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>> 东吴证券-电子行业深度报告:存储行业拐点已至,国产化主线确立-230928
上传日期:   2023/9/28 大小:   1303KB
格式:   pdf  共20页 来源:   东吴证券
评级:   强于大市 作者:   马天翼,金晶
行业名称:   电子
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存储行业周期拐点确立,国产化进程加速:伴随需求回暖、单设备存储容量提升以及备货潮,存储市场规模逐步恢复增长。存储颗粒2023Q3价格环比跌幅收敛,部分产品已出现涨价现象。DRAM目前跌价过多的低价颗粒已出现涨价,且合约价后续跌幅有限,DDR4部分产品的现货价格分别于8月底及9月触底后出现反弹迹象,环比8月涨幅0%~10%,市场逐步回暖。此外,NANDWafer相继强势拉涨,并且上游的涨价有望持续发酵。龙头大厂三星等酝酿涨价背景之下,国内存储厂商也陆续跟进。国产厂商DRAM和NAND的技术水平向海外主流水平靠近,份额占比逐步提升,存储国产化主线确立。
  存储厂商减产计划持续,库存拐点开始显现:海外大厂稼动率持续下降助力加速库存去化,根据TrendForce数据显示,2023年Q2三星/美光/海力士的稼动率分别下降至77%/74%/82%,海力士与美光23年Q2的资本开支分别同比下降62%/40%,并加速布局HBM新产品。此外,2023年中报数据显示大部分模组厂库存原材料环比增长,绝大多数模组厂库存周转天数环比有所下降,模组厂开始备货,预期未来量价齐升;部分IC厂商库存商品环比减少,存货周转天数环比有所下降,库存去化效果良好,效益有望下半年显现。另外DRAM和NAND的全球市场规模从2023 Q2开始环比提升,DRAM 2023Q2全球市场规模环比提升20.4%,NAND 2023Q2全球市场规模环比提升7.4%。伴随下游需求逐步回暖,存储市场供过于求与存储器价格下跌情形逐步扭转,各厂家库存水位有望逐步正常化,行业业绩有望恢复增长态势。
  消费电子、AI服务器、车载等多领域助力存储行业回暖:消费电子行业需求回暖、AI浪潮袭来与汽车市场景气度上升将推动存储行业回暖。2023Q2笔电市场需求连续六个季度以来首次恢复成长,智能手机出货量同比降幅收窄,TWS耳机Q2实现环比增长,可穿戴设备市场中国产品牌份额持续提升。2023年全球AI服务器存储市场规模为76亿美元,预计2026年能达到492亿美元,23-26年CAGR为86.4%;根据Yole数据,2027年车载存储市场规模达到125亿美元,2021-2027年CAGR为20%。消费电子、AR/VR新品、AI服务器和车载等领域的增量拉动了NAND和DRAM存储器的需求回暖。
  投资建议:存储行业拐点确立,国产化势在必行。通过对产业链主要玩家减产动作、库存及价格开始见底反弹等观测,我们认为当前存储行业拐点已至,并且在部分DRAM价格上涨、NANDFlash wafer合约价成功拉涨、国产化主线确定等催化下,我们在当前时点看好存储产业尤其是国产化进程加速。伴随下游AI服务器、新能源汽车等新需求及消费电子、家电、工控等多领域需求复苏催化拉动,基于产业配套及国产化替代等逻辑,我们认为存储产业投资重点看三条主线:1)龙头厂商:兆易创新、北京君正、江波龙等。2)国产化主线:万润科技、东芯股份、德明利、恒烁股份、普冉股份、佰维存储、聚辰股份、澜起科技等。3)建议关注国内存储芯片材料设备、设计、晶圆及代工厂、模组、封测等产业链相关厂商。
  风险提示:下游复苏不及预期风险;存储价格反弹不及预期风险;宏观经济形势变化风险;龙头厂商减产不及预期风险
  
研究报告全文:证券研究报告行业深度报告电子电子行业深度报告存储行业拐点已至国产化主线确立2023年09月28日增持维持证券分析师马天翼执业证书S0600522090001关键词TableTag进口替代产品价格上涨困境反转matydwzqcomcn证券分析师金晶投资要点TableSummary执业证书S0600523050003存储行业周期拐点确立国产化进程加速伴随需求回暖单设备存储jinjdwzqcomcn容量提升以及备货潮存储市场规模逐步恢复增长存储颗粒2023Q3价格环比跌幅收敛部分产品已出现涨价现象DRAM目前跌价过多的行业走势低价颗粒已出现涨价且合约价后续跌幅有限DDR4部分产品的现货价格分别于8月底及9月触底后出现反弹迹象环比8月涨幅010电子沪深30022市场逐步回暖此外NANDWafer相继强势拉涨并且上游的涨价有1916望持续发酵龙头大厂三星等酝酿涨价背景之下国内存储厂商也陆续1310跟进国产厂商DRAM和NAND的技术水平向海外主流水平靠近份74额占比逐步提升存储国产化主线确立1-2-5-8存储厂商减产计划持续库存拐点开始显现海外大厂稼动率持续下降2022928202312720235282023926助力加速库存去化根据TrendForce数据显示2023年Q2三星美光