IGBT是电力电子装置的"CPU"，新能源大发展的基石。IGBT集合MOSFET及BJT两种功率半导体元器件的优点（驱动功率小、开关速度快，同时具有驱动电路简单、电流大、损耗小等优点），因此被广泛应用于工业控制、新能源汽车、光伏风电、变频白电、智能电网以及轨道交通等领域。IGBT是发展新能源行业的基石，是实现“双碳”战略必不可少的核心元器件。
　　我国"双碳"政策持续落地，新能源需求激增助推IGBT行业迈向新高度。依附双碳政策，我国新能源汽车渗透率快速提升及清洁能源快速发展，国内IGBT企业持续受益，这是IGBT最大的市场增量来源。数据显示，2021年我国IGBT产量为2580万只，同比增长27.7%，需求量为13200万只，同比增长20%，尽管国产化产量增速高于需求量增速，但国产化率仍不足20%，国产化产品供需缺口巨大。双碳战略带来的新能源增量需求，叠加存量市场的国产化替代需求，将为本土IGBT市场带来巨大增长空间。
　　 IGBT技术迭代缓慢附加疫情影响等，助力IGBT国产化进程加速。首先，由于IGBT对安全性和稳定性的要求严格，替换成本高，从而导致IGBT更新换代频率和产品生命周期长，有利于本土企业技术追赶；其次，2020年开始的新冠疫情，扰动海外IGBT大厂对中国的供应链，进一步加剧了国内IGBT需求缺口严重程度，国内IGBT下游客户纷纷转向本土供应商，倒逼本土IGBT下游客户加速国产化IGBT的产品认证，国产替代意愿持续提升，助力推动国产化进程加速。
　　结论与推荐。IGBT作为新能源行业重要的核心元器件之一，近年来，随着我国双碳政策的逐步推广落地，以及新能源行业的大发展，本土IGBT企业将持续受益，新能源大发展的东风，带来了IGBT大增长的春天。一方面，我国是全球最大的IGBT需求市场，产业具有较大的发展前景，但我国IGBT自给率不足20%，国产替代仍有较大的提升空间；另一方面，本土IGBT产品性能已经逐渐成熟，且部分产品性能可对标海外IGBT大厂产品，加速国产化IGBT产品市场渗透，逐步切入高端市场。重点关注车规级IGBT及第三代半导体功率器件企业的斯达半导、时代电气，建议关注：新洁能、士兰微、宏微科技等相关公司。
　　风险提示：国产替代不及预期、新能源产业发展不及预期、宏观经济波动风险、国家政策调整风险，技术更新迭代风险等。

研究报告全文：行业研究TableReportdate2022年12月27日tableinvestTableNewTitleIGBT标配借新能源大发展的东风迎接大增行业长的春天深电子IGBT行业深度报告tablemain度证券分析师TableAuthors投资要点周啸宇S0630519030001zhouxiaoylongonecomcnIGBT是电力电子装置的CPU新能源大发展的基石IGBT集合MOSFET及BJT两种功电联系人率半导体元器件的优点驱动功率小开关速度快同时具有驱动电路简单电流大损子陈宜权耗小等优点因此被广泛应用于工业控制新能源汽车光伏风电变频白电智能电网chenyqlongonecomcn以及轨道交通等领域IGBT是发展新能源行业的基石是实现双碳战略必不可少的核tablestockTrend心元器件50我国双碳政策持续落地新能源需求激增助推IGBT行业迈向新高度依附双碳政策我-5国新能源汽车渗透率快速提升及清洁能源快速发展国内IGBT企业持续受益这是IGBT-10-15最大的市场增量来源数据显示2021年我国IGBT产量为2580万只同比增长277-20需求量为13200万只同比增长20尽管国产化产量增速高于需求量增速但国产化率-25仍不足20国产化产品供需缺口巨大双碳战略带来的新能源增量需求叠加存量市场-30的国产化替代需求将为本土IGBT市场带来巨大增长空间-35-40IGBT技术迭代缓慢附加疫情影响等助力IGBT国产化进程加速首先由于IGBT对安全-45性和稳定性的要求严格替换成本高从而导致IGBT更新换代频率和产品生命周期长有利于本土企业技术追赶其次2020年开始的新冠疫情扰动海外IGBT大厂对中国的供电子沪深300应链进一步加剧了国内IGBT需求缺口严重程度国内IGBT下游客户纷纷转向本土供应商倒逼本土IGBT下游客户加速国产化IGBT的产品认证国产替代意愿持续提升助力推动国产化进程加速相关研究tableproduct结论与推荐IGBT作为新能源行业重要的核心元器件之一近年来随着我国双碳政策的逐步推广落地以及新能源行业的大发展本土IGBT企业将持续受益新能源大发展的东风带来了IGBT大增长的春天一方面我国