存储器价格情况:
DRAM方面:6月价格延续下跌趋势但跌幅收窄至0.98%-3.85%,本轮高点21年6月至23年6月累计跌幅为68%-80%。主流DRAM价格仍下跌,6月跌幅在1.98%-3.64%,较5月有所收窄(5月跌幅6.25%-9.82%),目前价格处于周期底部。利基DRAM价格跌幅在0.98%-3.85%(5月跌幅0.00%-4.67%),目前价格处于周期底部。我们认为,虽然供应商减产不及需求走弱速度,但相较23Q1,部分产品23Q2均价季跌幅有收缩趋势,根据TrendForce,23Q2 DRAM跌幅收缩至13%-18%,其中,PC及Server DRAM跌幅为15%-20%;Mobile DRAM跌幅为13%-18%。TrendForce预计,受DRAM厂商陆续减产影响,整体DRAM供给逐季减少,加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力,23Q3跌幅将进一步收缩至0%-5%,同时LPDDR5产品价格有望上涨0~5%。 NANDFlash方面:6月价格趋稳,跌幅为0.00%-1.42%,本轮高点21年7月至23年6月累计跌幅为47%-71%。根据TrendForce,23H2旺季备货周期将至,尽管今年需求低迷导致终端出货持续下修,市场仍认为23H2终端出货量会优于23H1,采购量有机会逐季增加。根据TrendForce,由于多数供应商已开始减产,库存压力有望在Q3下降,三星等原厂报价态度强势,Q3合约价有较大机率触底反弹,并刺激买方采购意愿,加速供需平衡;TrendForce预计23Q3起NANDFlash Wafer均价环比涨幅0%-5%,Q4涨幅将进一步扩大至8%-13%。 存储模组方面:今年2月开始价格下跌幅度收窄,6月价格趋稳,本轮高点21年3月至23年6月累计跌幅为43.50%-63.87%。据CFM闪存市场,截至6月27日,近半年DDR4 SODIMM(8GB 3200)由约17美金降至不足14美金,降幅约19%,OEMSSD(512GBSATA)由约26.5美金降至19.5美金,降幅约26%。11月下旬以来降幅有所收窄,我们认为模组厂商产品单价有望于23H2企稳回暖,随下游需求复苏而获得销量弹性,同时上游晶圆成本处于底部,有利于模组环节盈利水平修复。 交期及价格预测:货期趋势整体缩短,存储器模块交期仍维持稳定,价格短期仍跌,跌幅有望收缩。根据TrendForce,23Q2 NANDFlash价格跌幅为10-15%,预计23Q3跌幅将收缩至3-8%,供需错配仍压制NANDFlash价格止跌回稳;NANDFlash Wafer均价预估将率先上涨,SSD、eMMC、UFS等模组产品则因下游客户拉货迟缓价格续跌,Q4 NAND整体均价有望止跌回升;根据TrendForce,23Q2 DRAM价格跌幅收缩至13%-18%,受DRAM厂商陆续减产影响,整体DRAM供给逐季减少,加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力,预计23Q3跌幅将进一步收缩至0%-5%。 厂商数据:各类型存储器价格承压之下,中国存储市场的重点公司如旺宏、华邦电、南亚科、力积电营收同比持续下降,旺宏(6月)和力积电(5月)环比下降,华邦电(6月)和南亚科(6月)环比上升。旺宏于22Q4减产20~25%,23年6月营收同比-45.3%,环比-6.2%;华邦电6月营收同比-21.5%,环比+13.9%;南亚科6月营收同比-53.1%,环比+6.5%;力积电5月营收同比-49.8%,环比-4.0%。 供给侧与需求侧近况更新: 供给端:为应对下游需求持续疲软、行业供过于求,部分厂商调降投片量,同时下调2023年资本开支及产能提升预期。据TrendForce,铠侠旗下日本两座NAND厂已从10月起将晶圆产量减少30%,同时据各公司业绩会,美光2023财年资本支出降至70亿美元,同比-40%以上,并将对DRAM和NAND进一步减产30%至2024年;SK海力士决定将此前预期的2023年CAPEX减少50%以上,西部数据提出2023年对设备投资总额为23亿美元,较三季报会议提出的27亿美元下降14.8%;三星存储芯片减产效益最快6月底显现,23H2大厂库存消耗速度将加快,促使半导体整体产业状况改善。量产、扩产方面,三星电子宣布12纳米级DDR5 DRAM已开始量产;SK海力士宣布量产238层4DNAND;美光计划收购力成西安,拟斥资43亿元投资西安厂。从历史周期看,资本开支增速与市场增速强相关性,随着各大存储厂商陆续下调2023年资本开支计划并降低稼动率,我们预计23年行业供给增速低于需求增速,供需将逐步达到平衡,有助于库存修复,我们看好存储板块周期2023年下半年迎来见底。 需求端:下游厂商“降成本、去库存”趋势持续,看好需求逐步复苏。2022年需求疲软下行业库存持续攀升,各大终端厂商将把重心持续放在去库存及降成本上,22Q4末华硕、联想、小米、浪潮库存周转天数相较22Q2末已有所好转。但小米和浪潮由于库存原材料增长、提前备货等原因,23Q1库存周转天数分别为87/179天,有所增加。我们认为,目前终端厂商已处于去库存的后期,全年出货有望呈现前低后高。