中国刻蚀设备和MOCVD设备龙头，逐步拓展薄膜沉积、Epi设备。
　　公司是国内领先的半导体刻蚀设备及MOCVD设备制造商，逐步向薄膜沉积设备、Epi设备延展。随着国产替代推进及公司产品力提升，公司营收利润快速增长，2022年公司营业收入47.4亿元，同比增长53%，2017-2022年CAGR为37%；实现归母净利润11.7亿元，同比增长16%，2017-2022年CAGR为108%。产品端，公司刻蚀设备已广泛应用于65 nm到5 nm逻辑和64层、128层3DNAND量产线；MOCVD设备在全球氮化镓基LED设备占据龙头地位，二代Mini LED、Micro LED、功率器件设备积极研发推进；薄膜沉积设备方面，公司已推出用于钨沉积的CVD和ALD设备，并积极推进硅锗外延EPI设备研发。2022年公司新签订单63.2亿元，同比增加53%。产品线的不断延展，推进公司市场空间持续拓展。
　　自主可控驱动国产化率提升，刻蚀设备龙头引领先进制程突破。
　　刻蚀设备是集成电路三大核心设备之一，2022年全球市场220亿美元，占总设备市场的22%。我们预计2022-2025年中国大陆刻蚀设备市场空间平均约377亿元/年。存储器件3D化、逻辑芯片制程缩小，刻蚀设备需求量及要求大幅提升。公司在刻蚀设备领域深耕多年，CCP设备行业领先，ICP设备持续突破。CCP设备方面，公司市占率不断提升，2022年付运CCP刻蚀设备475腔，同比增长59%。公司CCP产品已覆盖28nm及以上的绝大部分和28nm以下的大部分刻蚀。逻辑端针对28nm及以下大马士革刻蚀已经入验证阶段，存储端高深宽比刻蚀已在客户端验证具有刻蚀≥60:1深宽比结构的能力。截至2023年二季度，公司累计生产付运2500个CCP刻蚀反应台。ICP设备方面，公司Primo nanova系列产品自推出以来市场迅速扩大，截至2022年底出货量已达到297台，同时ICP设备产品种类不断丰富，分别推出VE、UE、LUX用于高深宽比结构刻蚀和高均匀性刻蚀。
　　立足优势蓝光LED领域，发力高端LED、功率器件市场。
　　MOCVD常用于制造LED、激光器、功率器件、射频器件等，其中LED为第一大应用。Mini/Micro LED产业化与功率器件市场的发展带动MOCVD设备需求提升。公司氮化镓基LED设备处于全球龙头地位。2021年针对Mini LED市场推出量产MOCVD设备，截至2022年底累计出货量已超120腔。在功率器件市场方面，公司已推出氮化镓功率器件MOCVD设备并获得先进客户重复订单，目前碳化硅、二代氮化硅功率器件的设备积极研发中。
　　内生外延协同发展，积极推进平台化布局。
　　公司持续稳步推进三维发展战略，在保持刻蚀设备和MOCVD设备竞争优势的同时，向半导体薄膜沉积、检测设备延伸，并积极扩展MEMS、功率器件、太阳能领域等泛半导体设备，探索环保及医疗健康设备等市场机会。内生方面，公司布局薄膜沉积设备领域，成功推出钨LPCVD、ALD设备并在客户端进行量产验证，积极推进ALD氮化钛设备和锗硅外延EPI设备研发。外延方面，公司积极进行投资与并购，投资睿励仪器（量测设备）和拓荆科技（薄膜沉积）等，通过外延式成长途径扩大产品和市场覆盖，平台化布局不断完善。
　　盈利预测与估值：我们预计2023-2025年公司营业收入分别为63.86、79.63、102.62亿元，同比增长34.7%、24.7%、28.9%；归母净利润分别为17.62、18.64、24.49亿元，同比增长50.7%、5.79%、31.3%；对应PE分别为46、43、33倍，给予“买入”评级。
　　风险提示晶圆厂扩产不及预期、设备国产化进度不及预期、外部制裁加剧风险。
　　

研究报告全文：证券研究报告公司深度半导体中微公司688012报告日期2023年08月29日刻蚀设备国产替代领军者内生外延驱动稳健成长中微公司深度报告投资要点投资评级买入首次中国刻蚀设备和MOCVD设备龙头逐步拓展薄膜沉积Epi设备公司是国内领先的半导体刻蚀设备及MOCVD设备制造商逐步向薄膜沉积设分析师邱世梁备Epi设备延展随着国产替代推进及公司产品力提升公司营收利润快速增执业证书号S1230520050001长2022年公司营业收入474亿元同比增长532017-2022年CAGR为qiushiliangstockecomcn37实现归母净利润117亿元同比增长162017-2022年CAGR为分析师王华君108产品端公司刻蚀设备已广泛应用于65nm到5nm逻辑和64层128执业证书号S1230520080005层3DNAND量产线MOCVD设备在全球氮化镓基LED设备占据龙头地位wanghuajunstockecomcn二代MiniLEDMicroLED功率器件设备积极研发推进薄膜沉积设备方分析师蒋高振面公司已推出用于钨沉积的CVD和ALD设备并积极推进硅锗外延EPI设备执业证书号S1230520050002研发2022年公司新签订单632亿元同比增加53产品线的不断延展推jianggaozhenstockecomcn进公司市场空间持续拓展分析师厉秋迪自主可控驱动国产化率提升刻蚀设备龙头引领先进制程突破执业证书号S1230523020001刻蚀设备是集成电路三大核心设备之一2022年全球市场220亿美元占总设liqiudistockecomcn备市场的22我们预计2022-2025年中国大陆刻蚀设备市场空间平均约377亿元年存储器件3D化逻辑芯片制程缩小刻蚀设备需求量及要求大幅提升研究助理王一帆公司在刻蚀设备领域深耕多年CCP设备行业领先ICP设备持续突破CCPwangyifan01stockecomcn设备方面公司市占率不断提升年付运刻蚀设备腔同比增长2022CCP47559公司CCP产品已覆盖28nm及以上的绝大部分和28nm以下的大部分刻基本数据蚀逻辑端针对28nm及以下大马士革刻蚀已经入验证阶段存储端高深宽比刻收盘价13880蚀已在客户端验证具有刻蚀601深宽比结构的能力截至2023年二季度公总市值百万元8580595司累计生产付运2500个CCP刻蚀反应台ICP设备方面公司Primonanova系总股本百万股61820列产品自推出以来市场迅速扩大截至2022年底出货量已达到297台同时ICP设备产品种类不断丰富分别推出VEUELUX用于高深宽比结构刻蚀和股票走势图高均匀性刻蚀中微公司上证指数立足优势蓝