是全球最大的IGBT需求市场产业具有较大的发展前景但我国IGBT自给率不足20国产替代仍有较大的提升空间另一方面本土IGBT产品性能已经逐渐成熟且部分产品性能可对标海外IGBT大厂产品加速国产化IGBT产品市场渗透逐步切入高端市场重点关注车规级IGBT及第三代半导体功率器件企业的斯达半导时代电气建议关注新洁能士兰微宏微科技等相关公司风险提示国产替代不及预期新能源产业发展不及预期宏观经济波动风险国家政策调整风险技术更新迭代风险等证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度正文目录1IGBT电力电子装置的CPU611IGBT是什么612IGBT的发展史813IGBT的技术发展趋势102IGBT应用市场规模和空间1221全球IGBT应用市场规模1222中国IGBT应用市场规模12221新能源汽车14222新能源发电15223工业控制17224轨道交通18225白色家电1923中国IGBT市场需求总量193行业发展环境及政策204IGBT市场竞争格局2141IGBT的壁垒22411IGBT的技术壁垒22412IGBT的市场壁垒22413IGBT的资金壁垒235国内IGBT核心企业2351斯达半导国内IGBT模块领军企业新能源业务开启新纪元23511公司概况23512业务分析25513结论及推荐2652时代电气顺应新能源发展大势打造第二成长曲线27521公司概况27522业务分析27523结论及推荐2953士兰微秉承多元化发展理念结构优化成长可期29证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN238请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度531公司概况29532业务分析30533结论及推荐3154新洁能新能源发电持续发力高值产品蓄力待发32541公司概况32542业务分析32543结论及推荐3455宏微科技卧薪尝胆砥砺前行打造IGBT民族品牌34551公司概况34552业务分析35553结论及推荐366投资建议367风险提示37证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN338请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度图表目录图1IGBT工作原理图7图2IGBT模块结构图7图3标准的IGBT结构拆分示意图8图4IGBT发展史8图5IGBT的芯片面积厚度以及阻断电压进展11图6IGBT技术发展趋势总结11图72021年全球IGBT分下游应用占比12图8全球IGBT市场规模12图9中国IGBT市场规模13图102015年-2021年中国IGBT产量需求量及国产占比13图112020年中国IGBT市场分下游领域占比14图122020年中国IGBT市场分下游领域占比15图13我国车规级IGBT市场规模15图14IGBT在光伏以及风力发电过程中的应用16图15全球及中国光伏新增装机量16图16中国光伏发电IGBT市场规模16图17全球及中国风电IGBT市场规模17图18中国工控IGBT市场规模18图19高铁轨交市场规模18图20城市轨交市场规模18图21中国空调IGBT市场规模19图22中国洗衣机IGBT市场规模19图23中国冰箱IGBT市场规模19图24中国白色家电IGBT市场规模19图25中国IGBT市场规模总量测算20图262021年全球IGBT分立器件市占率前十21图272021年全球IPM市占率前十21图282021年全球IGBT模块市占率前十22图29斯达半导发展路径24图30斯达半导营业收入25图31斯达半导归母净利润25图32斯达半导业务结构26图33斯达半导销售毛利率以及净利率26图34斯达半导研发投入26图35斯达半导体三费情况26图36时代电气发展路径27图37时代电气营业收入28图38时代电气归母净利润28图39时代电气营业收入结构28图40时代电气销售毛利率以及净利率28证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN438请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度图41时代电气研发投入及占比29图42时代电气三费等情况29图43士兰微发展路径30图44士兰微营业收入30图45士兰微归母净利润30图46士