海力士的稼动率分别下降至777482海力士与美光23年Q2的资本开支分别同比下降6240并加速布局HBM新产品此外2023相关研究年中报数据显示大部分模组厂库存原材料环比增长绝大多数模组厂库封测行业中报总结周期触底存周转天数环比有所下降模组厂开始备货预期未来量价齐升部分环比改善关注先进封装布局IC厂商库存商品环比减少存货周转天数环比有所下降库存去化效果良好效益有望下半年显现另外DRAM和NAND的全球市场规模从2023-09-182023Q2开始环比提升DRAM2023Q2全球市场规模环比提升2042023H1电子行业总结静待NAND2023Q2全球市场规模环比提升74伴随下游需求逐步回暖需求复苏看好技术创新存储市场供过于求与存储器价格下跌情形逐步扭转各厂家库存水位有2023-09-05望逐步正常化行业业绩有望恢复增长态势消费电子AI服务器车载等多领域助力存储行业回暖消费电子行业需求回暖AI浪潮袭来与汽车市场景气度上升将推动存储行业回暖2023Q2笔电市场需求连续六个季度以来首次恢复成长智能手机出货量同比降幅收窄TWS耳机Q2实现环比增长可穿戴设备市场中国产品牌份额持续提升2023年全球AI服务器存储市场规模为76亿美元预计2026年能达到492亿美元23-26年CAGR为864根据Yole数据2027年车载存储市场规模达到125亿美元2021-2027年CAGR为20消费电子ARVR新品AI服务器和车载等领域的增量拉动了NAND和DRAM存储器的需求回暖投资建议存储行业拐点确立国产化势在必行通过对产业链主要玩家减产动作库存及价格开始见底反弹等观测我们认为当前存储行业拐点已至并且在部分DRAM价格上涨NANDFlashwafer合约价成功拉涨国产化主线确定等催化下我们在当前时点看好存储产业尤其是国产化进程加速伴随下游AI服务器新能源汽车等新需求及消费电子家电工控等多领域需求复苏催化拉动基于产业配套及国产化替代等逻辑我们认为存储产业投资重点看三条主线1龙头厂商兆易创新北京君正江波龙等2国产化主线万润科技东芯股份德明利恒烁股份普冉股份佰维存储聚辰股份澜起科技等3建议关注国内存储芯片材料设备设计晶圆及代工厂模组封测等产业链相关厂商风险提示下游复苏不及预期风险存储价格反弹不及预期风险宏观经济形势变化风险龙头厂商减产不及预期风险120东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告内容目录1周期判断存储国产化进程加速行业周期拐点已至42市场追踪23Q3环比跌幅有望缩小部分现货价格触底反弹621当前时点部分现货价格已触底反弹622未来趋势底部已现涨价趋势确立93产业玩家海外大厂持续减产库存优化环比逐季改善1031海外大厂积极减产加速布局HBM新产品1032模组IC设计厂商库存去化效果显著业绩有望恢复增长114需求景气存储下游多领域需求回暖静待行业复苏1341消费电子Q2需求逐渐回暖景气周期拐点或将显现1342服务器势头放缓AI拉动存储空间广阔1543车载领域前景广阔或成蓝海市场175投资建议186风险提示19220东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告图表目录图12022年全球集成电路市场规模细分结构占比4图22022年全球存储市场规模细分结构占比4图3三大细分市场市占率情况5图4全球DRAM季度市场规模百万美元5图5全球NAND季度市场规模百万美元5图6DRAMDDR34GB256Mx16价格周期6图7典型DRAM产品现货价格美元7图8典型DRAM产品合约价格美元7图9典型NAND产品现货价格美元8图10典型NAND产品合约价格美元8图11典型FlashWafer产品现货价美元9图12存储模组厂商库存原材料情况概览12图13存储IC设计厂商存货商品情况概览12图14存储模组厂商2023年Q2业绩情况概览12图15存储IC设计厂商2023年Q2业绩情况概览13图162022年中国存储下游应用占比13图172022Q1-2023Q2全球笔电出货量14图182022Q1-2023Q2全球智能手机出货量14图192022Q1-2023Q2全球TWS耳机销量14图202022Q2和2023Q2华为智能手表全球出货占比15图212022Q1-2023Q2中国ARVR市场出货量15图222022Q1-2024Q4全球服务器出货量15图232022-2026E全球AI服务器出货量16图24AI服务器中存储器需求量16图252021全球汽车DRAM存储市场份额18表1NAND和DRAM的市场需求情况10表2部分存储厂商产能与资本支出规划10表3三大存储厂商HBM产品规划情况11表42023AI服务器存储增量空间测算17表5车载存储市场规模测算18320东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告1周期判断存储国产化进程加速行业周期拐点已至新兴产业飞速发展存储芯片需求广阔在5G云计算以及AI等新兴产业快速发展背景下存储芯片具备广阔的市场空间根据WSTS数据2022年全