本报告导读：
　　26Q3 DRAM/NAND合约价格涨幅收窄，部分规格现货价因行业库存备货周期有所波动，MLCNAND现货价延续双位数高增。6月韩国DRAM/NAND出口额同比增长385.2%/301.1%，中国台湾主要存储原厂6月营收同比增长325.6%。价格涨幅放缓并非周期见顶，市场定价重心有望从单季度价格弹性转向高盈利的多年持续性。
　　投资要点：
　　预计26Q3通用DRAM合约价上涨13-18%，NAND合约价上涨1015%。据TrendForce，26Q2通用DRAM合约价上涨58-63%，NAND合约价上涨55-60%，预计26Q3通用DRAM合约价上涨13-18%，NAND合约价上涨10-15%。现货价格方面，DDR3-DDR5大部分规格现货价维持上涨，部分DDR416Gb现货价下跌。NAND方面，7月TLCNAND现货价环比跌幅收窄至1.5%-1.9%，QLCNAND现货价环比持平，MLCNAND现货价环比上涨11.1%-11.4%，原厂退出/减产导致MLCNAND现货价涨幅较大。
　　6月韩国DRAM/NAND出口额同比增长超3倍，5月韩国半导体产/销量/库存同比+1.46%/-3.56%/-7.28%。6月韩国存储出口额397.1亿美元，同比增长280.3%，环比增长23.6%。其中DRAM出口额218.5亿美元，同比增长385.2%；NAND出口额24.9亿美元，同比增长301.1%。5月韩国半导体产量/销量/库存同比+1.46%/-3.56%/7.28%，产/销量同比增幅收窄/略下降主要由于产品价值量提升。
　　中国台湾主要存储产业链厂商6月营收延续高增。中国台湾主要存储原厂、主控芯片厂商和品牌/模组厂商6月营收分别同比增长325.6%/296.0%/312.0%。南亚科Q2法说会表示产业结构性转变扩大需求缺口，预计存储供给短缺将持续，目前长约比重达到50%。
　　投资建议：存储行业已经从AI算力投资的受益方转变为制约AI基建的关键瓶颈，AI需求驱动的结构性短缺贯穿全产业链，供需缺口仍在加深。价格端，26Q3合约价涨幅放缓并非周期见顶信号，我们预计涨价趋势有望延续至2027年；长期协议并非限制涨价空间，而是让价格趋势更可预判，以短期价格弹性换取长期盈利和现金流可见性。产能端，我们认为供给纪律性仍然被市场低估，原厂大部分新增资本开支投向新建厂房和洁净室建设，扩产计划呈梯度推进，投产时间仍可跟随下游需求调整，26-27年实际新增产能有限。结构端，行业已经充分预期消费类终端需求疲软，而数据中心AI主线需求持续强劲，产能灵活调控下传统消费终端对行业供需格局的边际影响下降，不会改变供需失衡和价格温和上行的趋势。我们认为行业关注重点有望从单季度价格/利润弹性转向高盈利的多年持续性，从基于价格涨跌预期的周期博弈转向基于高盈利确定性的重新定价，推动估值中枢上行。推荐HBM4+SOCAMM2+企业级SSD全品类布局的美国本土存储龙头美光科技。建议关注受益于AI算力需求、兼具定价权和技术卡位的HBM/DRAM原厂SK海力士、三星电子；受益于企业级SSD需求旺盛的NAND厂商闪迪、铠侠；受益于大厂产能退出的利基型存储厂商南亚科、旺宏、华邦电等。
　　风险提示：技术发展不及预期风险；AI投资过热风险；宏观环境波动风险；地缘政治风险；供应链风险。