核心观点
　　多相TLVR电感与高容MLCC共同为AI芯片三次电源的核心器件，其中多相TLVR电感成为产业趋势，价值量超过三次电源高容MLCC，国产链已经处于相对领先水平，值得高度重视。AI芯片电感面临AI算力、芯片功率、电感价值量三级通胀，市场空间为上述三层通胀倍数累乘，预计从2025年到2028年市场实现10倍以上扩容。由于AI芯片电感为非标定制、研发制胜，材料-器件一体化公司壁垒更高，在保障高性能材料供应稳定同时，还满足下游客户快速迭代需求，更受客户青睐，产业链壁垒更高、客户链绑定更深、成长空间更大。
　　行业动态信息
　　需求侧对算力要求指数级提升，推动电感用量增加。2023年之前随着互联网用户和各类网络应用的快速增长，数据体量的急剧膨胀，数据中心对计算的需求也在迅猛上涨。
　　供给侧制程与架构持续迭代推动单芯片功耗快速上行，推动芯片的单位电感用量增加。一方面，伴随芯片制程升级，单位面积晶体管数量大幅提升，单位面积功耗快速上行；另一方面，更新的架构确保了新品芯片具备更强计算性能与并行处理能力。二者共同作用导致近年来芯片新品的功耗总额迎来大幅跃迁。
　　三次电源面临损耗、散热、空间、高瞬态四大约束，AI芯片电感迭代升级。1、损耗问题，电流越来越大，损耗越来越大；2、散热压力大，大功率带来更大发热量；3、电流大需要更多器件分流，但主板空间有限，三次电源空间非常拥挤；4、高瞬态问题，即Vdrop，电流快速变化导致传输路径电压跌落，一次跌落幅度过大会影响GPU正常工作，但负载功率波动越来越剧烈。
　　AI芯片电感升级三大方向。随着算力升级、功率增长，电感用量大幅增加，数量提升面临与PCB板可用面积之间矛盾、供电效率下降问题等，因此AI芯片电感有三大升级方向：1、单相电感走向多相电感，2、水平供电转向VPD垂直供电，3、NON-TLVR电感转向TLVR电感。
　　量、价、结构三重驱动，AI芯片电感市场急速扩容，2025-2028年市场规模10倍扩容。未来芯片电感面临多重驱动，算力增长——带动芯片电感需求量上升、芯片功率提升——带动单位芯片电感用量增加、电感性能要求升级——带动电感类型升级以及价值量提升。市场规模将从2025年的25亿提升至2028年的超300亿，市场扩容10倍以上。
　　国产链中TLVR电感比高容MLCC更有比较优势。多相TLVR电感与高容MLCC共同为AI芯片三次电源的核心器件，其中多相TLVR电感价值量高于MLCC。并且，国内铂科新材、龙磁科技等电感企业已经进入全球核心客户供应链体系，在全球供应链中，已经处于领先水平，优势地位强于MLCC器件厂商，值得高度重视！
　　材料性能决定器件性能，材料器件一体化企业更具优势。拥有上游原材料布局的一体化企业，不仅可以保障原材料的供应稳定，同时可以满足下游需求的快速迭代，更受客户青睐，从而获得更高产业链壁垒、更深客户链绑定及更大成长空间。AI芯片电感领域，铂科新材、龙磁科技等进入全球尖端电感市场，成为全球为数不多可以匹配英伟达、谷歌、阿里、华为等AI产业链研发需求的企业，这些企业由生产型企业转变为研发创新型企业，科技属性增强，参考海外头部企业的近百年发展路径，龙磁科技、铂科新材等有望乘着AI浪潮，获得持续快速的增长。
　　风险分析
　　1、宏观政策风险，行业发展受经济形势及政策影响较大，若形势变化及政策调整或导致行业发展低于预期，相关材料需求也将低于预期；
　　2、AI快速发展，技术迭代快，带来投资机会的同时，也存在被新材料新技术所替代的风险；
　　3、行业发展不及预期的风险，AI发展带来被动元件及相关材料行业投资机会，但相关硬件出货较慢，或导致相关企业业绩不及预期；
　　4、原材料风险，新材料生产原材料价格波动或导致相关公司生产经营波动，一定程度上可能带来不利影响，此外部分原材料如钽等对外依存度较高，若供应链中断或原材料受限，或影响相关企业生产。