球集成电路市场总规模约为47999亿美元其中存储芯片市场规模约为13441亿美元占比近28仅次于逻辑芯片存储芯片可分为非易失性和易失性两类其中非易失性包括NANDFLASH和NORFLASH易失性主要包括DRAM根据CINNO数据2022年存储市场规模细分结构中DRAMNANDNOR的市场规模分别为74335659350亿美元占比分别为55342126据Yole测算2027年DRAMNANDNOR的市场规模将达到158096049亿美元图12022年全球集成电路市场规模细分结构占比图22022年全球存储市场规模细分结构占比261876模拟芯片DRAM2735微处理器421NAND1666逻辑芯片553NOR存储芯片3723数据来源WSTS东吴证券研究所数据来源CINNO闪存市场东吴证券研究所海外厂商高度垄断国产厂商份额逐步提升全球存储芯片市场被海外企业垄断DRAM领域三星美光SK海力士垄断了近95的市场份额行业集中度高寡头明显NAND领域竞争格局相对DRAM较为分散2023年上半年NAND领域CR5为96头部企业为三星凯侠SK海力士西部数据美光NOR领域中国台湾企业旺宏电子华邦及大陆企业兆易创新近五年来市占率位于全球前三2022年三家公司合计市占率达到907NOR领域海外企业垄断程度最低国内存储厂商为长鑫存储与长江存储两家公司分别在DRAM与NAND技术追赶上进展迅速逐步向海外主流水平靠近据IDC数据长鑫与长存在DRAM与NAND上市占率从2020年的03与10上升至2022年的18与35420东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告图3三大细分市场市占率情况数据来源ICInsights东吴证券研究所全球存储行业市场规模出现环比提升存储市场回暖拐点确立DRAM和NAND的市场规模从2023Q2开始环比提升一改连续四季度持续减少的趋势其中DRAM2023Q2全球市场规模环比提升204NAND2023Q2全球市场规模环比提升74存储市场回暖拐点确立图4全球DRAM季度市场规模百万美元图5全球NAND季度市场规模百万美元三星铠侠海力士集团三星美光海力士其他QoQ西部数据美光英特尔20000其他QoQ20300003020425000207410150001020000001500010000-10-1010000-2050005000-30-200-400-302020Q42021Q22021Q42022Q12022Q42023Q22021Q12021Q32022Q12022Q32023Q1数据来源TrendForce东吴证券研究所数据来源TrendForce东吴证券研究所存储行业现处于周期底部有望恢复增长态势以DRAMDDR34GB256Mx16价格周期为例存储周期大致4年本轮周期起始于20Q121Q3存储器价格见顶至今降价7个季度过去一次存储价格的周期底部位于2019年中旬下行周期内跌幅超66随后产品价格触底反弹目前产品的价格维度已经到达拐点今年Q4至24年上半年价格有望止跌上行520东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告图6DRAMDDR34GB256Mx16价格周期DRAMDDR34GB256Mx16DRAMDDR34GB256Mx16美元美元3252本轮周期起点15本轮周期底部1上轮周期底部0502019-07-312020-01-312020-07-312021-01-312021-07-312022-01-312022-07-312023-01-312023-07-31数据来源iFinD东吴证券研究所供应商削价抢占出货存储市场或迎谷底有望复苏2023Q2受惠于AI服务器需求攀升带动HBM出货成长加上客户端DDR5的备货潮使得三大原厂出货量均有成长2023Q2DRAM产业营收增至1143亿美元环比增幅204终结连续三个季度的跌势全球智能手机PC及平板市场的国内品牌占比逐年提升以及新电子产品发布和订单量高峰期常为下半年对DRAM主要是DDRLPDDR的出货有拉动作用此外根据TrendForce数据预估2024年存储颗粒需求同比增长13及16伴随单一设备存储容量提升存储市场规模有望逐步恢复增长2市场追踪23Q3环比跌幅有望缩小部分现货价格触底反弹21当前时点部分现货价格已触底反弹DRAM价格触底环比跌幅缓慢收敛跌价过多的低价颗粒涨势明显DDR416Gb2Gx82666MbpsDDR416Gb2Gx8eTTMbpsDDR48Gb1Gx82666MbpsDDR48Gb1Gx8eTTDDR48Gb512Mx162666Mbps现货价格分别于9月8日9月7日8月25日8月31日8月24日触底达到272220145102146美元此后出现反弹迹象截止9月22日上述产品现货价格达到279224150114155美元环比8月22日分别为-210027410754部分环比已出现上涨截止7月31日主流产品DDR416Gb2Gx8DDR48Gb1Gx8持续跌价DDR44GB256Mx16DDR34GB256Mx16