需求量来看,我们看好23H2至24年下游需求回暖趋势:1)服务器端,我们预计23Q3需求将有望实现环比增长,看好23H2 DDR5在服务器端需求提升,同时AI服务器DRAM和NAND的容量需求(content)是传统的6~8x和3x;2)PC端,我们预计23年PC出货同比下滑低两位数(low-double digit);3)手机及智能终端,我们预计23年智能 研究报告全文:存储行业深度追踪系列第3期2023年6月海外大厂稼动调降部分产品涨势开启中信证券研究部电子行业徐涛王子源程子盈2023年7月11日2023年6月存储行业数据更新及结论存储器价格情况DRAM方面6月价格延续下跌趋势但跌幅收窄至098-385本轮高点21年6月至23年6月累计跌幅为68-80主流DRAM价格仍下跌6月跌幅在198-364较5月有所收窄5月跌幅625-982目前价格处于周期底部利基DRAM价格跌幅在098-3855月跌幅000-467目前价格处于周期底部我们认为虽然供应商减产不及需求走弱速度但相较23Q1部分产品23Q2均价季跌幅有收缩趋势根据TrendForce23Q2DRAM跌幅收缩至13-18其中PC及ServerDRAM跌幅为15-20MobileDRAM跌幅为13-18TrendForce预计受DRAM厂商陆续减产影响整体DRAM供给逐季减少加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力23Q3跌幅将进一步收缩至0-5同时LPDDR5产品价格有望上涨05NANDFlash方面6月价格趋稳跌幅为000-142本轮高点21年7月至23年6月累计跌幅为47-71根据TrendForce23H2旺季备货周期将至尽管今年需求低迷导致终端出货持续下修市场仍认为23H2终端出货量会优于23H1采购量有机会逐季增加根据TrendForce由于多数供应商已开始减产库存压力有望在Q3下降三星等原厂报价态度强势Q3合约价有较大机率触底反弹并刺激买方采购意愿加速供需平衡TrendForce预计23Q3起NANDFlashWafer均价环比涨幅0-5Q4涨幅将进一步扩大至8-13存储模组方面今年2月开始价格下跌幅度收窄6月价格趋稳本轮高点21年3月至23年6月累计跌幅为4350-6387据CFM闪存市场截至6月27日近半年DDR4SODIMM8GB3200由约17美金降至不足14美金降幅约19OEMSSD512GBSATA由约265美金降至195美金降幅约2611月下旬以来降幅有所收窄我们认为模组厂商产品单价有望于23H2企稳回暖随下游需求复苏而获得销量弹性同时上游晶圆成本处于底部有利于模组环节盈利水平修复交期及价格预测货期趋势整体缩短存储器模块交期仍维持稳定价格短期仍跌跌幅有望收缩根据TrendForce23Q2NANDFlash价格跌幅为10-15预计23Q3跌幅将收缩至3-8供需错配仍压制NANDFlash价格止跌回稳NANDFlashWafer均价预估将率先上涨SSDeMMCUFS等模组产品则因下游客户拉货迟缓价格续跌Q4NAND整体均价有望止跌回升根据TrendForce23Q2DRAM价格跌幅收缩至13-18受DRAM厂商陆续减产影响整体DRAM供给逐季减少加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力预计23Q3跌幅将进一步收缩至0-5厂商数据各类型存储器价格承压之下中国存储市场的重点公司如旺宏华邦电南亚科力积电营收同比持续下降旺宏6月和力积电5月环比下降华邦电6月和南亚科6月环比上升旺宏于22Q4减产202523年6月营收同比-453环比-62华邦电6月营收同比-215环比139南亚科6月营收同比-531环比65力积电5月营收同比-498环比-4012023年6月存储行业数据更新及结论供给侧与需求侧近况更新供给端为应对下游需求持续疲软行业供过于求部分厂商调降投片量同时下调2023年资本开支及产能提升预期据TrendForce铠侠旗下日本两座NAND厂已从10月起将晶圆产量减少30同时据各公司业绩会美光2023财年资本支出降至70亿美元同比-40以上并将对DRAM和NAND进一步减产30至2024年SK海力士决定将此前预期的2023年CAPEX减少50以上西部数据提出2023年对设备投资总额为23亿美元较三季报会议提出的27亿美元下降148三星存储芯片减产效益最快6月底显现23H2大厂库存消耗速度将加快促使半导体整体产业状况改善量产扩产方面三星电子宣布12纳米级DDR5DRAM已开始量产SK海力士宣布量产238层4DNAND美光计划收购力成西安拟斥资43亿元投资西安厂从历史周期看资本开支增速与市场增速强相关性随着各大存储厂商陆续下调2023年资本开支计划并降低稼动率我们预计23年行业供给增速低于需求增速供需将逐步达到平衡有助于库存修复我们看好存储板块周期2023年下半年迎来见底需求端下游厂商降成本去库存趋势持续看好需求逐步复苏2022年需求疲软下行业库存持续攀升各大终端厂商将把重心持续放在去库存及降成本上22Q4末华硕联想小米浪潮库存周转天数相较22Q2末已有所好转但小米和浪潮由于库存原材料增长提前备货等原因23Q1库存周转天数分别为87179天有所增加我们认为目前终端厂商已处于去库存的后期全年出货有望呈现前低后高需求量来看我们看好23H2至24年下游需求回暖趋势1服务器端我们预计23Q3需求将有望实现环比增长看好23H2DDR5在服务器端需求提升同时AI服务器DRAM和NAND的容量需求content是传统的68x和3x2PC端我们预计23年PC出货同比下滑低两位数low-doubledigit3手机及智能终端我们预计23年智能手机出货同比下降中个位数mid-singledigit年内前低后高库存逐季改善4汽车端稳健增长预计23Q3工业市场出现复苏初步迹象行业库存及需求有望在23H2持续改善行业新闻5月21日国家网信办发布美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查公告指出本次审查发现美光产品存在较严重网络安全问题隐患对我国关键信息基础设施供应链形成重大安全风险影响我国国家安全按照网络安全法等法律法规国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品6月28日美光针对国内审查表示事件对业务的影响仍不可控并将国内审查对其全球营收影响比例的预测由个位数singledigit调升到低两位数low-doubledigit6月13日江波龙公告拟通过全资子公司购买SMARTBrazil及其子公司81股权江波龙有望以此获得海外本地化品牌及产能优势并完善产品布局大幅提升拉美市场竞争力6月27日江波龙公告拟以1316亿美元通过新设子公司购买力成科技苏州有限公司70股权公司有望以此补足存储封装测试的生产能力完善产业链布局加强与存储