摘要
　　中信证券财富管理与中信里昂研究观点一致。根据中信里昂研究在2026年6月10日发布的题为《Confidence in thererating story》的报告，近期与SK海力士（SKHynix）的会议强化了市场对其HBM4供应及中期定价的可见性判断。HBM4现已进入量产阶段，并将在2026年下半年开始大规模出货。正在进行的多年供应合同谈判显示行业需求结构正转向合约化。海力士近期与英伟达（Nvidia）就共同开发下一代人工智能应用存储芯片达成的合作，进一步巩固了其作为关键AI基础设施供应商的地位。分析认为，海力士计划于2026年三季度上市美国存托凭证（ADR）及可能纳入费城半导体指数（SOX），将成为近期股价催化因素。
　　HBM4供应启动提升下半年盈利可见性
　　HBM4当前已进入量产阶段，预计2026年下半年将随英伟达Vera Rubin平台量产计划开始大规模出货。此前签订的HBM供货量及价格条款均未调整，预示2026年下半年盈利可见性稳固。在传统存储业务方面，管理层优先考虑价格稳定而非短期利润最大化，计划全年实现产品均价“渐进式”提升。这表明行业采取更为审慎的供给策略，相较历史波动周期将支撑更稳定的利润率扩张。
　　多年供应协议预示存储市场新时代
　　海力士与部分客户的3-5年长期供应协议已完成签署，与其他主要客户的谈判仍在进行。当前需求仍远超可用供给。尽管如此，海力士计划保留部分非合约产能以维持灵活性。长期协议将推动行业实现更稳定的盈利水平，同时强化资本开支纪律。
　　与英伟达深度合作提升长期HBM市占前景
　　英伟达与海力士达成多年合作协议，将共同开发适用于未来平台的存储芯片。合作涵盖Vera Rubin、CPU、AI服务器/PC、机器人及全球AI工厂建设等多个平台。海力士将采用英伟达CUDA-X平台及AI工具加速芯片设计与生产。此举标志着客户协同进入新阶段，确保海力士在未来英伟达平台的HBM供应链中占据核心地位。
　　资本开支增加背景下DRAM位元增长料维持约20%-21%
　　新建的M15X晶圆厂将于2026年下半年投产，2027年一季度达产；韩国龙仁Y1工厂则计划2027年下半年启动运营。整体而言，研究显示2026-2028年DRAM位元供给增速料维持约20%-21%的有限水平。这反映产能紧张态势将持续，并强化了市场对HBM及服务器DRAM领域多年供给短缺的判断。
　　催化因素
　　维持其在HBM市场的领导地位可能继续推动市占率提升，且NAND需求复苏快于预期或成为股价潜在催化因素。
　　投资风险
　　主要风险包括持续的中美贸易摩擦、地缘政治紧张局势，以及IT与服务器市场需求复苏延迟。存储芯片行业持续的库存调整与中国厂商快速扩产也可能对海力士构成威胁。
　　公司概况
　　SK海力士是全球领先的纯存储半导体制造商，专注于DRAM与NAND业务。其DRAM/NAND业务分别贡献超65%与超30%的营收，约4%的收入来自非存储业务。2022年，公司收购英特尔SSD业务并更名为Solidigm，目前正通过整合该业务强化NAND领域竞争力。