合约价格创历史新低102102美元但是环比6月31日跌幅收敛至33620东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告图7典型DRAM产品现货价格美元DDR416Gb2Gx82666MbpsDDR416Gb2Gx8eTTMbpsDDR48Gb1Gx82666MbpsDDR48Gb512Mx162666MbpsDDR48Gb1Gx8eTT98765432102022-02-222022-05-062022-07-182022-09-262022-12-052023-02-202023-05-032023-07-142023-09-22注释DDR416Gb2Gx82666MbpsDDR416Gb2Gx8eTTMbpsDDR48Gb1Gx82666MbpsDDR48Gb1Gx8eTT为主流DRAMDDR48Gb512Mx162666Mbps为利基DRAM数据来源iFinDDRAMexchange东吴证券研究所图8典型DRAM产品合约价格美元DDR416Gb2Gx8DDR48Gb1Gx8DDR44GB256Mx16DDR34GB256Mx1698765432102020-01-312020-08-312021-03-312021-10-312022-05-312022-12-312023-07-31注释DDR416Gb2Gx8DDR48Gb1Gx8为主流DRAMDDR44GB256Mx16DDR34GB256Mx16为利基DRAM数据来源iFinDDRAMexchange东吴证券研究所NAND合约价格部分现货价格趋于平稳自5月31日256GbTLC价格涨至210美元截止9月1日价格稳定在此不变9月22日32Gb4GBx8MLC现货价格206美元环比8月22日与之持平价格在此期间稳定保持64Gb8GBx8MLC现货价格自5月18日起价格稳定在385美元8月4日起小幅上升于9月8日升至387美元并保持2Gb256MBx8SLC价格波动在080美元左右截止9月22日现货价格为077美元1Gb128MBx8SLC价格持续下降到9月18日达到076美元此后开始小幅波动回升截止9月22日现货价格为080美元环比8月22日跌幅为-24截至7月31日128Gb16Gx8MLC32Gb4Gx8MLC64Gb8Gx8MLC合约价格为382243276美元已连续四个月保持不变720东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告图9典型NAND产品现货价格美元32Gb4GBx8MLC64Gb8GBx8MLC3DFlash256GbTLC2Gb256MBx8SLC1Gb128MBx8SLC4543532521510502022-02-222022-05-062022-07-182022-09-262022-12-052023-02-202023-05-032023-07-142023-09-22注释32Gb4GBx8MLC64Gb8GBx8MLC256GbTLC为主流NAND2Gb256MBx8SLC1Gb128MBx8SLC为利基NAND数据来源iFinDDRAMexchange东吴证券研究所图10典型NAND产品合约价格美元128Gb16Gx8MLC32Gb4Gx8MLC64Gb8Gx8MLC65432102018-11-302019-06-302020-01-312020-08-312021-03-312021-10-312022-05-312022-12-312023-07-31注释128Gb16Gx8MLC32Gb4Gx8MLC64Gb8Gx8MLC为主流NAND数据来源iFinDDRAMexchange东吴证券研究所Wafer涨势明确上游涨价意愿明确此外FlashWafer1TbTLCFlashWafer512GbTLC自7月21日开始上涨截止9月22日价格达到345172美元环比增幅158162FlashWafer256GbTLCFlashWafer128GbTLC价格自3月27日分别维持在100112美元820东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告图11典型FlashWafer产品现货价美元FlashWafer1TbTLCFlashWafer512GbTLCFlashWafer256GbTLCFlashWafer128GbTLC43532521510502023-03-312023-04-242023-05-172023-06-072023-06-302023-07-212023-08-112023-09-012023-09-22数据来源中国闪存市场东吴证券研究所22未来趋势底部已现涨价趋势确立2023Q4价格环比跌幅有望收敛涨价趋势确立迎来周期底部1DRAM美光与海力士等DRAM供应商陆续启动减产整体DRAM供给位元逐季减少加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力根据TrendForce