晶圆原厂的业务合作6月28日美光发布FYQ3业绩营收环比微增库存减计大降同时预计营收及毛利率回暖我们认为本轮下行周期已近尾声行业复苏可期投资建议存储价格端6月延续下跌态势23H2供需关系持续改善部分产品价格有望回暖国产存储厂商有望受益美光国内审查加速国产化海外大厂稼动控制之下存储供需已逐渐改善主流存储价格23H2有望回暖我们看好产业链公司23H2业绩底部复苏国内市场由于美光近期将国内审查对其全球营收影响比例的预测由个位数singledigit调升到低两位数low-doubledigit我们认为或加速存储芯片国产化趋势同时龙头外延布局竞争壁垒进一步提升成长潜力大建议关注1存储模组深科技江波龙佰维存储德明利协创数据朗科科技等2存储芯片设计东芯股份兆易创新北京君正普冉股份恒烁股份等3存储配套芯片澜起科技聚辰股份等风险因素下游需求复苏不及预期芯片价格持续下跌行业竞争加剧新技术研发进展缓慢等2CONTENTS目录1主流存储价格和交期情况2中国台湾重点厂商最新月度数据3供给侧与需求侧近况更新4行业新闻5重点公司追踪6重点公司投资建议及风险因素3DRAM价格6月价格延续下跌趋势跌幅为098-3856月价格延续下跌趋势但跌幅收窄至098-385本轮高点21年6月至23年6月累计跌幅为68-80主流DRAM价格仍下跌6月跌幅在198-364较5月有所收窄5月跌幅625-982利基DRAM价格跌幅在098-3855月跌幅000-467目前价格均处于周期底部根据TrendForce23Q1DRAM产业营收约966亿美元环比-212已续跌三个季度23Q1出货量方面仅美光有上升其余均衰退产品ASP三大原厂均下跌由于PCDRAMServerDRAMMobileDRAM占总DRAM消耗量超过85且DDR5比重仍低DRAM价格跌幅仍较大的主要原因是DDR4与LPDDR5的库存过高目前市场仍供过于求价格持续下跌然而在原厂陆续减产后DRAM下半年价格跌幅将有望逐季收缩我们认为虽然供应商减产不及需求走弱速度但相较23Q1部分产品23Q2均价季跌幅有收缩趋势根据TrendForce23Q2DRAM跌幅收缩至13-18其中PC及ServerDRAM跌幅为15-20MobileDRAM跌幅为13-18TrendForce预计受DRAM厂商陆续减产影响整体DRAM供给逐季减少加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力23Q3跌幅将进一步收缩至0-5DXI指数DRAM周度价格美金45000DDR4-4Gb-512Mx821332400MHzDDR4-4Gb-512Mx821332400Mhz白牌4000035000DDR4-8Gb-1Gx821332400MHzDDR4-8Gb-1Gx821332400MHz白牌3000025000DDR3-4Gb-512Mx8-13331600MHzDDR3-4Gb-512Mx8白牌20000150005410000350002010资料来源Wind中信证券研究部资料来源Bloomberg中信证券研究部DRAM月度价格美金DRAM价格变动幅度及所处周期位置6月价格变动幅目前价格美元相当于上轮周期DDR4-4Gb-512Mx821332400MHzDDR4-4Gb-512Mx821332400Mhz白牌所处周期位置度Gb底部价格DDR4-8Gb-1Gx821332400MHzDDR4-8Gb-1Gx821332400MHz白牌DDR4-4Gb-512Mx821332400-198099周期底部-3669DDR3-4Gb-512Mx8-13331600MHzDDR3-4Gb-512Mx8白牌MHzDDR4-4Gb-512Mx8213324006-364053周期底部-47465Mhz白牌43DDR4-8Gb-1Gx821332400MHz-137145周期底部-443721DDR4-8Gb-1Gx821332400MHz0-286102周期底部-4961白牌DDR3-4Gb-512Mx8-13331600-098102周期底部-2681120212202132021420215202162021720218202192021120222202232022420225202262022720228202292022120232202332023420235202362023102021122021102022122022112021MHz112022FDDR3-4Gb-512Mx8白牌-385026周期底部-75674资料来源Bloomberg中信证券研究部资料来源Bloomberg中信证券研究部注价格更新日期为2023年6月23日NANDFlash价格6月价格趋稳跌幅为000-1426月价格趋稳跌幅为000-142本轮高点21年7月至23年6月累计跌幅为47-71根据TrendForce23H2旺季备货周期将至尽管今年需求低迷导致终端出货持续下修市场仍认为23H2终端出货量会优于23H1采购量有机会逐季增加ClientSSD与EnterpriseSSD在下游出货量下滑的预期下采购量也下降23Q1NANDFlash芯片价格跌幅收敛至10-15此外5月起美韩系厂商大幅减产后已见到部分供应商开始调高wafer报价对于中国市场报价均已略高于3-4月成交价预计6月在模组厂启动备货下主流容量512GbNANDFlashWafer有望止跌并小幅反弹根据TrendForce由于多数供应商已开始减产库存压力有望在Q3下降三星等原厂报价态度强势Q3合约价有较大机率触底反弹并刺激买方采购意愿加速供需平衡TrendForce预计23Q3起NANDFlashWafer均价环比涨幅0-5Q4涨幅将进一步扩大至8-13NAND价格表格美金NAND周度价格美金项目日高点日低点盘高点盘低点盘平均盘涨跌幅TLC闪存128GBTLC闪存256GBTLC闪存512GBSLC2Gb1500601500600829-024256MBx854SLC1Gb185053185050086103128MBx82MLC64Gb1425340425340