光领域发力高端功率器件市场54LEDLED36MOCVD常用于制造LED激光器功率器件射频器件等其中LED为第一18大应用MiniMicroLED产业化与功率器件市场的发展带动MOCVD设备需求0提升公司氮化镓基设备处于全球龙头地位年针对市场-18LED2021MiniLED-36推出量产MOCVD设备截至2022年底累计出货量已超120腔在功率器件市22102211221223012302230323042305230623072308场方面公司已推出氮化镓功率器件MOCVD设备并获得先进客户重复订单2208目前碳化硅二代氮化硅功率器件的设备积极研发中相关报告内生外延协同发展积极推进平台化布局1日本管制存储安全中微公司持续稳步推进三维发展战略在保持刻蚀设备和设备竞争优势的MOCVD公司尽显20230405同时向半导体薄膜沉积检测设备延伸并积极扩展MEMS功率器件太2中微公司如何看待中微公阳能领域等泛半导体设备探索环保及医疗健康设备等市场机会内生方面公司市值成长空间20220509司布局薄膜沉积设备领域成功推出钨LPCVDALD设备并在客户端进行量产验证积极推进ALD氮化钛设备和锗硅外延EPI设备研发外延方面公司积极进行投资与并购投资睿励仪器量测设备和拓荆科技薄膜沉积等通过外延式成长途径扩大产品和市场覆盖平台化布局不断完善盈利预测与估值我们预计2023-2025年公司营业收入分别为6386796310262亿元同比增长347247289归母净利润分别为176218642449亿元同比增长507579313对应PE分别为464333倍给予买入评级风险提示晶圆厂扩产不及预期设备国产化进度不及预期外部制裁加剧风险httpwwwstockecomcn139请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度财务摘要Table百万元Forcast2022A2023E2024E2025E营业收入47406386796310262-5250347424692886归母净利润1170176218642449-156650665793133每股收益元189285302396PE6899457943293296资料来源浙商证券研究所httpwwwstockecomcn239请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度投资案件盈利预测估值与目标价评级我们预计2023-2025年公司营业收入分别为6386796310262亿元同比增长347247289归母净利润分别为176218642449亿元同比增长507579313对应PE分别为464333倍给予买入评级关键假设1国内晶圆厂产能持续扩张2半导体设备国产化加速公司刻蚀设备市占率不断提升3MiniLED促进MOCVD设备需求MicroLED与功率器件领域的发展带动MOCVD设备接续放量我们与市场观点的差异1市场担心公司刻蚀设备市占率提升面临困难我们认为公司自主创新水平高CCPICP刻蚀技术已打破国际垄断被广泛应用于国内外一线客户从65纳米到5纳米的先进工艺加之国内晶圆厂扩产与芯片制程升级带动刻蚀设备需求提升自主可控驱动设备国产化加速公司作为刻蚀设备国产替代引领者市占率有望迅速提升2市场担心公司产品结构固定长期增长动力不足我们认为公司在深耕刻蚀设备的同时不断进行三维发展目前公司已成功开发出12英寸LPCVDALD设备进军薄膜沉积设备领域同时投资睿励仪器检测设备和拓荆科技薄膜沉积等公司扩大产品和市场覆盖自主研发外延生长的发展方式为公司持续健康发展提供了强劲支撑股价上涨的催化因素下游客户招标设备国产化加速推进核心卡脖子设备获得客户验证风险提示晶圆厂扩产不及预期刻蚀设备国产化进度不及预期外部制裁风险httpwwwstockecomcn339请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度正文目录1中国刻蚀和MOCVD设备龙头研发创新驱动公司高速成长711国内刻蚀设备和MOCVD设备龙头内生外延驱动成长712管理层行业经验丰富全员股权激励充分绑定人才913自主创新能力强研发投入不断提高1114营收利润高速增长订单充足为未来业绩提供保障122国产替代加速与先进制程升级共振刻蚀设备市场空间广阔1421全球半导体设备千亿美元市场中国大陆是全球最大市场1422晶圆厂扩产叠加地缘政治因素设备国产化势在必行1623芯片制程升级结构复杂化拉动刻蚀设备需求1924公司刻蚀设备打破海外垄断产品矩阵不断丰富223MiniLED带动MOCVD设备新需求MicroLED功率器件有望接力发展2631MOCVD是化合物半导体外延制造核心技术预计2026年市场达44亿元2632MOCVD设备是LED外延片生产的关键设备价值量占比超502733MiniLED商业化开启带动MOCVD设备需求提升2834公司MOCVD设备布局行业前沿在氮化镓基LED领域市场份额第一304定增加码持续扩产内生外延平台化布局加速推进3141对比全球刻蚀设备龙头泛林中微公司具有相似成长路径3142布局薄膜沉积设备和检测设备领域三维战略持续推进335盈利预测与投资建议3551盈利预测3552估值分析366风险提示37httpwwwstockecomcn439请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度图表目录图1公司深耕于半导体设备行业引领国内半导体设备技术发展7图22022年专用设备累计装机台数同比增长409图3公司下游客户包括众多国内外知名企业9图4公司前两大股东合计持股约309图52022年研发投入营收占比达195911图6公司研发投入占营收比重远超科创板半导体公司均值11图7公司累计申请专利2259项截至2022年底11图8发明专利累计申请占比高达86截至2022年底11图92022年研发人员占比429312图10研发人员约90以上拥有本科及以上学历12图11公司2022年营收474亿元yoy5312图12公司2022年归母净利润117亿元yoy1612图13刻蚀设备和MOCVD设备是公司营业收入的主要来源13图142022年刻蚀和MOCVD设备合计占公司营收8113图152022年公司毛利率为457净利率为24613图16刻蚀设备毛利率稳定维持在45左右13图172022年合