数据预计DRAM均价跌幅由2023Q210-15收敛至2023Q30-5目前跌价过多的低价颗粒已出现涨价但由于全年库存仍处高位2023H2需求复苏情况仍不明确全面性上涨尚未到来基于原厂减产让价意愿减低合约价后续跌幅有限此外根据TrendForce表示预计第四季度DDR5会上涨涨幅最高可达102NAND自2023年8月下旬起部分NANDFlash价格出现两位数上涨在NANDFlash市场逐步回暖龙头大厂三星酝酿涨价背景之下国内存储厂商也陆续跟进但NANDFlash市场持续处于供给过剩状态即便下半年有季节性旺季需求支撑但目前买方仍持保守的备货态度此外重亏之下原厂趋于保利润坚定通过减产调节库存和控制供应NANDWafer相继强势拉涨并且上游的涨价有望持续发酵根据Trendforce数据第二季度NANDFlash市场需求仍低迷ASP续跌1015随着三星加大减产幅度预估第三季NANDFlash全产品均价跌幅收敛至510位元出货则随旺季备货动能上升920东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告表1NAND和DRAM的市场需求情况1Q232Q233Q23E4Q23EDRAM下降近20下降1015下降05上升约10NANDFlash下降1015下降1015下降510上升05数据来源TrendForce东吴证券研究所3产业玩家海外大厂持续减产库存优化环比逐季改善31海外大厂积极减产加速布局HBM新产品稼动率持续下降底部筑底信号显著23H2有望逐步回暖供给端的存储原厂稼动率与资本开支缩减明显资本开支的缩减将主要于23年下半年开始见效供给端的收缩有望带来行业回温根据TrendForce数据显示2023年Q2三星美光海力士的稼动率分别降至777482海力士与美光23年Q2的资本开支分别同比下降6240美光于23Q2业绩会上表示其减产将延续至2024年在以往的每个周期中三星都会进行逆周期生产的行动以占据更多市场份额但今年Q2三星大幅减产三星半导体工厂开工率只有40利润也降至6000亿韩元同比下降近96创14年来新低行业触底和失去中国市场是三星被迫减产的重要原因与此同时中国在加快自产自研国产替代趋势明显存储厂商缩减资本支出降低产能利用率受存储价格持续下跌影响自2022Q4起存储厂商纷纷采取缩减资本支出与降低产能利用率等方式以减少存储位供给从而逐步缓解供需错配现象如美光2023年资本支出由120亿美元调减至70-75亿美元同时预期减少2024年规划资本支出此外美光拟削减20综合产量2023全年维持产能稼动率为84DRAM产量规划低于2022年NAND产量略高于2022年存储厂商通过减少产能以快速达到供需平衡行业有望于2023Q3触底后开始逐步复苏表2部分存储厂商产能与资本支出规划产能规划资本支出规划其他措施4月宣布对存储芯片减产之后2023Q2稼动优化旧制程产线灵集团内部资金拆借三星率为777月份宣布延长减产措施并额外活调整2023年设备支持半导体部门资调整NAND闪存在内特定方面资本支出本支出2022Q4宣布减产2023Q2稼动率为8272023年在原有15-20削减管理岗位人数海力士月宣布围绕收益较低产品线减产进一步削万亿韩元基础上削减20-30减NAND产量5-1050以上资本支出将DRAM和NAND晶圆的开工量减少约2023年资本支出由放缓技术升级降20DRAMbit同比供应将减少NANDbit120亿美元调减至低运营成本裁员美光供应增长将显著低于之前的估计2023Q2稼70-75亿美元减少比例由2022年预动率为742024规划资本支出计的10提升至1020东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告152023年资本支出减2022年11月开始西部数据调整横滨与北上NANDFlash工厂产量从少至23亿美元下实施不超过10的铠侠2022年10月开始削减约30产量降15裁员计划数据来源TrendForce东吴证券研究所AI发展驱动新产品放量存储厂商加速布局HBM由生成式AI引发对HBM及相关高传输能力存储技术的需求HBM成为存储巨头在下行行情中对业绩的重要扭转力量海力士作为HBM产品领域的龙头不断推动HBM产品的升级迭代是唯一可以实现HBM3量产的厂商最新开发的HBM3E相比HBM3能够将数据传输速率提升25此外三星和美光也在积极布局HBM新产品三星电子和SK海力士正在积极加速推动12层HBM内存的生产美光HBM3Gen2将于2024年初量产并于7月26日宣布推出业界首款8层24GBHBM3Gen2内存芯片据TrendForce数据2022年SK海力士占据HBM市场50的份额三星占比40美光占比10三者成为HBM领域的垄断性三巨头表3三大存储厂商HBM产品规划情况HBM厂商HBM相关情况海力士公司开发出首款12层HBM3产品已向客户提供样品公司的HBM3E样品已供应客户预计明年上半年量产公司计划于2023年下半年开始提供HBM3E内存样品并于2024年开始量产计划于2026年推出第六代HBM芯片HBM4三星HBM2计划今年