兰微营业收入结构绝对值31图47士兰微销售毛利率以及净利率31图48士兰微研发投入及占比变化31图49士兰微三费等情况31图50新洁能发展路径32图51新洁能营业收入33图52新洁能归母净利润33图53新洁能营业收入结构变化绝对值33图54新洁能销售毛利率以及净利率33图55新洁能研发投入及占比变化34图56新洁能三费等情况34图57宏微科技发展路径35图58宏微科技营业收入35图59宏微科技归母净利润35图60宏微科技收入结构变化36图61宏微科技销售毛利率以及净利率36图62宏微科技研发投入及占比36图63宏微科技三费等情况36表1电子电力器件性能对比6表2IGBT主要产品形式6表3IGBT产品电压等级及对应下游领域7表4英飞凌IGBT芯片技术迭代的性能变化情况以及出现年份9表5PTNPT以及FS型IGBT主要区别10表6IGBT在电动新能源汽车上的应用场景14表7半导体行业发展相关政策21表8国内厂商IGBT项目资金投入23表9斯达半导定增项目24表10推荐标的及盈利预测表37证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN538请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度1IGBT电力电子装置的CPU11IGBT是什么IGBT中文全名为绝缘栅双极型晶体管是由双极型三极管BJT和绝缘栅型场效应管MOS组成的功率半导体器件为第三代功率半导体技术革命的代表性产品具有高频高电压大电流易于开关等优良性能被业界誉为电力电子装置的CPU广泛应用于工业控制轨道交通白色家电新能源发电新能源汽车等领域表1电子电力器件性能对比驱动方式驱动电路输入阻抗驱动功率开关速度工作频率安全工作区饱和电压IGBT电压简单高低中等中等宽低MOSFET电压简单高低快高宽高BJT电流复杂低高慢低窄低资料来源电力电子基础东海证券研究所依产品结构形式不同IGBT有单管IGBT模块和智能功率模块IPM三种类型IGBT单管主要应用于小功率家用电器分布式光伏逆变器及小功率变频器等领域IGBT模块主要应用于大功率工业变频器电焊机新能源汽车电机控制器车载空调充电桩等领域当前市场上销售的多为此类模块化产品智能功率模块IPM主要在变频空调变频洗衣机等白色家电领域有广泛应用表2IGBT主要产品形式IGBT类型产品介绍产品样本分立式晶体管应用于小功率家用电器分布式光伏逆变器及小功率单管变频器等领域多个IGBT芯片和FRD芯片通过特定的电路和桥接封装而成应用于IGBT模板大功率工业变频器轨交新能源发电新能源汽车等领域高度集成紧凑的功率模块设计用于驱动从家用电器风扇泵到IPM模块通用驱动器等应用领域的电机资料来源英飞凌官网东海证券研究所整理证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN638请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度根据应用场景的电压不同IGBT有超低压低压中压和高压等类型其中新能源汽车工业控制家用电器等使用的IGBT以中压为主而轨道交通新能源发电和智能电网等对电压要求较高主要使用高压IGBT表3IGBT产品电压等级及对应下游领域电压等级电压范围下游应用领域超低压400-500V内燃机点火器数码相机等电动汽车UPS家电电焊机太阳能电低压600-1350V池风电UPS地铁城轨电机驱动太阳能电池风中压1400-2500V电轨道交通工业装备新能源发电和智能电高压2500-6500V网等领域资料来源英飞凌官网东海证券研究所IGBT多以模块形式出现IHS数据显示模块和单管的比例为31模块是由IGBT芯片与FWD续流二极管芯片通过定制化的电路桥接并通过塑料框架衬底及基板等封装而成的模块化半导体产品基础工作原理在于以最小能量损耗实现电流转换是一种具有隔离栅极结构的双极晶体管栅极自身就是MOSFET因此结合了双极晶体管的高载流能力和高阻断电压的优点图1IGBT工作原理图图2IGBT模块结构图资料来源IGBT模块技术驱动和应用AndreasVolke资料来源英飞凌官网东海证券研究所等东海证券研究所证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN738请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度图3标准的IGBT结构拆分示意图资料来源IGBT模块技术驱