为35经过测算ChatGPT短期远期拉动算力增量分别为8652E215047E23TFLOPS进一步地以NVIDIAA100产品为基准假设GPU算力为195TFLOPSs单个GPU堆叠8个DRAM芯片则短期远期拉动DRAM需求增量分别为1173846847104个AI应用正不断加快发展进程和商业化进程大模型已成为各大行业巨头的重要发力方向随着模型参数的增加和相关市场的持续渗透服务器和存储芯片需求量将得到进一步提升存储行业有望持续收益图21ChatGPT拉动算力增长测算图22ChatGPT拉动存储需求增长测算数据来源SililarwebStatistaMSNLanguage数据来源Nvidia官网SK海力士官网东吴证券研ModelsareFew-ShotLearners东吴证券研究所究所23智能手机PC出货量见顶平均容量仍有增长空间22Q4全球智能手机出货量仅为30亿部同比下跌18全年销量仅1198亿部同比下滑12智能手机市场增长动力不足面临较大压力图23全球智能手机出货情况单位百万部数据来源TrendForce东吴证券研究所1539东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告随手机容量规格提升智能手机DRAM单机位元需求年成长仍能维持一定增长据TrendForce预估2023年mobileDRAM单机搭载容量年增速约5智能手机NANDFlash方面5G智能手机渗透率逐步提升叠加应用面高像素拍摄需求带来的更大存储容量配置同时iPhone产品组合仍全线向更高容量升级Android高端机种也跟进将512GB做为标准配备中低端机种储存空间则随硬件规格持续升级而提高整体智能手机市场平均位元需求仍有增长空间预估2023年NANDFlash单台智能手机位元需求仍能维持221的高水平增长图24DRAM单部智能手机位元需求单位GB65432102010201120122013201420152016201720182019202020212022数据来源TrendForceCounterpoint东吴证券研究所22Q4PC出货量为6740万台同比下跌281全年销量285亿台比需求高峰2021年下滑16但与疫情前2019年相比全年出货量增长了7处于正常水平但预期未来成长空间较小从各类应用来看高通胀持续冲击消费市场需求故优先修正库存是品牌的首要目标尤其前两年面对疫情造成的上游零部件缺料问题品牌超额下订叠加渠道销售迟缓使得目前笔电整机库存去化缓慢造成2023年笔电需求将进一步走弱图25全球PC出货情况单位百万台数据来源IDC东吴证券研究所PCDRAM方面由于LPDDR5与DDR5持续渗透DDR4与LPDDR4X于PC端应用的比重将进一步降低但当前DDR5的价格仍相对较高高额的定价或将成为限制PC单机搭载容量成长的一大因素预估2023年PCDRAM单机搭载容量年增速约7但若明年DDR5原厂下调价格转趋积极则可能带动单机搭载容量年增长上升至9取决于DDR5相较于DDR4的溢价空间能否有效收敛PCclientSSD方面预估平均搭载容量仅小幅上升11为近三年来最低主要是1639东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告过去两年疫情使笔电出货大增同时也带动SSD搭载率增加单台平均容量受过去SSD主控IC供应吃紧影响积极推升平均容量成长由于近两年笔电整机成本受到零部件涨价而不断提高2023年PC品牌厂都规划较为保守的SSD容量位元需求预估PC方面NANDFlash单机平均位元需求增长较小图26DRAM单台PC位元需求单位GB12108642020182019202020212022数据来源TrendForce东吴证券研究所24智能电动车带来主流与利基型存储第二曲线2022年全球汽车销量为8105万台同比下跌198TrendForce预估2023年全球汽车市场有望恢复增长态势达8410万台实现年增长率38图27全球汽车销量情况单位万台数据来源TrendForce东吴证券研究所高等级自动驾驶汽车对车载存储容量密度和带宽需求大幅提升目前L1-L2级自动驾驶汽车主要采用LPDDR3或LPDDR4带宽需求25-50GBs而对于L3级自动驾驶带宽要求提升至200GBsL4级自动驾驶带宽要求进一步上升到300GBsL5级自动驾驶带宽要求达到500GBs以上预计将选用更高带宽的LPDDR5GDDR6以简化系统设计当前车载市场中主要的存储应用包括DRAMDDRLPDDR和NANDeMMC和UFS等低功耗的LPDDR和NAND将成为主要增长点负责芯片启动的NORFlash需求也将持续提升智能驾驶等级提升对专门用于车载ADAS浮点计算芯片的RAM产品GDDR的需求量也将有直接影响更加强大的传感器和ADASAD集成系统中央计算机和数字驾舱事件记录系统端云计算整车FOTA等要求存储空间走向TB级存储密度和带宽大幅提升自动驾驶汽车内外感知设备不断增加包括前置摄像头内1739东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告视摄像头高分辨率成像雷达LiDAR等也将大量使用高密度NORFlashQSPIxSPI等用于芯片启动DRAMLPDDR34LPDDR5GDDR等都为汽车存储市场提供了强大的增长动能据Counterpoint预测未来十年单车存储容量将达到2TB-11TB以满足不同自动驾驶等级的车载存储需求2022年车规级和工业类产品仍占据年度热度较的品类TIWolfspeed等半导体原厂巨头均在22Q4日历年的业绩会上发表声明称公司将会将未来的战略重点放在工业和汽车产品上我们的工业和汽车品类客户正在越来越多的转向模拟技术和嵌入式技术这种趋势已经导致并将继续导致车载存储位元需求的快速增长并可预计这种上涨将明显快于其他市场的增长半导体原厂与下游企业向汽车存储芯片领域的战略倾斜或许预示着汽车存储将快速