下半年大规模生产正准备批量生产年传输速度可达64Gbps的HBM316GB和12GB产品HBM3接受行业顶级客户资格认证最早将从今年10月份开始向英伟达供应HBM3预计下半年发布下一代HBM3P芯片美光HBM3Gen2内存正在向客户提供样品将于2024年初开始量产计划2024年推出更高容量的36GB12-HiHBM3Gen2堆栈公司已经在开发HBMNext内存数据来源公司官网东吴证券研究所32模组IC设计厂商库存去化效果显著业绩有望恢复增长部分模组厂积极备货原材料行业复苏预期向好2023年中报数据显示大部分模组厂库存原材料环比呈现增长且绝大多数模组厂库存周转天数环比有所下降模组厂开始备货预期未来价格及销量向好此外部分IC厂商库存商品环比减少存货周转天数环比有所下降去库存化效果良好效益有望下半年显现我们认为2023下半年1120东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告伴随下游需求逐步回暖存储市场供过于求与存储器价格下跌情形逐步扭转各厂家库存水位逐步正常化行业有望复苏图12存储模组厂商库存原材料情况概览数据来源iFinD东吴证券研究所图13存储IC设计厂商存货商品情况概览数据来源iFinD东吴证券研究所部分厂商Q2营收环比增加市场景气度呈向好态势2023上半年大多公司经历惨淡行情后尽管营收能力略有差异盈利水平均同比下滑但绝大多数厂商23Q2营收实现环比增长且同比下降幅度在收窄但盈利情况有待改善大部分厂商毛利率环比仍在下降伴随存储市场供过于求与存储器价格有逐渐恢复的趋势叠加人工智能提振存储产品销量业内厂商业绩有望恢复增长态势图14存储模组厂商2023年Q2业绩情况概览数据来源iFinD东吴证券研究所1220东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告图15存储IC设计厂商2023年Q2业绩情况概览数据来源iFinD东吴证券研究所4需求景气存储下游多领域需求回暖静待行业复苏存储下游应用以消费电子和服务器为主多领域助力存储需求近年来服务器占比提升存储广泛应用在手机平板PC数据中心汽车电子视频监控智能家居等市场根据智研咨询数据中国存储产业链下游主要应用为手机其占比为448占据了近半数的市场份额其次为电脑领域和服务器占比分别为131124NANDFlash目前主要以应用于手机市场的嵌入式存储产品应用于PC等消费类渠道市场的cSSD应用于服务器市场的eSSD产品为主其中近年来应用于服务器的eSSD需求占比有明显提升此外伴随着ChatGPT掀起的AIGC浪潮人工智能催生了可观的存储需求尤其是对DDR5和HBM产品图162022年中国存储下游应用占比213手机电脑448服务器85其他消费电子124其它131数据来源智研咨询东吴证券研究所41消费电子Q2需求逐渐回暖景气周期拐点或将显现2023H2全球笔电筑底反弹逐渐复苏笔电市场需求反弹2023年Q2为连续六1320东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告个季度以来首次恢复成长根据Canalys数据2023年Q2全球笔电出货量约4940万台环比增加182随着品牌整机及零部件库存逐步往可控水位靠拢渠道端压力缓解后回补需求逐渐浮现第三季将受惠传统季节性动能支撑返校潮节庆促销活动会进一步刺激备货需求带动全球笔电出货量增长图172022Q1-2023Q2全球笔电出货量笔电出货量万台环比700025206000155000104000503000-52000-10-151000-200-252022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q2数据来源Canalys东吴证券研究所智能手机出货量同比降幅收窄TWS耳机Q2实现环比增长2023Q2全球智能手机出货量为27亿部同比下降92相较于2023Q1同比下降147降幅有所收窄2023Q2全球TWS耳机销量为6816万台实现环比增长1072023年消费电子需求整体处于弱复苏状态华为苹果智能手机新品相继发布终端需求有望加速回暖预计行业整体下行空间有限景气周期拐点或将显现图182022Q1-2023Q2全球智能手机出货量图192022Q1-2023Q2全球TWS耳机销量智能手机出货量亿部环比TWS出货量万台环比35490002520328000700015250600010-2525000-40154000-6-53000-101-82000-1505-101000-200-120-252022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q22022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q2数据来源Counterpoint东吴证券研究所数据来源Canalys东吴证券研究所可穿戴设备市场中国产品牌份额持续提升ARVR产品持续创新空间广阔23Q2华为智能手表出货量占全球10随着健康监测需