动和应用AndreasVolke等东海证券研究所12IGBT的发展史自20世纪80年代发展至今IGBT芯片经历了7代技术及工艺的升级从平面穿通型PT到微沟槽场截止型IGBT从芯片面积工艺线宽通态饱和压降关断时间功率损耗等各项指标都进行了不断的优化断态电压从600V提高到7000V关断时间从05微秒降低至012微秒工艺线宽由5um降低至03um此外由于IGBT产品对可靠性和质量稳定性要求较高下游客户认证周期较长所以产品的生命周期较一般集成电路产品较长对不同代际的IGBT产品由于性能和需求差异导致应用领域略有不同目前市场上应用最广泛的仍是IGBT第4代工艺产品图4IGBT发展史资料来源公开资料整理东海证券研究所证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN838请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度从IGBT模块芯片的内部纵向结构来看IGBT可分为穿通型PTpunchthrough非穿通型NPTnon-punchthroughPTpunchthrough结构是最古老的IGBT技术在19801990年间占据主导地位英飞凌第一代IGBT就是采用的PT技术NPTnon-punchthrough结构是德国西门子公司1987年推出为上世纪90年代的主流产品FSfieldstop2000年西门子公司研制出新的IGBT结构fieldstop-IGBTFS-IGBT它同时具有PT-IGBT和NPT-IGBT的优点至今一直居于主导地位英飞凌第三代及以后的IGBT均采用了FS技术表4英飞凌IGBT芯片技术迭代的性能变化情况以及出现年份功率损类型结构示意图芯片说明出现时间相对值PT是最初代的IGBT工艺复杂成本高饱和第一代压降呈负温度系数不利于并联在80年代后平面栅穿通1001988期逐渐被NPT取代目前所有的IGBT产品均不PT使用PT技术在截止时电场没有贯穿N-漂移区NPT不需要第二代载流子寿命控制但它的缺点在于如果需要更平面栅非穿通70高的电压阻断能力势必需要电阻率更高且更厚1997NPT的N-漂移层这意味着饱和导通电压Vcesat也会随之上升从而大幅增加器件的损耗与温升第三代得益于场截止以及沟槽型元胞IGBT3的通态压沟槽栅场截止33降更低工作结温125较2代没有太大提升2001TrenchFS开关性能优化IGBT4是目前使用最广泛的IGBT芯片技术电压包含600V1200V1700V电流从10A到第四代3600A4代较3代优化了背面结构漂移区厚沟槽栅场截止15度更薄背面P发射极及Nbuffer的掺杂浓度及2007TrenchFS发射效率都有优化同时最高允许工作结温从第3代的125提高到了150增加了器件的输出电流能力第五代表面金属化材料使用厚铜代替了铝因此IGBT5沟槽栅场截止15允许更高的工作结温及输出电流提升302013表面覆铜同时芯片结构经过优化芯片厚度进一步减小TrenchFS证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN938请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度第六代6代是4代的优化器件结构和IGBT4类似但沟槽栅场截止15是优化了背面P注入从而得到了新的折衷曲2017TrenchFS线第七代IGBT7沟道密度更高元胞间距也经过精心设微沟槽栅场截计并且优化了寄生电容参数从而实现5kvus止102018下的最佳开关性能IGBT7Vcesat相比IGBT4MicroPattern降低20可实现最高175的暂态工作结温Trench资料来源英飞凌官网IGBT模块技术驱动和应用AndreasVolke等斯达半导招股说明书东海证券研究所表5PTNPT以及FS型IGBT主要区别PTNPTFS器件厚度高中低阻断电压低中高起始衬底材料PCZ直拉单晶硅N-区熔单晶硅N-区熔单晶硅电场形状梯形三角形梯形基区载流子寿命低高高拖尾电流低高低发射极效率高中低少子寿命控制技术需要不需要不需要温度系数负正正资料来源英飞凌官网东海证券研究所13IGBT的技术发展趋势自从二十世纪八十年代中期研发出第一只IGBT器件以来IGBT技术经历了几个不同发展阶段这些技术都是用来平衡IGBT自身的各种特性的这些特性如下所示1降低导通损耗2降低开通和关断时的开关损耗开关速度快3器件开关的软特性4提高电流密度5提升电压等级6减少半导体材料降低成本7提高最高