同负债同比增长599914图182022年末存货达3402亿元14图19全球半导体市场具有周期性波动的特点总体呈上升态势14图20半导体设备是数字经济的基石15图21全球半导体设备市场呈现出与半导体市场相似的波动性15图22晶圆制造设备占半导体设备市场比重最大十亿美元15图23中国大陆连续三年成为全球最大的半导体设备市场16图242022年中国大陆半导体设备销售额占全球26316图252021-2023年中国大陆新建晶圆厂数量最多单位座16图262023年全球AI芯片市场规模同比357319图272023年中国AI芯片市场规模同比418819图28光刻刻蚀和薄膜沉积是半导体制造三大核心工艺19图29通过刻蚀把光刻胶上图形转移到待刻蚀的薄膜上19图302022年刻蚀设备占晶圆制造设备价值量约22占比最大20图31CCP主要用于刻蚀高深宽比的深孔深沟等微观结构20图32ICP主要用于刻蚀较软和较薄的材料20图33芯片线宽缩小使得刻蚀步骤数大幅增加21图34采用多重模板技术以满足14纳米以下尺寸需求21图35相比2DNAND3DNAND对刻蚀深宽比提出更高要求21图363DNAND下刻蚀设备占设备采购比重提升至40左右21图37全球前三大刻蚀设备厂商市占率合计达90以上23图38大马士革刻蚀工艺技术要求最高市占率最大23图39公司CCP刻蚀机可刻蚀601极高深宽比23图40公司CCP刻蚀产品系列在大马士革刻蚀和极高深宽比刻蚀方面取得进展24图41PrimoNanova系列产品出货量已达到297台24图42公司ICP刻蚀设备产品系列及发展路线24httpwwwstockecomcn539请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度图43先进逻辑器件领域公司CCP和ICP刻蚀设备近期目标市占率分别提升至60和7525图44先进存储器件领域公司CCP和ICP刻蚀设备国内市场近期目标市占率分别提升至85和6525图45MOCVD常用于形成III-V族化合物膜层26图462020-2026年MOCVD设备在下游应用领域的占比27图47预计2026年全球MOCVD设备市场630百万美元27图48衬底加工外延片生产芯片制造封装和应用是LED产业链的五个主要环节27图49外延片生产通过MOCVD单种设备实现27图502022年通用照明占LED下游应用市场约4628图51LED照明市场增速放缓28图52MiniLED尺寸介于MicroLED和小间距显示之间28图53背光和直接显示是MiniLED的两大应用场景29图542023年MiniLED背光面板出货量预计达到2210万片同比1729图552020年MOCVD设备销售额中微公司位列全球第二30图56公司氮化镓基LEDMOCVD设备打破国际垄断30图57公司MOCVD设备2022年累计付运台数超过500腔2017-2022年CAGR3531图58公司稳步推进三维发展战略33图59公司推出12英寸LPCVD设备34图60公司预计可覆盖超50亿美元薄膜沉积设备市场34图61公司已全面覆盖刻蚀设备及部分薄膜沉积设备并通过投资布局了光学检测设备34表1公司设备包括刻蚀MOCVDLPCVD等种类不断丰富8表2公司董事长及核心技术人员行业经验丰富9表3全员股权激励深度绑定人才彰显公司未来发展信心10表4中国大陆晶圆厂8英寸扩产规划16表5中国大陆晶圆厂12英寸扩产规划17表6美日荷联合封锁进一步强化半导体设备国产替代逻辑18表7国家政策支出半导体行业发展18表8预计2022-2025年中国大陆刻蚀设备市场空间平均每年约377亿元22表9公司CCPICP刻蚀设备产品覆盖范围不断扩大产品矩阵持续丰富25表10公司已推出五款MOCVD设备在研两款MOCVD设备LED领域处于领先地位发力功率器件领域30表11LamResearch通过自主研发外延并购成长为国际半导体设备龙头32表12泛林已形成沉积刻蚀清洗多种产品系列32表13定增加码提升产能水平和研发水平33表14营业收入预测单位百万元35表15半导体设备板块估值表2023年8月29日36表附录三大报表预测值38httpwwwstockecomcn639请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度1中国刻蚀和MOCVD设备龙头研发创新驱动公司高速成长11国内刻蚀设备和MOCVD设备龙头内生外延驱动成长中国半导体刻蚀MOCVD设备龙头设备类型不断拓展公司于2004年成立从刻蚀设备起步逐步拓展至MOCVDVOCLPCVD等设备下游包括集成电路LED外延片先进封装MEMS等半导体产品制造公司客户遍布中国大陆和台湾新加坡韩国德国意大利俄罗斯等国家和地区是一家以中国为基地面向全球的微观加工高端设备公司图1公司深耕于半导体设备行业引领国内半导体设备技术发展资料来源公司招股说明书公司2021年年报浙商证券研究所公司目前主要营收来源为刻蚀和MOCVD设备发力LPCVDALDEpi等半导体设备公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国内外一线客户从65nm到14nm7nm和5nm及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线上截至2022年底公司共有3311多个反应台在86家客户的106条生产线上实现全面量产1CCP刻蚀设备在逻辑器件方面公司CCP刻蚀设备在5nm及以下芯片生产线实现批量销售在存储器件方面公司CCP刻蚀设备在3DNAND生产线被广泛应用通过了多个动态存储器的工艺验证并取得重复订单2022年公司共付运475个CCP刻蚀设备反应腔同比增长592ICP刻蚀设备公司的ICP刻蚀设备涵盖7nm及以下的逻辑芯片17nm及以下的DRAM芯片和3DNAND存储芯片的刻蚀应用已在超过20家客户的生产线上进行了100多个工艺验证8英寸和12英寸深硅刻蚀设备在晶圆级先进封装25维封装和微机电系统芯片生产线等市场取得重复订单300mm的3D芯片的硅通孔刻蚀设备已验证3MOCVD设备公司产品可应用于制造蓝光LED深紫外光LEDMiniLEDGaN功率器件用于碳化硅功率器件和Micro-LED的MOCVD设备处于开发中截至2022年公司MOCVD累计付运已超过500腔4LPCVD设备2023年公司推出