求增加以及设备集成度的提高对NAND型存储器eMMCSPINAND等需求不断增加23Q2全球VR出货环比下降267AR环比增长1091TrendForce指出原因主要是高端新型产品销售不如预期伴随着5G商用高带宽低延迟以及云计算技术的东风ARVR行业增量空间广阔1420东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告带动DRAM需求提升图202022Q2和2023Q2华为智能手表全球出货占比图212022Q1-2023Q2中国ARVR市场出货量华为智能手表全球出货量占比AR出货量万台VR出货量万台123510302582061541025002022Q22023Q22022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q2数据来源CounterpointResearch东吴证券研究所数据来源IDC东吴证券研究所42服务器势头放缓AI拉动存储空间广阔受通胀压力等多因素影响全球服务器出货量增长放缓由于今年全球性通胀压力及北美大型云服务商削减支出造成预算排挤效应国内通讯运营商招标延期并下调数量导致今年服务器需求不及预期AI服务器出货量虽大幅增长但目前占整体服务器出货比例仍不及1成故尚无法反转整体服务器疲弱态势虽预期第三四季度服务器整机出货环比第二季略有增长然24年Q1出货量恐将转为衰退根据TrendForce数据2023年整体服务器整机出货量预计年减592024全年服务器整机出货量预估同比增长23图222022Q1-2024Q4全球服务器出货量出货量万台环比同比3702536020350153401033053200310300-5290-10280-15270-202022Q12022Q32023Q12023Q3E2024Q1E2024Q3E数据来源TrendForce东吴证券研究所AI应用推动存储需求有望加速存储行业周期触底反转对比普通服务器AI服务器对存储器的算力的需求更高需要普通服务器8倍量的DRAM和3倍量的NAND1520东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告AI应用如ChatGPTBing文心一言等爆火全球互联网厂商在AIGC相关领域加大投资综合自动驾驶技术AIoT与边缘运算的需求上升AI服务器需求有望快速增长TrendForce预计2022-2026年期间AI服务器出货量复合增长率为22预计2023年出货量达到1183万台占整体服务器出货量约9其中中国大陆的AI服务器出货量约28万台占比2AI服务器的算力需求需要先进制程大容量规格的存储产品包括DDR5HBM以及大容量SSD根据TrendForce数据AI服务器对DRAM内存的需求量是1217TBSSD内存的需求量为41TBHBM容量需求为320640GB图232022-2026E全球AI服务器出货量图24AI服务器中存储器需求量出货量万台25020015010050020222023E2024E2025E2026E数据来源TrendForce东吴证券研究所数据来源TrendForce东吴证券研究所AI驱动HBM需求大增三星在二季度业绩会上表示预计2023年和2024年HBM的需求可能出现陡峭增长据TrendForce数据目前高端AI服务器GPU搭载HBM已成主流预估2023年全球HBM需求量将年增近六成来到29亿GB2024年将再增长三成2023年HBM将处于供不应求态势到2024年供需比有望改善根据SK海力士数据一台AI服务器需要至少500GB的HBM高带宽内存芯片预测从2023到2027年HBM市场复合年均增长率达到82AI服务器出货量的增长将直接带动高规格大容量新存储产品海力士预计AI服务器内存包括HBMDDR4和DDR5在整个服务器内存市场的份额将从2023年的17增加到2028年后的38DDR5HBM以及固态硬盘SSD产品出货量有望快速提升存储器价格方面根据DRAMexchange数据2022年7月31日8GbDDR4合约价格为288美金2023年同日价格为134美金根据海力士数据HBM价格至少是DRAM价格的3倍我们假设HBM价格为DDR4的5倍根据需求容量区间计算出上下限后取平均值计算出2023年全球AI服务器存储市场规模为76亿美元预计2026年能达到4924亿美元23-26年CAGR为8642023年中国大陆AI服务器存储价值市场规模均值为212亿美元预计2026年能达到1143亿美元2023-2026年CAGR为7531620东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告表42023AI服务器存储增量空间测算预设假设HBM价格为DDR4的5倍假设2026年1TBSSD价格下降20假设2023年1TBSSD单价为300美金TB项目20222023E2026E全球服务器出货量亿台014201340158AI服务器占比6915AI服务器出货量亿台0008550118300237单个AI服务器存储价值量均值美