工作结温8扩展SOA安全工作区证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN1038请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度图5IGBT的芯片面积厚度以及阻断电压进展资料来源IGBT模块技术驱动和应用AndreasVolke等东海证券研究所随着IGBT的技术发展传统场截止型结构已接近其理论极限超结及半超结器件凭借耐高温低损耗和高抗短路能力在IGBT领域备受关注是IGBT未来技术发展主要探索方向图6IGBT技术发展趋势总结资料来源公开数据整理英飞凌官网东海证券研究所证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN1138请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度2IGBT应用市场规模和空间21全球IGBT应用市场规模近十年来全球IGBT市场规模保持连续增长从2012年的32亿美元增长至2021年的709亿美元CAGR增长66其中工控和新能源汽车是IGBT需求占比最大的两个下游领域分别占比为37和28其次是新能源发电和家电变频市场需求占比分别为9和82020年以来新能源汽车需求明显提速2021年较2020年需求占比提升19是IGBT主要的增量需求来源图72021年全球IGBT分下游应用占比图8全球IGBT市场规模9025112205376081591030528002017年2018年2019年2020年2021年2022E工业控制新能源汽车新能源发电家电轨道交通智能电网其他市场规模亿美元增速右轴资料来源OmediaSemi东海证券研究所资料来源OmdiaYole公司公告东海证券研究所22中国IGBT应用市场规模目前我国是全球最大的IGBT需求市场需求量约占全球四成且需求占比有望持续提升根据WSTS世界半导体贸易统计组织的数据中国IGBT市场销售规模从2016年的88亿元人民币增长至2021年的2388亿元CAGR超20远超全球平均水平预计至2025年仍将维持高速增长市场规模将有望超486亿元证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN1238请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度图9中国IGBT市场规模60045405003540030253002020015101005002016年2017年2018年2019年2020年2021年2022E2023E2024E2025E市场规模亿元增速右轴资料来源集邦咨询Datayes东海证券研究所从中国市场的供需情况来看自2015年以来IGBT的国产量从498万只到2021年2580万只CAGR约39期间国内需求量从2015年的4918万只到2021年13200万只CAGR在15-28之间尽管本土产量增速高于需求增速但供需缺口绝对量仍有较大空间仍以进口为主其中原因主要系我国功率器件整体的技术水平相对较低产能主要集中于中低端产品范围在IGBT等新型功率器件这一类高技术高附加值的中高档产品领域中国外企业拥有绝对的竞争优势我国需大量进口来满足国内市场需求图102015年-2021年中国IGBT产量需求量及国产占比1800030160002514000120002010000158000600010400052000002015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022E需求量万只产量万只占比资料来源中研网观研天下东海证券研究所从下游IGBT需求结构来看我国IGBT需求结构与全球市场不同新能源汽车消费电子统计口径包括家电和工控是IGBT需求占比最大的三个下游领域分别占比31证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN1338请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度27和20我国IGBT在新能源领域的应用占比远超全球平均水平主要受益于国家双碳战略新能源领域需求旺盛导致IGBT用量大幅增加是我国IGBT需求增长的主要驱动力图112020年中国IGBT市场分下游领域占比24531201127新能源汽车消费电子新能源发电工业控制智能电网轨道交通其他资料