电子：第三代半导体专家十问十答：SiC& GaN路在何方？
　　SiC和GaN作为新型功率半导体材料，已进入快速发展阶段。2018年特斯拉的功率器件应用加速了SiC应用于新能源车的进程。SiC相较GaN有三年的商业化领先，全球市场由Wolfspeed、Coherent、安森美等公司垄断。在小米推出手机快充后，GaN产业规模迅速扩大，产业龙头有住友化学、英飞凌、三安光电等。GaN相较SiC长晶速度快、成本更低，GaN可以利用现有的硅（Si）工艺和设备，在普通的硅衬底上生长。而SiC则需要采用高纯度的SiC衬底，大幅提高了材料成本。GaN未来的增长动能取决于能否在工业、汽车领域应用，但GaN上车仍处于送样测试阶段，车规级器件放量预计会在2028年左右。展望未来，SiC和GaN或将形成各自的市场格局，预计2026年随着SiC产能饱和，大型公司可能将目光转向GaN领域投资扩产。
　　风险提示：SiC长晶技术研发不达预期、SiC器件降本不达预期、价格竞争愈演愈烈等。
　　研报发布日期：2023-10-25
　　研究员
　　何翩翩SAC:S0570523020002 SFC:ASI353