12英寸低压化学气相沉积设备PreformaUniflexCW可满足先进逻辑器件DRAM和3DNAND中接触孔以及金属钨线的填充应用需求httpwwwstockecomcn739请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度表1公司设备包括刻蚀MOCVDLPCVD等种类不断丰富产品类别图示应用领域应用进展产品型号PrimoD-RIEIC制造中氧化硅氮化硅及涵盖5nm及以下逻辑芯片PrimoAD-RIECCP低介电系数膜层等电介质材及200层以上3DNAND存PrimoSD-RIE料的刻蚀储芯片的刻蚀应用PrimoHD-RIEPrimoUD-RIE涵盖7nm及以下逻辑芯IC制造中单晶硅多晶硅及片17nm及以下DRAM芯PrimonanovaSE多种介质等材料的刻蚀片和3DNAND存储芯片的PrimoTwinstar刻蚀应用ICP深硅刻蚀主要应用于CMOS12英寸的3D芯片的硅通图像传感孔刻蚀工艺上得到成功验PrimoTSV200E器MEMS芯片25D芯证并在欧洲客户新建的PrimoTSV300E片3D芯片等通孔及沟槽的12英寸微机电系统芯片刻蚀产线上获得认证的机会PrismoD-BLUE氮化镓基LED领域全球龙PrismoA7LEDMiniLEDGaN基功率头MiniLED设备批量MOCVDPrismoHiT3器件出货GaN功率器件领域PrismoUnimax设备已出货验证PrismoPD5先进逻辑器件DRAM和3D2023年新推出样机已LPVCDNAND中接触孔以及金属钨线通过关键客户的工艺验PreformaUniflexCW的填充证目前处于量产验证中平板显示生产线等工业用的广泛应用于国内IC面VOC空气净化板显示等行业资料来源公司公告公司官网浙商证券研究所公司下游客户涵盖国内外一线企业累计装机数快速增长截至2022年底公司由超过3311个反应台在86家客户106条产线全面量产2022年同比增长40刻蚀设备方面公司产品已成功进入知名芯片制造商的供应链体系主要客户有台积电中芯国际联华电子华力微电子海力士长江存储华邦电子晶方科技格罗方德博世意法半导体等MOCVD设备方面公司产品在客户端不断得到验证主要客户包括兆驰股份三安光电璨扬光电华灿光电乾照光电等行业领先LED供应商httpwwwstockecomcn839请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度图22022年专用设备累计装机台数同比增长40图3公司下游客户包括众多国内外知名企业资料来源公司公告浙商证券研究所资料来源公司招股书浙商证券研究所12管理层行业经验丰富全员股权激励充分绑定人才公司股权结构较为分散无控股股东和实际控制人截至2022年底公司第一大股东上海创投的持股比例为1564第二大股东巽鑫投资的持股比例为1515二者持股比例接近公司无控股股东和实际控制人重要事项由各方共同参与决策国家集成电路产业投资基金大基金通过巽鑫投资持有公司1515的股权通过大基金二期持有公司397的股权累计持有1912的股权前十大股东中嘉兴智微和中微亚洲为员工持股平台合计占比624图4公司前两大股东合计持股约30资料来源Wind浙商证券研究所管理团队技术背景深厚拥有丰富的行业经验公司创始人董事长及总经理尹志尧博士有近40年半导体行业经验在创办公司之前在英特尔泛林半导体从事核心技术开发工作在应用材料担任高级管理职务是89项美国专利和200多项其他海内外专利的主要发明人公司核心技术人员大部分具有国际知名半导体设备公司如泛林半导体应用材料或知名Fab厂工作经历拥有丰富经验和国际视野是行业内资深的技术专家和管理专家表2公司董事长及核心技术人员行业经验丰富姓名职务学历工作经历1984年至1986年就职于英特尔中心技术开发部担任工艺工程师1986年至1991年就职于泛林半导体历任研发部资深工程师研发部资深经理1991年至尹志尧董事长总经理加州大学洛杉矶分校博士2004年就职于应用材料历任等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理亚洲总部首席技术官倪图强核心技术人员美国德州大学博士博士后1995年至2004年担任泛林半导体技术总监httpwwwstockecomcn939请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度1993年至1995年担任智群科技股份有限公司项目经理1995年至2004年担杨伟核心技术人员西安交通大学硕士任应用材料软件部资深总监1967年出生新加坡国籍1995年至2002年担任新加坡特许半导体蚀刻资深工程师2002年至2003年担任美国台积电海外厂蚀刻资深工程师2003年至丛海核心技术人员新加坡国立大学硕士2018年担任新加坡GlobalFoundries蚀刻部技术总监2020年加入中微公司现任中微公司董事副总裁刻蚀产品部总经理1975年出生中国国籍1997年至2002年担任武汉理工大学校办工厂机械工程师2002年至2003年担任捷锐气压设备机械工程师2003年至2005年担任精技陶珩核心技术人员上海交通大学硕士机电机械工程师2005加入中微公司现任公司董事集团副总裁LPCVD产品部和公共平台工程部总经理姜勇核心技术人员上海交通大学硕士1974年出生中国国籍2005年加入中微公司现任MOCVD产品部副总经理1970年出生中国台湾籍2000年至2018年就职于泛林半导体任资深客户服陈煌琳核心技术人员台湾工业技术学院学士务经理2018年加入中微公司现任中微公司副总裁ICP产品部总经理1977年出生新加坡国籍2002年至2004年就职于中芯国际担任蚀刻工艺工程刘志强核心技术人员清华大学硕士师2004年至2008年担任新加坡特许半导体蚀刻主任工程师2008年加入中微公司现任中微公司副总裁CCP刻蚀部总经理1982年出生中国国籍2007年至2010年就职于中芯国际逻辑技术研发部担何伟业核心技术人员南京大学硕士任工艺工程师2011年至2021年就职于应用材料历任技术主管产品经理2021年加入中微公司现任中微LPCVD产品部总经理资料来源公司公告浙商证券研究所核心技术人员名单截至2023年中报实行全员股权激励政策深度绑定人才提高凝聚力公司于2020年2022年2023年连续推出限制性股票激励计划2023年3月