来源华经情报网东海证券研究所国内新能源需求爆发IGBT成长空间巨大在国内IGBT市场规模快速增长新能源需求爆发贡献主要增量的背景下本土IGBT企业依托国内新能源产业扩容以其自身产品竞争力供应链的优势和巨大的市场提升空间加速提升IGBT国产替代份额我们保守预计2025年中国IGBT市场规模将有望超450亿元CAGR约20成长空间巨大221新能源汽车众所周知在电动化驱动下电池电驱和电控是电动新能源车的三大重要部件而IGBT则是电控系统中的核心元器件它决定了新能源汽车的行驶性能表6IGBT在电动新能源汽车上的应用场景应用场景功能电机控制器在主逆变器中将高压电流的直流电转换为驱动电机的交流电车载空调控制系统转换为交流电后驱动空调压缩机电机进行工作车载充电器OBCIGBT参与220V交流电转换为直流并为高压电池充电充电桩IGBT模块作为充电模块的组成部分被作为开关元件使用资料来源意法半导体中国知网东海证券研究所根据英飞凌2021年财报显示在国际上IGBT的单车价值为330美元约占新能源汽车整车总成本的5以上是电控系统里面成本占比最大的元器件针对我国电动新能源汽车经过我们测算单车价值约为273美元随着我国电动新能源汽车的蓬勃发展以及大功率对IGBT的要求越来越高将间接提高IGBT在整车的成本比重不断拓宽IGBT成长空间证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN1438请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度图122020年中国IGBT市场分下游领域占比资料来源NE时代集邦咨询东海证券研究所另外我们预计2022年我国新能源汽车销量将突破600万辆对应的IGBT市场规模为1638亿美元保守假设2025年中国汽车销量为3000万辆新能源渗透率为45销量约为1350万辆按单车价值281美元来算中国车规级IGBT市场规模将达到38亿美元对应人民币市场约260亿市场空间广阔图13我国车规级IGBT市场规模3000500假设在新能源汽车单车价值量变2500化不大的情况下市场规模主要400随着产量的增加而增长200030015002001000100500002020年2021年2022E2023E2024E2025E中国产量万辆全球销量万辆中国车规级IGBT市场亿元-右轴全球车规级IGBT市场亿元-右轴资料来源英飞凌2021年财报公开资料整理东海证券研究所222新能源发电IGBT被广泛应用于光伏逆变器和风电变流器主要是将光伏组件和风机发出的电压和一定频率的电能经过交直转换为稳定电压和频率的电能馈入电网或接入家庭用户而IGBT等功率器件是新能源发电逆变器实现逆变功能的核心主要应用在DCDC升压证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN1538请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度DCAC逆变电路中在中能源发电市场加速转型的背景下光伏风电发展大有可为是IGBT市场强劲的驱动力增速将持续远超全球平均水平图14IGBT在光伏以及风力发电过程中的应用资料来源英飞凌官网东海证券研究所光伏方面IGBT是光伏逆变器核心零部件充分受益于光伏发电蓬勃发展我们保守预计到2025年光伏发电IGBT市场规模将达到221亿元CAGR约为1335增速高于全球平均水平1我们根据中国光伏行业协会测算预计2025年全球和中国光伏新增装机量分别为300GW和100GW2至2025年光伏逆变器装机成本约为017元W自2021年光伏逆变器成本每年下降3左右3根据固德威招股说明书预测预计IGBT占逆变器的成本占比维持在13至2025年每GW光伏装机量成本中IGBT约为2200万图15全球及中国光伏新增装机量图16中国光伏发电IGBT市场规模4004080252021-2025年中国CAGR-1335全球CAGR-10683003060200204021001020000152020A2021A2022E2023E2024E2025E2020A2021A2022E2023E2024E2025E中国光伏新增装机量GW全球光伏新增装机量GW中国光伏发电IGBT亿元全球光伏发电IGBT亿元中国装机同比增速-右轴全球装机同比增速-右轴每GW逆变器成本亿元-右轴资料来源GWEC中国光伏协会东海证券研究所资料来源GWEC中国光伏协会东海证券研究所证