385408GBx80MLC32Gb300190300190206704GBx83DTLC256Gb25020025020021020资料来源TrendForce中信证券研究部注价格更新日为2023年6月29日资料来源Bloomberg中信证券研究部NAND月度价格美金NAND价格变动幅度及所处周期位置6月价格变动幅目前价格美元相当于上轮周期TLC闪存128GBTLC闪存256GB所处周期位置度GB底部价格TLC闪存512GBMLC闪存256GB合约MLCFlash128Gb16384Mx8合约MLC闪存64GB8192Mx8合约TLC闪存128GB000111周期底部-25208周期底部6TLC闪存256GB000099-44944TLC闪存512GB-142139周期底部-61452MLC闪存256GB-8013月391周期底部-30630合约MLCFlash128Gb16384Mx8-0005月176周期底部-3331合约120212202132021420215202162021720218202192021120222202232022420225202262022720228202292022120232202332023420235202362023122021112022112021102022122022102021MLC闪存64GB8192Mx8-0005月115周期底部-4460合约5资料来源Bloomberg中信证券研究部资料来源Bloomberg中信证券研究部注价格更新日期为2023年6月23日存储模组价格2月开始价格下跌幅度收窄6月价格趋稳今年2月开始价格下跌幅度收窄6月价格趋稳本轮高点21年3月至23年6月累计跌幅为4350-6387据CFM闪存市场截至6月27日近半年DDR4SODIMM8GB3200由约17美金下降至不足14美金降幅约19OEMSSD512GBSATA由约265美金下降至195美金降幅约2611月下旬以来降幅有所收窄我们认为模组厂商产品单价有望于23H2企稳回暖随下游需求复苏而获得销量弹性同时上游晶圆成本处于底部有利于模组环节盈利水平修复内存条价格美金渠道市场内存条价格美金行业市场DDR4UDIMM8GB3200DDR4UDIMM16GB3200DDR4UDIMM32GB3200DDR4SODIMM4GB3200DDR4SODIMM8GB3200DDR4SODIMM16GB32001006080504060304020201000118218318418518618718818918101811181218118218318418518618118218318418518618718818918101811181218118218318418518618资料来源CFM闪存市场中信证券研究部资料来源CFM闪存市场中信证券研究部价格美金渠道市场价格美金行业市场SSDSSDChannelSSD240GBSATAChannelSSD256GBPCle30OEMSSD128GBPCle30OEMSSD128GBSATAChannelSSD512GBPCle40ChannelSSD1TBPCle40OEMSSD512GBSATAOEMSSD512GBPCle30ChannelSSD480GBSATAChannelSSD512GBPCle30606050504040303020201010001182183184185186187188189181018111812181182183184185186181182183184185186187188189181018111812181182183184185186186资料来源CFM闪存市场中信证券研究部资料来源CFM闪存市场中信证券研究部交期及价格预测货期料将缩短价格短期仍跌跌幅有望逐步收敛货期趋势整体缩短存储器模块交期仍维持稳定价格短期仍跌跌幅有望收缩根据TrendForce23Q2NANDFlash价格跌幅为10-15预计23Q3价格跌幅将收缩至3-8供需错配下仍压制NANDFlash价格止跌回稳NANDFlashWafer均价预估将率先上涨SSDeMMCUFS等模组产品则因下游客户拉货迟缓价格续跌Q4NAND整体均价有望止跌回升根据TrendForce23Q2DRAM价格跌幅收缩至13-18受DRAM厂商陆续减产影响整体DRAM供给逐季减少加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力预计23Q3跌幅将进一步收缩至0-5金士顿货期整体缩短存储器模块维稳威刚货期整体缩短存储器模块维稳旺宏eMMC紧缺NAND维稳Kingston23Q2货期货期趋势价格趋势ADATA23Q2货期货期趋势价格趋势Macronix23Q2货期货期趋势价格趋势PC商用DRAM4-6SMA存储器模块6-8SMANOR闪存8-12SMA存储器模块2-6SMAeMMC8-10SMAeMMC2-6SMANAND闪存8-12SMA存储卡8-10SMA存储卡2-10SMAeMMC52-54固态驱动器SSD4-8SMA固态驱动器SSD8-12SMA资料来源FutureElectronics中信证券研究部注价格更新日为资料来源FutureElectronics中信证券研究部注价格更新日为资料来源FutureElectronics中信证券研究部注价格更新日为2023年6月2日2023年6月2日2023年6月2日AllianceMemoryDRAMNAND货期缩短NAND价格预测跌幅有望收缩DRAM价格预测跌幅有望大幅收缩Alliance23Q223Q3E23Q223Q2E23Q2货期货期趋势价格趋势MemoryDDR4down1520DDR4down38eMMCConsumerdown813ConsumermostlyflatPCDDR5down1318DDR5down05PC商用DRAM2-20SMAUFSMobiledown1520Mobiledown813BlendedASPdown1520BlendedASPdown05DDR4down