成长为存储行业终端需求的一大支柱为主流存储芯片和利基型存储芯片带来增长动力3供给侧扩产放缓年内有望现供需平衡拐点31市场格局海外寡头垄断国内细分追赶表4存储行业竞争玩家图谱数据来源ICinsights东吴证券研究所全球存储芯片市场被海外企业垄断DRAM领域三星美光SK海力士垄断了近95的市场份额行业集中度高寡头明显NAND领域竞争格局较为分散头部企业为三星恺侠西部数据美光科技英特尔紧随其后NOR领域中国台湾企业旺宏电子华邦及大陆企业兆易创新近五年来市占率位于全球前三2022年三家公司合计市占率达到907NOR领域海外企业垄断程度最低总体而言存储芯片行业现有竞争者数量较少行业集中度较高在技术领域的竞争较为激烈大部分市场被国外寡头垄断国内公司处于相对落后的位置但已在各个细分市场展开追赶三星海力士美光三大厂商在DRAM供给端占据龙头地位根据Gartner三大厂商出货量占比超过95三星占比最高份额长期在40以上海力士占比约为30美光占比超过201839东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告图28海力士三星美光是DRAM供给端三大厂商数据来源Gartner东吴证券研究所NANDFlash市场竞争较DRAM更加激烈NANDFlash供给端存在三星铠侠美光西部电子海力士等多家厂商占据较大份额三星占比最大超过30其次为铠侠占比为20左右美光西部电子海力士占比相差较小均为10-15存在小幅波动图29NANDFlash市场多公司占据较大份额数据来源Gartner东吴证券研究所32三大厂商资本开支趋缓关注减产进度美光海力士三星三大厂商预计资本开支增速缓慢2006年之后美光海力士三星资本支出整体呈增长趋势略有下降2016-2020年出现较大波动2020年后波动较小整体增速放缓图30美光海力士三星预计资本开支放缓数据来源Omdia东吴证券研究所2022年后三大厂商扩产计划放缓2022年底美光宣布减产2023年DRAM的位元供应量或为负增长NAND的位元供应量增长率可能为个位数2022年后可投产1939东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告的新建工场较少三大厂商扩产计划整体放缓图31三星海力士美光扩产计划数据来源闪存市场IT之家CSIA东吴证券研究所整理33DRAM产能释放有限年内有望迎来价格拐点图32DRAM位元供需分析1Q212Q213Q214Q211Q222Q223Q224Q221Q23E2Q23E3Q23E4Q23E1Q24E2Q24E3Q24E4Q24E行业供给百万GBDRAM总供给57591602916130562449649967078667905752567420274222786957904778295825048792191867QoQ4717194189-41108-14006004-10546645总出货量57591602916130561249619666542658355642566305266472739257904778295825048792191867QoQ4717-011256-108101-195411269-10546645美光13601125811352513274149021521514214142141378714201156211655816889185781913519518QoQ-7575-1912321-6600-303010060201003020三星24011268922743026059265802790923025276302707728702324333502834677369314062442960QoQ12020-502050-175200-206013080-106510058海力士17481182681790319424178701965818675196081921620369228132441023788241722538026649QoQ45-2085-80100-5050-206012070-25165050其他2497255024472491261326452442280429723200305830512941282327812739QoQ21-40184912-771486077-45-02-36-40-15-15供应商单位冗余库存总量0000001200303053609550110001115077504770NANANANANAQoQ000000152576978215214-305-385-----市场需求百万GBDRAM总需求588416319162305612496196665426583556307864613694367878784881850479035997649101757QoQ74-14-171256-1088124751357702628142过度供给率-21-46-1620498216419314869-01-69-79-87-100-97NAnotapplicable注其他包括南亚CXMT精英半导体存储器技术钰创科技兆易创新半导体英见华邦电子等数据来源Gartner东吴证券研究所整理DRAM供给增速慢于需求增速23Q3有望达到平衡随着消费类产品去库存整体消费能力和信心回升2023年DRAM需求端有望重新恢复DRAM供给端关注三星扩产动作我们认为过度供给率将呈下降趋势带动整体行业价格触底回升过度供给率与DRAM产品合约价逆向相关DRAM产品LPDDR4X8GLPDDR58GBLPDDR4X64GB32GbeMCLPDDR4X128GB64GbuMCP合约价近两年呈现持续下降趋势可密切关注回升情况图33过度供给率与DRAM产品合约价强负相关数据来源GartnerBERN东吴证券研究所2039东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分