30日公司发布股票激励计划拟向1390名激励对象授予50元股的限制性股票占公司员工总数的9943全员持股有利于激发员工的主观能动性和创新创造力进一步稳定和激励员工为公司持续健康发展注入动力表3全员股权激励深度绑定人才彰显公司未来发展信心2020年限制性股票激励计划授予对象行权条件预计摊销授予价格预计会计成本人数占比归属期对应考核年度业绩考核目标及对应公司层面归属比例年份万元X255时公司层面归属100第一个归属期2020200X255时公司层面归属802020年1219155X200时公司层面归属0X460时公司层面归属100第二个归属期2021370X460时公司层面归属802021年1833189X370时公司层面归属0X700时公司层面归属100第三个归属期2022560X700时公司层面归属802022年964868150元股700人9186X560时公司层面归属0X980时公司层面归属100第四个归属期2023800X980时公司层面归属802023年481937X800时公司层面归属0考核方式以2016-2018年度的营业收入均值为基础根据各考核年度的营业收入累计值通过2019年至当个考核年度营业收入之和计算得出如2021考2024年144621核年度营业收入累计值为2019-2021年营业收入累计值定比2016-2018年度营业收入均值的年度累计营业收入增长率据此确定每个考核年度的实际营业合计464377收入增长率X并确定公司层面归属比例2022年限制性股票激励计划授予对象行权条件预计摊销授予价格预计会计成本人数占比归属期对应考核年度业绩考核目标及对应公司层面归属比例年份万元X20时公司层面归属100第一个归属期202215X20时公司层面归属802022年1034198X15时公司层面归属0X45时公司层面归属10050元股1104人9937第二个归属期202335X45时公司层面归属802023年888622X35时公司层面归属0X70时公司层面归属100第三个归属期202450X70时公司层面归属802024年485178X50时公司层面归属0httpwwwstockecomcn1039请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度X100时公司层面归属100第四个归属期202575X100时公司层面归属802025年232716X75时公司层面归属0考核方式以2021年度的营业收入为基数根据各考核年度的营业收入定比2026年432862021年度营业收入的营业收入增长率计算出X确定各年度的业绩考核目标对应的归属期及公司层面归属比例合计268402023年限制性股票激励计划授予对象行权条件预计摊销授予价格预计会计成本人数占比归属期对应考核年度业绩考核目标及对应公司层面归属比例年份万元第一个归属期2023X对标企业算术平均增长率时2023年1639909公司层面归属100第二个归属期2024对标企业算术平均增长率08X对标企2024年2206497业算术平均增长率时公司层面归属80第三个归属期20252025年1179406X对标企业算术平均增长率08时50元股1361人9943公司层面归属0第四个归属期20262026年590329考核方式以公司2022年度的营业收入为基数根据各考核年度的营业收入累计值定比基数的年度累计营业收入增长率X确定各年度的业绩考核目标对应2027年167109的公司层面归属比例注对标企业指Gartner公布的相应年度全球半导体设备厂商销售额排名前五位的公司对标企业算数平均增长率各对标企业各考核年度的营业收入累计值定比2022年度的累计营业收入增长率之和除以合计578325五资料来源公司公告浙商证券研究所13自主创新能力强研发投入不断提高高度重视研发2022年研发投入占营收比重达20公司高度重视核心技术的创新投入大量研发费用开发设计和制造刻蚀设备薄膜沉积设备MOCVD设备等近年来公司研发投入不断提升2022年研发投入93亿元占营收比重约20公司保持高研发投入且不断增加研发投入占比远超科创板半导体公司均值图52022年研发投入营收占比达1959图6公司研发投入占营收比重远超科创板半导体公司均值研发投入亿元营收占比中微公司科创板均值科创板半导体公司10404035830302562020415101025000201720182019202020212022201720182019202020212022资料来源Wind浙商证券研究所资料来源Wind浙商证券研究所公司拥有多项知识产权和发明专利自主创新水平高公司高度重视核心技术的创新在刻蚀设备和MOCVD等设备的开发设计和制造过程中始终强调创新和差异化截至2022年年底公司已申请2259项专利其中发明专利1938项占比86已获授权专利1266项其中发明专利1097项占比87公司技术储备深厚研发实力强为产品和服务不断进步提供保证图7公司累计申请专利2259项截至2022年底图8发明专利累计申请占比高达86截至2022年底httpwwwstockecomcn1139请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度其他累计申请专利项yoy实用新型专利1250022592513201220001805201498150012061300151114100010发明专利500586002016201720182019202020212022资料来源公司2022年年报浙商证券研究所资料来源公司2022年年报浙商证券研究所研发人员学历高占比不断提升公司研发人员数量不断增加2022年末研发人员数量为592人占公司员工总数的4293研发人员中有约90拥有本科及以上学历其中有1605拥有博士学历有3007拥有硕士学历图92022年研发人员占比4293图10研发人员约90以上拥有本科及以上学历研发人员数量人研发人员占比专科高中及以下7094057004500博士600430016055004004100300硕士3900本科3007200427437001000350020182019202020212022资料来源公司公告浙商证券研究所资料来源公司公告浙商证券研究所14营收利润高速增长订单充足为未来业绩提供保障公司营收和净利润增长迅速过去五年复合增长率分别为37108公司核心技术不断突破受益于芯片