投资要点：
　　维持“增持”评级，维持目标价194.48元。公司刻蚀设备突破大马士革刻蚀工艺和超高深宽比刻蚀，并实现逻辑和存储先进工艺产线的
　　＞90%覆盖，业绩有望维持高增，维持2023-2025年EPS为2.86/3.19/4.13元。考虑到半导体设备国产化率持续提升，给予2024年61倍PE，维持目标价194.48元。
　　受益于刻蚀/薄膜设备的持续突破，业绩持续高增。23Q2公司营收13.03亿元，YOY+27%，QOQ+7%；实现归母净利润7.28亿元，YOY+107%，QOQ+165%。23Q2存货38.1亿元持续增长，合同负债18亿元略有下降。归母净利润的高增主要因为23H1出售了部分拓荆公司股票，产生税后净收益约4.06亿元。
　　 CCP刻蚀突破All-in-one大马士革刻蚀工艺和超高深宽比刻蚀等卡位环节，ICP刻蚀均匀性达到原子水平加工，均即将实现逻辑
　　/Memory-1/Memory-2工艺产线全覆盖。根据公司公开介绍，在国内某先进逻辑产线中，CCP市占率将从24%增长到＞60%，ICP市占率将从0%增长到75%。在国内某先进存储研发线中，CCP市占率将从35%增长到85%，ICP市占率将从9.6%增长到65%。
　　薄膜沉积设备从MOCVD出发，逐步拓展至LPCVD、EPI和ALD领域。LPCVD中W-CVD只用18个月开发即顺利进入生产线，此外还有极高深宽比W填充和ALD-W横向填充达到国际先进水平。
　　风险提示：半导体国产化不及预期；产品验证不及预期。