事件：
　　公司发布2023年半年报，营业收入25.27亿元，同比增长28.13%；归母净利润10.03亿元，同比增长114.40%；扣非归母净利润5.19亿元，同比增长17.75%。
　　点评：
　　公司刻蚀设备技术不断向更先进制程推进。2023年上半年，公司紧跟技术发展趋势和客户需求，坚持自主创新，致力于产品的差异化，持续强化刻蚀设备的技术领先优势。在深耕成熟刻蚀工艺市场的同时大力投入先进芯片制造技术中关键刻蚀设备的研发。
　　在逻辑芯片制造方面，公司开发的12英寸高端刻蚀设备持续获得国际国内知名客户的订单，已经在从65纳米到5纳米的各个技术结点大量量产；同时，先进逻辑器件制造对加工的精确性，重复性，微粒污染水平，以及反应腔之间的匹配度等都提出了更高的要求，公司着力改进刻蚀设备性能以满足5纳米技术以下的若干关键步骤加工的要求，目前也已经获得重复订单并付运。
　　在存储芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件的量产。先进存储芯片制造中最关键的超高深宽比结构刻蚀应用目前仍然被国外半导体设备公司垄断。公司致力于提供超高深宽比掩膜（≥40:1）和超高深宽比介质刻蚀（≥60:1）的全套解决方案，相应的开发了配备超低频偏压射频的ICP刻蚀机用于超高深宽比掩膜的刻蚀，并且开发了配备超低频高功率偏压射频的CCP刻蚀机用于超高深宽比介质刻蚀。这两种设备都已经开展现场验证，目前进展顺利。
　　此外，公司和国内外特殊器件制造客户合作，在先进封装、功率器件、微机电系统等领域不断拓展应用，持续获得订单。公司通过与国际领先客户合作，积极参与新兴器件制造技术的研发，在超构透镜（Metalenses）和基于12英寸晶圆的微机电系统制造等方面都取得可喜的进展，公司设备已经在相应的生产线上进行最新技术的研发和试产。
　　公司薄膜设备研发与验证进展顺利。公司已在短时间内实现多种LPCVD设备的研发交付以及ALD设备（原子层沉积）的重大突破，多款新产品研发项目在快速推进。
　　公司完全自主设计开发的双台机CVD钨设备，在达到业界领先生产率的同时，保证了较低的化学品消耗，具有优秀的阶梯覆盖率和填充能力，能够满足先进逻辑器件接触孔填充应用、DRAM器件接触孔应用，以及3DNAND器件中的多个关键应用需求。公司开发的新型号CVD钨设备用创新的工艺解决方案，满足了器件中超高深宽比的接触孔填充要求。公司开发的ALD钨设备，能够满足3DNAND等三维器件结构中金属钨的填充需求。同时公司在开发的另一ALD产品系列，具有业界领先的阶梯覆盖率、均一性和输出效率，能够满足先进逻辑和存储器件中金属阻挡层和金属栅极的应用需求。
　　为扩充资产规模、增强公司实力以持续做大做强主业，公司产业化建设项目正在顺利推进中，在南昌的约14万平方米的生产和研发基地已建成完工，并于2023年7月正式投入使用；公司在上海临港的约18万平方米的生产和研发基地主体建设已完成，上海临港滴水湖畔约10万平方米的研发中心暨总部大楼也在顺利建设，为今后的大发展夯实基础。