1823DDR4down38移动RAM12-16EnterpriseSSDdown1318down1015ServerDDR5down1318DDR5down05ClientSSDdown1520down510BlendedASPdown1520BlendedASPdown05SRAM12-45LPDDR4Xdown05Mobiledown13183DNANDWafersLPDDR5XwithHKMGup05NOR闪存12-20down813up05TLDQLCGraphicsdown1015down05NAND闪存8-24TotalNANDFlashdown1015down38Consumerdown1015down05Totaldown1318down05资料来源FutureElectronics中信证券研究部资料来源TrendForce含预测预测时间为202307中信证券研究部资料来源TrendForce含预测预测时间为202307中信证券研究部7CONTENTS目录1主流存储价格和交期情况2中国台湾重点厂商最新月度数据3供给侧与需求侧近况更新4行业新闻5重点公司追踪6重点公司投资建议及风险因素8旺宏6月营收环比-62看好车载领域带动公司业绩成长公司6月营收同比-453环比-62公司2023年6月营收2140亿新台币同比-453环比-622023年1-6月累计营收14533亿新台币同比-366营收环比增速持续为负持续布局车载等高容量产品市场公司23Q2营收约7429亿元环比46旺宏6月营收环比下降主要系终端市场需求不振客户持续调整库存目前库存修正已接近尾声且公司强调车载医疗及工控三大领域布局将产生明显收益公司4月营收3008亿新台币是近6个月最高点主要系Q2的急单效应而5-6月回到传统淡季营收模式因此环比下降从产品线来看23Q1ROM占比30营收同比-12NORFlash占比53营收同比-45NANDFlash占比11营收同比-46FBG晶圆代工业务占比9营收同比-10旺宏旗下有一座12英寸厂主要生产NORFlash及NANDFlash并将主要产能分配NORFlash考虑到全球经济成长趋缓并造成存储需求减弱旺宏22Q4减产2025同时22年资本支出也由原定的160亿元新台币下修至106亿元新台币减幅约达34公司表示2023年减产措施将会根据市场情况进行调整闲置产线动能与资源将拨给技术研发使用以加快3DNOR及3DNAND开发速度其中96层3DNAND已进入量产开始接受客户订单预计2023年中将可望展开量产3DNOR制程较为复杂预计2024年将有成果展现公司表示目前医疗车用等需求仍稳定NORFlash仍有机会成长并认为23年NORFlash价格将维稳公司亦将持续朝高密度应用领域布局月度营收单位新台币亿元月度营收变化率45营收YoY营收MoM40503540303025201020015-1010-20-305-400-50资料来源Wind旺宏光电公司官网中信证券研究部资料来源Wind旺宏光电公司官网中信证券研究部注旺宏2022年总营收43487亿元公司是全球最大的只读存储器生产制造公司并提供客户跨越广注旺宏2022年总营收43487亿元公司是全球最大的只读存储器生产制造公司并提供客户跨越广泛规格及密度的NOR型闪存产品2023年Q1ROM占比30NORFlash占比53NANDFlash占比泛规格及密度的NOR型闪存产品2023年Q1ROM占比30NORFlash占比53NANDFlash占比911营收同比-4611营收同比-46华邦电6月营收环比139预计23H2经营情况优于23H1公司6月营收同比-215环比139公司2023年6月营收6989亿新台币同比-215环比1392023年1-6月累计营收36327亿新台币同比-317营收环比连续2个月转正预计23H2经营情况优于23H1公司表示市场需求面已普遍回温最坏的时间已过景气度将反弹回升只是反弹力度估计要到8月会更加明朗公司营收有望逐季成长23H2会优于23H1从产品线来看2022年公司DRAM产品营收占比43Flash产品占比572021年车用工业用消费电子电脑通讯电子营收占比分别为22242232营收同比653047362022年因需求疲软中科厂22Q4减产3040同时高雄厂因机台交期延迟每月10万片产能量产时间延后公司旗下共有台中厂和高雄厂两座12英寸晶圆厂22Q4合计产能分别为6万片1万片高雄厂第1期1万片产能已于23年1月到位以25nm制程生产全面投产2Gb和4GbDDR3第2期1万片产能建置时程预计延后半年公司预计23年下半年导入设备24年量产根据CFM闪存市场由于公司看好未来需求会逐步回升因此从4月起逐步调升台中厂产能1-2成高雄厂也计划6月开始试产最新的20nm制程为未来需求回升备货公司预计20nmDRAM与45nmNORFlash新制程技术将于2023年启用并贡献营收公司亦推进内存设备的外部接口技术推出先进的HYPERRAM产品适用容量已扩展至256Mb和512Mb车规产品SDRAMDDR-DDR3LPDDR44X均已实现量产并向更高密度推进展望未来公司计划持续向客户稳定供货DDR3LPDDR44X等产品同时均衡供给多种应用需求并着重于汽车电子5G基站与工业用电子的发展月度营收单位新台币亿元月度营收变化率100营收YoY营收MoM908040703020601050040-1030-2020-3010-400-50资料来源Wind华邦电子公司官网中信证券研究部资料来源Wind华邦电子公司官网中信证券研究部注华邦电2022年总营收9453亿新台币公司业务主要内容包含积体电路及其相关产品的研发设注华邦电2022年总营收9453亿新台币公司业务主要内容包含积体电路及其相关产品的研发设计生产销售售后2022年公司DRAM产品营收占比43Flash产品占比57计生产销售售后2022年公司DRAM产品营收占比43Flash产品占比5710南亚科6月营收环比65连续4个月营收实现环比增长公司6月营收同比-531环比65公司2023年6月营收2458亿新台币同比-531环比652023年1