荷兰政府于6月30日发布半导体设备出口管制新规，针对先进的光刻和沉积设备，预计将于9月1日正式实施；ASML回应表示本轮新规将影响其浸没式DUV2000i及更先进的光刻机台，其他机台不受影响；ASMI公司尚未对新规做出回应。本次荷兰出口管制新规预计将加速国内设备自主可控进程，看好国内核心设备及零部件国产替代趋势。
　　荷兰正式公布半导体设备出口管制新规，预计9月1日开始实施。2023年6月30日，荷兰政府公布有关半导体设备出口的新规定，侧重于先进的芯片制造技术，主要包括先进的光刻设备和沉积设备两大类，新规将于2023年9月1日生效。1）光刻设备及相关：①EUV光罩保护膜；②EUV光罩护膜生产设备；③步进重复或步进扫描光刻机，满足如下条件之一即受限，a.光源波长小于193nm，b.光源波长大于或等于193nm，同时最小可分辨特征尺寸小于45nm，并且最大专用卡盘覆盖（DCO）小于或等于1.50nm；2）沉积设备：包括部分用于金属沉积的ALD设备、部分用于硅/锗硅/碳掺杂锗硅外延生长的设备、部分等离子体低k介质沉积设备。
　　ASML针对荷兰出口法规做出回应，预计受限的光刻设备为2000i浸没式DUV及更先进的机型。ASML也于6月30日发表声明，ASML需要向荷兰政府申请其最先进的浸没式DUV光刻系统（TWINSCANNXT:2000i和后续浸没式系统）的所有装运的出口许可证，荷兰政府将决定是否授予或拒绝所需的出口许可证。由于，荷兰新的出口管制条例将于2023年9月1日生效，ASML可以在该日期之前开始提交出口许可证申请。
　　ASML 1980Di DUV光刻机可以实现最低7nm制程，1980D/E/Fi预计不在本轮限制范围内。参考de Graaf、Roelof等于2016年发表的SPIE会议论文，1980Di可适用于10-16nm制程，通过多重曝光可实现7nm制程的光刻。按照TSMC制程路线图，其N7节点于2018年4月正式投入量产，使用ASML2016年发布的1980Di机型，采用DUV工艺；TSMC的N7+节点是全球首个使用EUV工艺的技术，于2019年全面量产。根据ASML官网，1980Di最大分辨率可实现38nm，小于荷兰政府规定的45nm，但其DCO指标为最大1.6nm，不满足法规中小于等于1.5nm的要求，因此该设备目前仍未受限。另外，根据ASML官网，1980Ei和Fi系列是1980Di的升级型号，主要升级体现在产能提升等，DCO指标仍不满足受限制标准。
　　ASMInternational在ALD市场具备领先地位，其沉积和外延设备预计将直接受到荷兰出口新规影响。荷兰的ASMI公司专注于沉积设备，拥有最大的单晶圆ALD应用组合，外延领域份额不断增长，并且提供PECVD和立式炉等设备，2022年，公司还新增碳化硅外延设备产品线。根据ASMI 2022年报，公司在ALD市场至少拥有55%的市场份额，处于绝对领先地位，2020年在外延设备市场份额约15%，计划于2025年提升外延市场份额至30%。由于本次荷兰出口新规对部分用于金属沉积的ALD设备和部分用于硅/锗硅/碳掺杂锗硅外延生长的设备进行限制，ASMI公司设备预计受到直接影响，但公司目前尚未做出官方回应。
　　根据路透社，美国或将进一步加深对芯片制造设备出口的限制，有可能出台对2022年10月7日法规的更新条款。根据路透社6月29日的报道，美国和荷兰将在今年夏天通过进一步限制芯片制造设备的销售，美国或将于7月下旬公布规定，要求向部分中国Fab厂出口设备需要许可证，由于荷兰的光刻机设备含有美国零部件，因此美国法规也适用于荷兰公司。另据路透社表示，本轮美国出口管制如果得到实施，将对去年10月7日的法规进行更新。
　　投资建议。考虑到荷兰在全球光刻机市场和ALD市场均处于绝对领先地位，我们预计本轮荷兰设备出口管制新规会进一步加速设备国产化自主可控进程。由于ASML 1980Di光刻机暂不受限，因此预计荷兰新规对于国产成熟及相对先进制程产线扩产的影响相对可控。建议关注A股如下三类公司：1）半导体设备相关零部件公司：茂莱光学、福晶科技、腾景科技等；2）ALD和外延设备持续国产替代类公司：北方华创、拓荆科技、微导纳米、中微公司等；3）受益于国内成熟制程和相对先进制程产线扩产的标的：①沉积：北方华创、拓荆科技、中微公司、盛美上海、微导纳米等；②刻蚀：北方华创、中微公司等；③涂胶显影：芯源微；④热处理：北方华创、盛美上海等；⑤清洗：盛美上海、至纯科技、芯源微等；⑥测试：中科飞测、精测电子等；⑦离子注入：万业企业、华海清科；⑧CMP：华海清科等。
　　风险提示：美国出口管制法规趋严的风险、国内晶圆产线扩产不及预期、行业竞争加剧、宏观经济形势变化的风险。