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN1638请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度风电方面保守预计到2025年风电发电IGBT市场规模将达到1128亿元CAGR约为1288稳步增长并且增速高于全球平均水平1我们根据GWEC测算预计2025年全球和中国风电新增装机量分别为1194GW和5015GW2至2025年风电变流器机成本约为15亿元GW按2022前三季度年我国平均陆上风电电机组价格含塔筒的中标价格的6测算并维持不变3我们将IGBT占风机变流器的成本占比维持在15至2025年平均每GW风电装机量中IGBT的成本约为2250万图17全球及中国风电IGBT市场规模1403012025100GW20801560市场规模1040新增风电装机205002020A2021A2022E2023E2024E2025E中国风电新增装机量GW全球风电新增装机量GW全球风电IGBT市场亿元-右轴中国风电IGBT市场亿元-右轴资料来源GWEC东海证券研究所223工业控制工控产品市场主要以变频器以及伺服系统为主伺服系统中大中小型伺服系统占比分别为4537以及18而变频器大中小型伺服系统的IGBT价值量占比假设分别为8310以及8根据前瞻产业研究院的数据预计中国变频器市场规模从2020年到2025年预计将增长至883亿元中国伺服系统市场规模将从2020年的149亿元增长至2025年的214亿元综上保守预计2025年中国IGBT市场规模为8453亿元2021年至2025年CARG维持在981左右证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN1738请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度图18中国工控IGBT市场规模资料来源前瞻产业研究院东海证券研究所224轨道交通IGBT是轨交牵引系统的核心零部件产品主要以高压IGBT为主轨交IGBT终端需求量与中国铁路投资额密切相关高增速阶段分别对应了2008年的高铁大规模建设以及2013年的四纵四横高铁网建设随着铁路固定投资趋稳铁路计划调整变动不大整体对IGBT需求量相对稳定图19高铁轨交市场规模图20城市轨交市场规模资料来源国家统计局交通运输部东海证券研究所资料来源国家统计局交通运输部东海证券研究所证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN1838请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度225白色家电随着节能减排相关政策推行及消费升级下我国变频家电渗透率将不断提高IPM是变频家电的关键器件充分受益我们保守预计2021年至2025年CARG维持在8左右IPM需求稳步增长图21中国空调IGBT市场规模图22中国洗衣机IGBT市场规模资料来源iFind产业在线东海证券研究所资料来源iFind产业在线东海证券研究所图23中国冰箱IGBT市场规模图24中国白色家电IGBT市场规模资料来源iFind产业在线东海证券研究所资料来源iFind产业在线东海证券研究所23中国IGBT市场需求总量2021年我国IGBT市场规模达224亿是全球最大的IGBT需求市场需求量约占全球四成且需求占比有望持续提升根据我们测算预计2025年中国IGBT市场规模将达到486亿CAGR超19整体维持较快增长远超全球平均水平其中新能源领域需求增速最为显著是我国IGBT市场空间发展的主要方向证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN1938请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明行业深度图25中国IGBT市场规模总量测算资料来源公开资料整理东海证券研究所3行业发展环境及政策自2018年以来美国对我国的科技企业和产业制裁不断升级从一开始的征收电子器件高额关税到今年的出口管制条例美国对中国输出的尖端技术封锁层层加码中美脱钩风险与日俱增通过国产替代实现产业链的自主可控已上升到国家战略近年来国家陆续出台一系列政府补贴和激励政策等措施大力促进半导体行业发展为行业自主安全可控的产业链发展提供了充分的燃料证券研究报告HTTPWWWLONGONECOMCN2038请务必仔细阅读正文后的所有说明和声明