金-64206207759全球AI服务器存储市场规模亿美金-764924中国服务器出货量占比223中国AI服务器出货量亿台000280003300055中国AI服务器存储市场规模亿美金-2121143数据来源DramExchangeTrendForce东吴证券研究所43车载领域前景广阔或成蓝海市场2023年汽车市场景气度上升对多种车用存储器的需求与技术要求提升车用存储器潜力巨大下游应用对容量处理速度以及算法要求提升驱使存储器技术加速更新迭代有望实现销量较大增长NAND和DRAM的增长点来自智能驾驶舱ADAS高级驾驶辅助系统系统的升级以及配合5G与AI自动驾驶的需求落地智能驾驶仓主要使用NAND与DRAM产品ADAS主要运用DRAM高密度NORFlash产品以及用于智能传感器的SLCNand产品ADAS和AI自动驾驶对DRAM的容量带宽以及计算能力的要求不断提高同时需要大容量高性能NAND支持信息储存功能汽车DRAM市场份额方面2021年美光占据全球汽车DRAM存储市场45份额2022年推出的LPDDR5和UFS31已经被应用于理想L9可为L9的ADAS实现最高L4级自动驾驶功能国产替代方面北京君正通过收购北京矽成切入车载存储领域目前已与Tier1车厂达成合作市场份额达到15仅次于美光随着美光产品被禁我们认为将加速国内厂商在车载领域的国产化替代1720东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告图252021全球汽车DRAM存储市场份额美光科技119北京君正45三星9南亚科11华邦电15其他数据来源半导体投资联盟东吴证券研究所根据Yole数据2021年全球半导体市场规模28由存储市场组成车载存储市场占全球存储市场262021-2027年CAGR保持20的高增长2021年全球车载存储市场规模为43亿美元预计2027年市场规模达到125亿美元其中车用DRAM份额占比从41提升至63表5车载存储市场规模测算数值2021年全球半导体市场规模亿美元58302021年全球存储市场规模亿美元16322021年全球车载半导体市场亿美元4082021车载存储市场规模亿美元4320212027车载存储市场增速20预计2027年车载存储市场规模亿美元125数据来源Yole东吴证券研究所5投资建议通过对产业链主要玩家减产动作库存及价格开始见底反弹等观测我们认为当前存储行业拐点已至并且在部分DRAM价格上涨NANDFlashwafer合约价成功拉涨国产化主线确定等催化下我们在当前时点看好存储产业拐点确立以及国产化进程加速伴随下游AI服务器新能源汽车等新需求及消费电子家电工控等多领域需求复苏催化拉动基于产业配套及国产化替代等逻辑我们认为存储产业投资重点看三条主线1周期底部到来更看好龙头弹性兆易创新国内NORFlash龙头北京君正国内车载存储龙头企业江波龙国内存储模组领域龙头等2国产化主线万润科技与长江存储密切合作东芯股份SLCNAND龙头德明利主控芯片设计厂厂商恒烁股份NOR存算一体普冉股份国内1820东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分行业深度报告NORFlash和EERPOM头部企业佰维存储聚辰股份澜起科技等3产业配套配套长鑫长存三星海力士等大厂的上游材料设备封测厂商等6风险提示1下游复苏不及预期风险下半年为电子产品传统旺季如果下游需求仍然偏弱则存储厂商营业收入与盈利能力或将受到影响2存储价格反弹不及预期风险如果存储供需错配情况持续存储价格反弹时间将持续往后延3宏观经济形势变化风险如果美联储持续加息将导致宏观环境持续下行或者经济复苏不及预期进而将影响存储行业恢复供需平衡4龙头厂商减产不及预期风险当前龙头厂商持续减产如果后续力度不及预期则供需错配情况持续时间拉长1920东吴证券研究所请务必阅读正文之后的免责声明部分免责及评级说明部分免责声明东吴证券股份有限公司经中国证券监督管理委员会批准已具备证券投资咨询业务资格本研究报告仅供东吴证券股份有限公司以下简称本公司的客户使用本公司不会因接收人收到本报告而视其为客户在任何情况下本报告中的信息或所表述的意见并不构成对任何人的投资建议本公司及作者不对任何人因使用本报告中的内容所导致的任何后果负任何责任任何形式的分享证券投资收益或者分担证券投资损失的书面或口头承诺均为无效在法律许可的情况下东吴证券及其所属关联机构可能会持有报告中提到的公司所发行的证券并进行交易还可能为这些公司提供投资银行服务或其他服务市场有风险投资需谨慎本报告是基于本公司分析师认为可靠且已公开的信息本公司力求但不保证这些信息的准确性和完整性也不保证文中观点或陈述不会发生任何变更在不同时期本公司可发出与本报告所载资料意见及推测不一致的报告本报告的版权归本公司所有未经书面许可任何机构和个人不得以任何形式翻版复制和发布经授权刊载转发本报告或者摘要的应当注明出处为东吴证券研究所并注明本报告发布人和发布日期提示使用本报告的风险且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