复杂化及设备国产化公司与国内外一线客户合作更加紧密产品的市场占有率稳步提升营收利润实现高速增长2022年公司营业收入大幅增长至474亿元同比增长532017-2022年CAGR为37实现归母净利润117亿元同比增长162017-2022年CAGR为108图11公司2022年营收474亿元yoy53图12公司2022年归母净利润117亿元yoy16httpwwwstockecomcn1239请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度归母净利润亿元yoy营业收入亿元yoy1425050801220040601030815040206100204105020000201720182019202020212022201720182019202020212022资料来源Wind浙商证券研究所资料来源Wind浙商证券研究所刻蚀设备和MOCVD设备为公司营业收入主要来源公司业务以专用设备销售为主刻蚀设备和MOCVD设备的销售是公司营业收入的主要来源2022年刻蚀设备实现营业收入315亿元占比66MOCVD设备实现营业收入7亿元占比15两者合计占公司营业收入的81图13刻蚀设备和MOCVD设备是公司营业收入的主要来源图142022年刻蚀和MOCVD设备合计占公司营收81刻蚀设备MOCVD设备备品备件其他业务其他业务100122908070备品备件60176250MOCVD设40备14773020刻蚀设备1066390201720182019202020212022资料来源Wind浙商证券研究所资料来源Wind浙商证券研究所销售毛利率近三年不断提高刻蚀设备毛利率维持在较高水平近年来公司毛利率不断提升由2019年的349提升至2022年的4572020年以来刻蚀设备毛利率稳定在45左右2022年提升至47MOCVD设备毛利率不断提升由2020年的1865上升至2022年的3701主要由于公司应用于MiniLED的新产品PrismoUniMax性能良好客户接受程度高带动MOCVD设备毛利率显著增加2022年净利率下降主要系计入非经常性损益的政府补助收益和因股权投资产生的公允价值变动收益和处置收益较上年同期减少所致图152022年公司毛利率为457净利率为246图16刻蚀设备毛利率稳定维持在45左右httpwwwstockecomcn1339请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度毛利率净利率刻蚀设备毛利率MOCVD设备毛利率5060备品备件毛利率40504030302020101000201720182019202020212022201720182019202020212022资料来源Wind浙商证券研究所资料来源Wind浙商证券研究所合同负债及存货大幅增长订单充裕保障未来业绩2022年公司合同负债为22亿元同比增长60存货达34亿元同比增长93公司大量备货以及时满足下游客户需求公司在手订单充裕2022年新签订单金额达632亿元同比增长53新签订单大幅增长为公司未来业绩高增长注入动力图172022年合同负债同比增长5999图182022年末存货达3402亿元合同负债亿元同比增长率存货亿元同比增长率25140401001203520100803080601525604020401015202050100-2050-400-202017201820192020202120222023Q12017201820192020202120222023Q1资料来源Wind浙商证券研究所资料来源Wind浙商证券研究所2国产替代加速与先进制程升级共振刻蚀设备市场空间广阔21全球半导体设备千亿美元市场中国大陆是全球最大市场全球半导体行业呈现周期性波动预计2024年有望触底反弹近年来5G物联网大数据汽车电子以及AI等新技术和新产品不断发展经济数字化趋势不断催生新一轮半导体需求根据SIA发布的统计数据2022年全球半导体市场销售额总计5740亿美元同比增长33增速较2021年放缓中国半导体市场销售额为1803亿美元占全球约312023年半导体行业处于下行状态预计2024年随着需求复苏有望实现回升并达到新高图19全球半导体市场具有周期性波动的特点总体呈上升态势httpwwwstockecomcn1439请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度资料来源WSTS浙商证券研究所半导体设备是半导体行业的基石半导体设备行业属于整个半导体产业链的上游是上游核心环节之一一般情况下半导体产品制造要超前电子系统开发新一代工艺半导体设备要超前半导体产品制造开发新一代产品也即一代设备一代工艺一代产品图20半导体设备是数字经济的基石资料来源公司2022年业绩说明会浙商证券研究所全球半导体设备市场呈现出与半导体市场相似的周期性波动2024年有望开启新一轮周期上行据SEMI统计2022年全球半导体设备销售额为1074亿美元同比5连续三年创下新高预计2023年全球半导体设备销售额将下滑至874亿美元2024年在前后端的共同推动下有望复苏至1000亿美元图21全球半导体设备市场呈现出与半导体市场相似的波动性图22晶圆制造设备占半导体设备市场比重最大十亿美元全球半导体设备销售额亿美元yoy封装设备测试设备晶圆制造设备1200501204010001003080020806001060040040-10200-20200-300201220132014201520162017201820192020202120222023E2024E202120222023E2024Ehttpwwwstockecomcn1539请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度资料来源SEMI浙商证券研究所资料来源SEMI浙商证券研究所中国大陆半导体设备市场发展迅速已连续三年成为全球最大的半导体设备市场据SEMI统计中国大陆2022年半导体设备销售额为283亿美元全球占比达到262020-2022年已连续三年成为全球最大的半导体设备市场中国大陆半导体设备市场发展迅速2012-2022年实现CAGR27图23中国大陆连续三年成为全球最大的半导体设备市场图242022年中国大陆半导体设备销售额占全球263中国半导体设备销售额亿