-6月累计营收13451亿新台币同比-646营收保持环比增长专注消费型及低功耗DRAM看好5GAI云端及网通等应用经过逐季持续走弱23Q2负面因素逐步趋缓加上供应商资本支出调整虽然市场状况未全面回暖但PC季节旺季效应下公司预计23H2业绩优于23H1从产品线来看公司2022年DRAM产品营收比例接近1002021年消费型DRAM占营收的60-70标准型DRAM占10-15行动型占10-15公司22年6月于台湾新北市投建12英寸新晶圆厂新厂投资3000亿元新台币完成后月产能可达45万片晶圆预计2025年开始装机投片量产目前一代10纳米级制程1A产品已开始送样第二代10纳米级制程1B产品已完成试产2023年度计划第二代10纳米级制程1C测试产品完成制程测试2024年起逐步于现有厂房导入1B量产及1C试产降本减产策略下公司2022年实际资本支出207亿元新台币减幅约为27其中生产设备资本支出减幅约5成车载领域公司DDR2-DDR4已量产DDR5研发中LPDDR44X部分产品已量产展望未来公司23年计划持续缩减资本支出规划以约185亿新台币为目标其中生产设备资本支出不超过5成并持续推进新制程的研发长期来看云端及网通等应用仍有望带动公司业绩增速扭负为正5GAI月度营收单位新台币亿元月度营收变化率80营收YoY营收MoM70606040502040030-2020-4010-600-80资料来源Wind南亚科公司官网中信证券研究部资料来源Wind南亚科公司官网中信证券研究部注南亚科2022年总营收56952亿新台币公司致力于DRAM的研发设计制造与销售2022年注南亚科2022年总营收56952亿新台币公司致力于DRAM的研发设计制造与销售2022公司DRAM产品营收比例接近100年公司DRAM产品营收比例接近10011力积电5月营收环比-40积极布局海外产能公司5月营收同比-498环比-40公司2023年5月营收3712亿新台币同比-498环比-402023年1-5月累计营收190亿新台币同比-463营收环比略有下降积极布局海外产能ARVR新品技术突破虽然部分市场出现回暖现象但是5月客户下单仍相对保守营收环比略有下降公司预计23Q2比Q1变化较小在持平到季减3-5间毛利有下滑压力但幅度不及Q1公司主营业务包括DRAMFlash和晶圆代工22Q4DRAM营收占比29分离式元器件16电源管理晶片16高压逻辑驱动晶片15嵌入式逻辑产品10Flash产品6公司积极布局海外产能2022年12月于美国亚利桑那州晶圆厂开始兴建第二期工程两期工程总投资约400亿美元完工后将合计年产超过60万片晶圆终端产品市场价值预估超过400亿美元同时Fab188期工厂已实现3nm量产公司预计5年创造15万亿美元产值公司于2023年1月与印度政府签订合作协议将协助印度建立当地首座半导体晶圆厂22年资本支出为65亿美元预计23年资本支出为184亿美元新品技术持续突破与日本机构合作开发出全球独家第四代IGZO制程技术可生产解析度超过5000ppi的显示驱动芯片突破既有元宇宙装置显示技术解析度亮度技术不足限制吸引海外A客户等头部厂商公司预计IGZO制程的ARVR产品可望在明年小量试产因客户库存仍多除图像感测器及面板驱动厂客户持续减产客户也有减产需求随着需求回暖新品带来营收增量ICDRAMARVR海外产能赋能公司营收有望恢复增长月度营收单位新台币亿元月度营收变化率80营收MoM营收YoY7080006060005040004020003000020-200010-40000-6000资料来源Wind力积电公司官网中信证券研究部资料来源Wind力积电公司官网中信证券研究部注力积电2022年总营收76087亿新台币公司主营业务包括DRAMFlash和晶圆代工2022年注力积电2022年总营收76087亿新台币公司主营业务包括DRAMFlash和晶圆代工2022年Q4DRAM营收占比29分离式元器件16电源管理晶片16高压逻辑驱动晶片15嵌入式Q4DRAM营收占比29分离式元器件16电源管理晶片16高压逻辑驱动晶片15嵌入式逻辑产品10Flash产品6逻辑产品10Flash产品612CONTENTS目录1主流存储价格和交期情况2中国台湾重点厂商最新月度数据3供给侧与需求侧近况更新4行业新闻5重点公司追踪6重点公司投资建议及风险因素13需求端看好23H2下游库存持续改善需求逐步复苏下游厂商降成本去库存趋势持续看好需求逐步复苏2022年需求疲软下行业库存持续攀升各大终端厂商将把重心持续放在去库存及降成本上22Q4末华硕联想小米浪潮库存周转天数较22Q2末已经有所好转但小米和浪潮由于库存原材料增长提前备货等原因23Q1库存周转天数分别为87179天有所增加我们认为目前终端厂商已处于去库存的后期全年出货有望呈现前低后高需求量来看我们看好23H2至24年下游需求回暖趋势1服务器端我们预计23Q3需求将有望实现环比增长看好23H2DDR5在服务器端需求提升同时AI服务器DRAM和NAND的容量需求content是传统的68x和3x2PC端我们预计23年PC出货同比下滑低两位数low-doubledigit3手机及智能终端我们预计23年智能手机出货同比下降中个位数mid-singledigit年内前低后高库存逐季改善4汽车端稳健增长预计23Q3工业市场出现复苏初步迹象行业库存及需求有望在23H2持续改善2022年全球存储市场规模下跌1523Q1同比持续下滑DRAMNAND位元需求量仅个位数增长根据CFM闪存市场23Q1存储市场规模大跌至18121亿美元环比-45连续两个季度下跌2022年存储市场累计规模为139187亿美元同比-15我们预计价格持续下跌仍将延续到23Q3从23Q4起存储市场规模料将逐季增长需求量来看美光预计2023年DRAMNAND位元需求Bit分别增长中低个位数low-to-midsingledigit和高个位数high-singledigitDRAMNAND市场规模季节变化单位GBinMUDRAM供给量和供需比单位GBinMUNAND供给量和供需比单位GBinMUDRAMFlash供给量供需比供给量