业绩简评
　　2026年3月19日公司披露FY26Q2（25.12~26.2）业绩，FY26Q2公司实现营收238.6亿美元，同比+196%，环比+75%。FY26Q2公司GAAP毛利率为74.4%，同比+37.6pcts，环比+18.4pcts；Non-GAAP毛利率为74.9%，同比+37.0pcts，环比+18.1pcts。FY26Q2公司实现GAAP净利润137.8亿美元，同比+771%，环比+163%，Non-GAAP净利润为140.2亿美元，同比+686%，环比+156%。
　　公司指引FY26Q3营收为335±7.5亿美元，GAAP/Non-GAAP毛利率均为81%左右，GAAP/Non-GAAPEPS分别为18.9±0.4美元/19.15±0.4美元。
　　经营分析
　　DRAM、NAND价格持续上行。FY26Q2公司DRAM营收为188亿美元，同比+207%，环比+74%，DRAM价格环比上涨约65%，位元出货量环比增长中个位数。NAND营收为50亿美元，同比+169%，环比+82%，NAND价格环比上涨75~80%，位元出货量环比增长低个位数。
　　数据中心存储需求快速增长。公司预计2026年底，数据中心DRAM与NAND的位元数需求将超过行业总位元数市场的50%。目前AIagent也在驱动传统服务器需求增长，AI需求持续强劲，公司预计2026年服务器出货量将同比增长10~15%。公司HBM进展顺利，公司HBM436G 12H产品为英伟达Vera Rubin平台设计，已经在26Q1实现出货。公司预计HBM4达到较成熟的良率的速度将快于HBM3E。公司预计HBM4E产品将在27年开始量产爬坡。
　　公司提升全年资本开支。公司预计FY26资本开支将超过250亿美元，公司预计FY27资本开支将同比增长超过100亿美元，主要用于支持HBM、DRAM相关产能的投资。
　　盈利预测、估值与评级
　　公司是全球存储龙头厂商，有望受益AI带动的存储上行周期。公司HBM也进展顺利，为Vera Rubin设计开发的产品已经开始出货。我们认为由于半导体行业产能建设周期较长，公司资本开支提高难以短期快速拉动行业供给，存储涨价趋势有望持续。我们预计公司FY26~FY28 GAAP净利润分别为607、1284、1711亿美元，维持“买入”评级。
　　风险提示
　　下游需求不及预期；原厂减产不及预期；行业竞争加剧风险；存货减值风险；产品迭代不及预期；产品禁售风险。