美元全球占比其他地区欧洲350355558中国大陆2930030日本7826326262502520020北美971501510010韩国中国台湾5052002490020122013201420152016201720182019202020212022资料来源SEMI浙商证券研究所资料来源国家发改委浙商证券研究所22晶圆厂扩产叠加地缘政治因素设备国产化势在必行国内晶圆厂积极扩产加快新建产能据SEMI统计2021-2023年全球共84座晶圆厂处于新建或规划建设状态其中中国大陆新建及规划建设晶圆厂有20座数量居于世界首位图252021-2023年中国大陆新建晶圆厂数量最多单位座25202018171415106530中国大陆美洲欧洲中东中国台湾韩国日本东南亚资料来源SEMI浙商证券研究所下游晶圆厂产能扩张半导体设备长期需求广阔国内晶圆厂逆周期扩产扩产潮持续高涨中芯国际长江存储华虹集团等国内晶圆厂纷纷投资扩产根据SEMI的预测到2024年中国12寸晶圆产能将占全球约20大量晶圆厂的扩建投产将提升对上游半导体设备端的需求有望为国产设备打开更大发展空间表4中国大陆晶圆厂8英寸扩产规划2021年底产能规划产能编号厂商主体工厂代码地点晶圆尺寸万片月万片月httpwwwstockecomcn1639请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度1中芯上海S1FAB123上海8英寸1151352中芯深圳Fab15深圳8英寸4473中芯天津Fab7P2天津8英寸9518中芯国际4中芯绍兴绍兴8英寸43105中芯宁波N1宁波8英寸15156中芯宁波N2宁波8英寸0287华虹集团华虹半导体Fab1-3上海8英寸178188芯恩芯恩青岛8英寸389燕东微电子燕东微电子北京8英寸3510士兰集昕Fab2杭州8英寸364士兰微11士兰集昕Fab1杭州8英寸35412赛莱克斯赛莱克斯北京8英寸05313海辰半导体海辰半导体无锡8英寸1105合计万片月6361053预计未来新增产能万片月417资料来源ittbank公开信息整理浙商证券研究所表5中国大陆晶圆厂12英寸扩产规划2021年底产能规划产能编号厂商主体工厂代码地点晶圆尺寸万片月万片月1中芯南方SN1上海12英寸15352中芯南方SN2上海12英寸0353中芯北京B1Fab46北京12英寸5264中芯北方B2北京12英寸62105中芯京城B3P1北京12英寸056中芯国际中芯京城B3P2北京12英寸057中芯京城B3P3北京12英寸058中芯京城B3P4北京12英寸059中芯西青天津12英寸01010中芯东方上海临港12英寸01011中芯深圳Fab16AB深圳12英寸0412上海华力F5上海12英寸353513上海华力F6上海12英寸3414华虹集团华虹半导体Fab7无锡12英寸25815上海华力Fab8上海12英寸0416华虹半导体Fab9无锡12英寸0817长江存储Fab1武汉12英寸51018长江存储长江存储Fab2武汉12英寸01019长江存储Fab3武汉12英寸01020武汉新芯Fab1武汉12英寸2525武汉新芯21武汉新芯Fab2武汉12英寸2511522紫光集团紫光集团CD成都12英寸03023合肥长鑫Fab1合肥12英寸412524合肥长鑫合肥长鑫Fab2合肥12英寸012525合肥长鑫Fab3合肥12英寸012526晶合集成N1合肥12英寸4427晶合集成N2合肥12英寸04晶合集成28晶合集成N3合肥12英寸0429晶合集成N4合肥12英寸0430广州粤芯广州粤芯广州12英寸24httpwwwstockecomcn1739请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度31芯恩芯恩青岛12英寸03432华润微电子华润微电子重庆12英寸--33士兰集科Fab1厦门12英寸48士兰微34士兰集科Fab2厦门12英寸-835积塔半导体积塔半导体上海12英寸5536台积电台积电NJFab16南京12英寸2237矽力杰矽力杰青岛12英寸4438时代芯存时代芯存淮安12英寸-08339福建晋华福建晋华F1-F2泉州12英寸-640万国半导体万国半导体CQ重庆12英寸37合计万片月6022708预计未来新增产能万片月2106资料来源ittbank公开信息整理浙商证券研究所美日荷对华先进制程封锁设备国产替代逻辑进一步加强2022年10月7日美国进一步收紧对中国半导体产业的出口管制对18纳米及以下DRAM128层及以上NAND闪存16纳米或14纳米及以下逻辑芯片设备出口进行管控2023年3月荷兰日本相继加入美国对华芯片出口管制阵营2023年6月30日荷兰政府颁布半导体设备管制新规规定从2023年9月1日开始特定先进半导体设备的出口需先申请出口许可涉及ASML的2000i及后续推出的浸润式光刻机美日荷管制趋紧大环境下国产设备厂商为实现设备自主可控不断努力国内晶圆厂对国产设备验证意愿也不断增强国际限制因素使得设备国产化逻辑进一步增强表6美日荷联合封锁进一步强化半导体设备国产替代逻辑时间国家主要管制内容对128层及以上3DNAND芯片18nm及以下DRAM内存芯片16nm或14nm及以下非平面晶体管结构逻辑芯片相关设备进一步管控20221007美国在没有获得美国政府许可的情况下美国国籍公民禁止在中国从事芯片开发或制造工作包括美国设备的售后服务人员制定出口管制清单拟对包括11种薄膜沉积设备4种光刻设备3种刻蚀设备3种清洗设备1种退火设备1种量测设备在内的六大类23种先进半导体制造设备追加出口管制按线宽来看均为10-14nm以下的先进制程20230331日本制造设备此次新增的23种半导体制造设备及技术在从日本对外出口时均会触发出口许可证要求从2023年9月1日开始特定先进半导体设备的出口需先申请出口许可涉及ASML的浸润式DUV系统20230630荷兰TWINSCANNXT2000i及后续推出的浸润式光刻机资料来源芯智讯经济观察报半导体行业观察浙商证券研究所国家出台多项政策新型举国体制多方位支持半导体产业发展2023年3月2日国务院副总理刘鹤调研集成电路企业并主持召开座谈会强调必须发挥新型举国体制优势用好政府和市场两方面力量来发展集成电路产业2023年4月6日国资委党委书记主任张玉卓在调研华大九天时指出国资委将进一步精准施策加大对人才资金等方面的政