核心观点
　　AI数据中心高速互联持续升级，高速PD进入新一轮产品迭代周期。随着AI算力集群规模持续扩张，数据中心内部互联带宽需求不断提升，光模块加速由400G向800G、1.6T升级，单通道速率亦由100G/lane向200G/lane演进。作为光模块接收端完成光电转换的核心器件，PD需同步提升带宽和响应度，降低结电容，并优化封装对准精度，产品技术门槛随速率升级明显提高。我们认为，PD此前更多被市场视为成熟的基础光器件，而在1.6T及更高速率产品逐步导入的背景下，其重要性正在重新提升。
　　高速PD竞争由单一性能指标向产品量产、客户验证及封装协同能力延伸。200G/lane对PD的带宽、低电容、低暗电流及高频封装提出更高要求，同时PD与TIA之间的匹配以及封装寄生效应对接收端性能的影响进一步提升，推动产业竞争从实验室性能指标向联合验证和规模交付能力转变。目前海外厂商已率先布局200G/lane高速PD，并进一步向400G/lane演进；国内厂商亦加快100G、200GPD产品研发及客户导入，产业链正处于产品升级与国产厂商突破的关键阶段。
　　产品升级有望带来结构性价值增量。800G、1.6T放量将持续拉动高速PD需求，但单通道速率提升后，同等总带宽下所需PD数量并不会同比增加，因此行业增量更多来自200G/lane产品ASP提升及产品结构升级。同时，硅光技术持续渗透，Ge-on-Si PD逐步集成于PIC或光引擎内部，使高速PD产业链形成分立InGaAs PD与集成PD并行发展的技术路线，独立PD芯片市场空间与PD整体功能需求需要分别观察。在市场关注度相对有限的背景下，我们建议关注高速PD产品迭代、客户验证及产业化进展带来的结构性机会。
　　风险提示：AI数据中心及高速光模块需求不及预期；单通道速率升级及产品迭代不及预期；高速PD产业化不及预期；行业竞争加剧