供需比30090007250000725080006670002000002005560001500004150500043100400031000002300050212000500000100010000-11Q222Q223Q224Q221Q232Q23E3Q23E4Q23E1Q222Q223Q224Q221Q232Q23E3Q23E4Q23E资料来源CFM闪存市场中信证券研究部资料来源IDC含预测中信证券研究部资料来源IDC含预测中信证券研究部14近期存储行业产能变化美光计划在印度投资10亿美元建封装测试与模组产线4月24日据印度商业标准报BusinessStandard美光科技Micron将获印度政府批准投资10亿美元在印度建设封装测试与模组产线继多家全球半导体公司至印度开发业务后印度半导体市场逐渐受国际重视此前已有多家厂商宣布在印度建立半导体产线例如鸿海计划与Vedanta在印度建立半导体产线塔塔集团也计划在印度建立晶圆厂我们认为美光在印度投资设厂将有望强化印度半导体制造能力在新产能支持下也能让美光更好服务亚洲客户三星存储芯片减产效益最快6月底显现4月7日三星在发布未经审计的第一季度初步业绩报告的同时宣布将削减存储芯片产量并未公布具体的减产规模5月8日据台媒经济日报三星减产为产业带来的正面效益预估在3-6个月后显现最快可能在6月底见效我们认为23H2起大厂库存消耗速度将加快促使半导体整体产业状况改善加速存储周期触底反弹SK海力士或将引进佳能NIL设备拟2025年用于3DNAND量产5月16日据DIGITIMESSK海力士2023年引进日本光学设备厂佳能纳米压印微影NanoImprintLithographyNIL生产设备正在进行测试与研发目标在2025年左右将该设备用于3DNAND量产NIL可以直接从模板上印刷图案极大缩短了制造周期降低了制造成本使用NIL生产产品的制造周期较短并且能够同时制造多个产品能够显著提高产品的生产效率和产能未来有望加快3DNAND进程三星电子宣布12纳米级DDR5DRAM已开始量产5月18日三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16GbDDR5DRAM已开始量产三星最新的12纳米级DDR5DRAM最高可支持72Gbps处理速度满足计算市场对大规模数据处理的需求与上一代产品相比功耗降低了23晶圆生产率提高了20使其能够成为全球IT企业的服务器和数据中心节能减排的优秀解决方案我们认为服务器硬件持续迭代AI服务器需求爆发将有望推动各DDR5产品的量产进度有望加快DDR5渗透率提升SK海力士宣布量产238层4DNAND6月8日SK海力士宣布已开始量产238层4DNAND闪存并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片生产效率比上一代的176层提升了34成本竞争力得到了大幅改善产品的数据传输速度为每秒24Gb千兆比特比上一代的速度快50公司计划在完成智能手机客户的验证后首先会向移动端产品供应238层NAND闪存随后将其适用范围扩大到基于PCIe50标准的PC平台SSD和数据中心级高容量SSD产品等我们认为成功量产高密度NAND将进一步加强SK海力士的竞争力和产品壁垒未来有望推动企业级高密度存储的应用美光计划收购力成西安拟斥资43亿元投资西安厂6月16日美光科技宣布其决定收购力成半导体西安有限公司的封装设备并计划在美光西安工厂加建新厂房斥资43亿元人民币投资位于西安的封装测试工厂该厂房将引进全新产线用于制造移动DRAMNAND及SSD产品以强化西安工厂现有的封装和测试能力此次美光收购力成西安预计在一年内完成需要获得中国监管部门批准我们认为美光收购力成西安并加建厂房将帮助其提升封测能力更好服务国内客户美光宣布对DRAM和NAND进一步减产至2024年6月28日美光科技Micron发布FY23Q3财报财报中针对资本开支和产能计划公司预计FY2023资本开支为70亿美元相比上年削减超40WFEFab设备下降超50此外公司将对DRAM和NAND进一步减产30并持续到2024年我们认为美光此举有望加快行业供需关系平衡进程让存储芯片价格更快走出周期底部15CONTENTS目录1主流存储价格和交期情况2中国台湾重点厂商最新月度数据3供给侧与需求侧近况更新4行业新闻5重点公司追踪6重点公司投资建议及风险因素16美光在华未通过安全审查并调升国内审查对其全球营收影响比例预测5月21日晚国家网信办发布美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查公告指出本次审查发现其产品存在较严重网络安全问题隐患对我国关键信息基础设施供应链存在重大安全风险影响我国国家安全按照网络安全法等法律法规国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品根据受限客户类别我们判断受限产品主要为美光直接向国内终端销售的存储模组等产品而非向国内模组厂供货的晶圆等中间产品此前网信办曾于3月31日发布关于对美光公司在华销售产品启动网络安全审查的公告对美光在华销售的产品实施网络安全审查2022年美光在大陆地区实现营收约33亿美元同比35占比11美光发布FY23Q3财报调升国内审查对其全球营收影响比例预测6月28日美光发布FY23Q3财报针对国内审查美光表示事件对业务的影响仍不可控并将国内审查对其全球营收影响比例的预测由个位数singledigit调升到低两位数low-doubledigit主流存储格局高度集中美光受审或令非美厂商受益我们预计下游客户有望加速国产化产品存储晶圆模组导入同时为降低供应链风险国内公司或将向三星海力士等非美厂商转移存储模组存储晶圆采购订单三星海力士等供应链厂商受益在晶圆端由于外部制裁大陆存储晶圆厂先进工艺受阻我们预计国内存储晶圆厂成熟制程将逐步实现正常扩产随着国内政策支持力度加大配套产业会持续受益在模组端我们预计国内客户或将转单美光之外的厂商受益海外大厂加速退出利基存储市场国内存储芯片设计公司有望受益在车