策支持力度完善配套措施更好促进集成电路产业高质量发展国家不断出台政策支持半导体产业发展政策端驱动力加强半导体自主可控战略意义不断凸显表7国家政策支出半导体行业发展时间事件相关核心内容着力发展集成电路设计业加速发展集成电路制造业提升先进封装测试业发展水平突破集工信部国家集成电路产业发展推201406成电路关键装备和材料并从成立国家集成电路产业发展领导小组设立国家产业投资基金等进纲要八个方面配备了相应的保障措施国务院办公厅关于进一步激发民发挥财政性资金带动作用通过投资补助资本金注入设立基金等多种方式广泛吸纳各201709间有效投资活力促进经济持续健康类社会资本支持企业加大技术改造力度加大对集成电路等关键领域和薄弱环节重点项目发展的指导意见的投入httpwwwstockecomcn1839请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度国务院新时期促进集成电路产业聚焦高端芯片集成电路装备和工艺技术集成电路关键材料集成电路设计工具基础软202008和软件产业高质量发展的若干政件工业软件应用软件的关键核心技术研发策202203国务院政府工作报告加快发展工业互联网培育壮大集成电路人工智能等数字产业集成电路是现代化产业体系的核心枢纽关系国家安全和中国式现代化进程发展集成电路国务院副总理刘鹤调研集成电路企产业必须发挥新型举国体制优势用好政府和市场两方面力量政府要制定符合国情和新形202303业并主持召开座谈会势的集成电路产业政策设定务实的发展目标和发展思路帮助企业协调和解决困难在市场失灵的领域发挥好组织作用集成电路标委会要全面实施国家标准化发展纲要加强组织建设建立完善工作制度全国集成电路标准化技术委员会成202304加快建设与时俱进的集成电路标准体系增强产业链上中下游的有效沟通支持企业深立度参与全球产业分工协作和国际标准制定推动标准的实施应用国资委将进一步精准施策在人才资金等方面加大政策支持力度完善配套措施支持中国资委党委书记主任张玉卓调研202304央企业在集成电路产业链发展的完整性先进性上攻坚克难勇往直前更好促进集成电路华大九天产业高质量发展要补上短板紧跟前沿不断提高企业核心竞争力增强核心功能资料来源公司招股说明书政府公开信息浙商证券研究所AI大模型热潮掀起算力需求提升带动相关芯片需求大幅增加半导体设备作为各类芯片的底层支撑有望承接AI发展热度ChatGPT引发AI大模型热潮数百亿千亿乃至万亿级参数规模的人工智能大模型相继涌现参数量越高意味着需要消耗越多的算力资源由此带来的算力需求使得人工智能相关芯片市场规模持续扩大图262023年全球AI芯片市场规模同比3573图272023年中国AI芯片市场规模同比41886005014001401200120500401000100400308008030020600602004004010100200200000202020212022E2023E202020212022E2023E全球AI芯片市场规模亿美元yoy中国AI芯片市场规模亿元yoy资料来源FrostSullivan浙商证券研究所资料来源深圳市人工智能行业协会浙商证券研究所23芯片制程升级结构复杂化拉动刻蚀设备需求光刻刻蚀和薄膜沉积是半导体制造三大核心工艺刻蚀设备是半导体制造最重要的设备之一集成电路制造工艺复杂包括薄膜沉积匀胶光刻显影刻蚀等多种工艺其中光刻刻蚀和薄膜沉积是半导体制造的三大核心工艺通过薄膜沉积工艺在晶圆上沉积一层待处理的薄膜用以后续加工通过匀胶工艺把光刻胶涂抹在薄膜上通过光刻和显影工艺把光罩上的图形转移到光刻胶为刻蚀做准备通过刻蚀工艺把光刻胶上图形转移到薄膜去除光刻胶后即完成图形从光罩到晶圆的转移制造芯片所需要的数十层光罩主要通过薄膜沉积光刻和刻蚀三大工艺循环把所有光罩的图形逐层转移到晶圆上图28光刻刻蚀和薄膜沉积是半导体制造三大核心工艺图29通过刻蚀把光刻胶上图形转移到待刻蚀的薄膜上httpwwwstockecomcn1939请务必阅读正文之后的免责条款部分中微公司688012公司深度资料来源公司招股说明书浙商证券研究所资料来源公司招股说明书浙商证券研究所刻蚀薄膜沉积光刻设备是集成电路制造三大核心设备据Gartner统计2022年全球刻蚀设备薄膜沉积和光刻设备分别占晶圆制造设备价值量约222217是占比最大的三类设备其中刻蚀设备和薄膜沉积设备价值量占比最大图302022年刻蚀设备占晶圆制造设备价值量约22占比最大刻蚀设备22其他39薄膜沉积22光刻设备17资料来源Gartner浙商证券研究所等离子体干法刻蚀是当前主导的刻蚀技术刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀湿法刻蚀主要是用液体化学试剂以化学的方式去除硅片表面的材料其各向异性较差侧壁容易产生横向刻蚀导致刻蚀后图形的分辨率下降造成刻蚀偏差应用场景较少常用于工艺尺寸较大的应用或干法刻蚀后清洗残留物等干法刻蚀主要是通过等离子体与硅片发生物理或化学反应从而将表面材料去除其各向异性好于湿法刻蚀是当前的主流刻蚀技术其中以等离子体干法刻蚀为主导根据产生等离子体方法的不同干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀CCP和电感性等离子体刻蚀ICP这两种刻蚀设备涵盖了主要的刻蚀应用等离子体刻蚀设备的工作原理是利用等离子体放电产生的带化学活性的粒子在离子的轰击下与表面的材料发生化学反应产生可挥发的气体从而在表面材料上加工出微观结构根据产生等离子体方法的不同干法刻蚀可分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻蚀其中CCP刻蚀主要是介质刻蚀即高能离子在较硬的介质材料上刻蚀高深宽比的深孔深沟等微观结构而ICP刻蚀主要是硅刻蚀和金属刻蚀即以较低的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的和较薄的材料ICPCCP在整个刻蚀设备市场占比接近据Gartner数据显示2022年ICPCCP占刻蚀设备市场分别为479475二者合计占比约95几乎占据了整个刻蚀设备市场全部份额图31CCP主要用于刻蚀高深宽比的深孔深沟等微观结构图32ICP主要用于刻蚀较软和较薄的材料httpwwwstockecomcn2039请务必阅读正文之后的免责条款部分