载领域据ICInsights全球车规DRAM美光占市场份额45若美光业务受限车载存储龙头北京君正有望优先受益在领域国内龙头东芯股份有望受益在领域据美光占市场份额约若其在华业务受限兆易创SLCNANDNORFlashCINNO4新等国产NORFlash龙头有望加速产品升级和高端应用导入美光分产品营收结构美光分下游应用营收结构百万美元美光分地区营收结构计算与网络业务嵌入式业务移动业务存储业务其他中国大陆美国中国台湾中国香港DRAMNAND其他日本欧洲其他国家亚太地区100100009090001002443251326482541239627009080270080008070700070600060605000505040400040726873457256723969257371712230300030202000201010001000020192020202120222022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q22023Q32022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q22023Q3资料来源美光官网中信证券研究部资料来源美光官网中信证券研究部资料来源美光官网中信证券研究部注亚太地区不包括中17国大陆中国台湾和马来西亚周期底部龙头收购整合产业链布局日益完善江波龙连续收购封装大厂持续完善产业链布局2023年6月13日江波龙公告拟通过全资子公司购买SMARTBrazil及其子公司81股权该标的企业价值为205亿美元主要集中于消费级的嵌入式存储SSD存储内存条等市场是拉美重要封测工厂江波龙有望以此获得海外本地化品牌及产能优势并完善产品布局大幅提升拉美市场竞争力2023年6月27日江波龙公告拟以1316亿美元通过新设子公司购买力成科技苏州有限公司70股权力成苏州主要业务包括芯片封装测试及贴片主要产品涉及闪存芯片内存芯片及逻辑芯片此前母公司力成科技为全球最大的第三方存储芯片封测厂商工艺及技术全球领先江波龙有望以此补足存储封装测试的生产能力完善产业链布局加强与存储晶圆原厂的业务合作我们看好龙头在周期低点进行外延布局获得的竞争壁垒及成长潜力铠侠与西部数据合并谈判进入最终阶段营收规模有望超越三星根据日本共同社消息日本存储芯片生产商铠侠与合作方美国西部数据公司就经营合并已进入收尾调整阶段报道援引知情人士称合并工作将在铠侠掌握主导权的情况下针对出资比例等细节进行进一步协商当前面向智能手机等的半导体行情持续恶化业绩低迷合并旨在提升经营效率从而提高竞争力同时合并有可能影响到对铠侠出资四成的东芝公司的经营重组计划路透社援引知情人士消息称铠侠将对合并后的公司出资43西部数据出资37余下20股权将由东芝等现有股东持有合并后的新公司未来计划在东京交易所上市据Omdia2022年铠侠及西部数据市场占有率分别位列第34名合并后该业务销售额将达25万亿日元规模约人民币1300亿元有望超越全球龙头企业韩国三星电子力成苏州股权结构力成苏州主要财务数据单位万元2023年4月30日2023年1-4月2022年12月31日2022度项目力成科技股份有限公司未经审计经审计资产总额49055945002645100100应收账款715003665194PowertechHoldingBVIInc负债总额629275699912Powertech100或有事项涉及的总额--Technology933净资产42763194302733PTITechnologySingaporePteLedSingaporePteLtd主营业务收入1166427390535372利润总额-264145605净利润-264145605力成科技苏州有限公司经营活动现金流量净额-2641492572518资料来源江波龙公司公告中信证券研究部资料来源江波龙公司公告中信证券研究部从原厂复苏节奏看存储行业周期美光FYQ3回顾营收环比微增营收低谷或已过去2023年6月28日美光发布2023年财年第三财季业绩FYQ3实现营收375亿美元公司此前预期中值为37亿美元YoY-57QoQ2毛利率-16优于此前公司指引上沿净亏损190亿美元Q2为231亿元环比收窄Non-GAAPEPS-143美元高于市场预期公司本期减记库存约4亿美元Q2减计高达143亿美元我们认为库存费用环比大幅减少是行业景气即将触底的重要信号营收结构来看Q3DRAM营收占比71营收-2QoQ位元出货量10QoQASP-10QoQNAND营收占比21营收14QoQ位元出货量30QoQASP-15QoQDRAM和NANDASP相较Q2均有所收窄美光FYQ4展望营收指引优于预期美光FYQ4营收指引为39亿美元环比4上下浮动2亿美元中值高于市场预期的387亿美元预计Q4毛利率为-105环比55pcts上下浮动25pctsNon-GAAPEPS-119美元上下浮动007美元公司预期CY23H2DRAM和NAND位元出货量仍将实现强劲增长复盘海外原厂基本面复苏节奏股价表现和估值弹性我们认为本轮下行周期已近尾声行业复苏可期原厂营收表现随行业供需关系存在一定的周期性从历史数据来看每个周期持续约3-5年左右从股价角度美光季度营收和股价走势高度拟合如在上行周期中季度营收同比增速先达高点后股价达到高点下行周期中股价先于营收见底美光自FY22Q3营收见顶连续3个季度营收大幅下滑累计跌幅接近60直至FY23Q3环比实现微增下行周期已持续一年复盘海外原厂基本面复苏节奏股价表现和估值弹性站在当下时点我们认为本轮存储行业下行周期已接近尾声正处于新一轮行业投资起点我们看好国内产业链相关公司的投资机会美光历史季度营收和股价趋势图百万美元美光历史季度营收和PB趋势图百万美元营收股价营收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资料来源Bloomberg中信证券研究部资料来源Bloomberg中信证券研究部
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