核心观点
　　NAND：SK海力士开始供应移动端NAND闪存解决方案ZUFS 4.1。根据DRAMexchange，上周（20250915-0919）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.70%至2.67%，平均涨跌幅为0.24%。其中6个料号价格持平，11个料号价格上涨，5个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，SK海力士宣布，已正式向客户供应其全球率先实现量产的移动端NAND闪存解决方案产品ZUFS 4.1。ZUFS(Zoned UFS)是将分区存储（Zoned Storage）技术应用于UFS的扩展规格，可将不同用途和特性的数据进行分区（Zone）存储。此产品搭载于智能手机，能够有效提升操作系统的运行速度和数据管理效率。
　　DRAM：TrendForce称DRAM价格飙升致买家难以跟进，交易量有限。根据DRAMexchange，上周（20250915-0919）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为2.44%至7.99%，平均涨跌幅为4.65%。上周18个料号呈上涨趋势，0个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据科创板日报报道，根据内存现货价格趋势报告，DRAM方面，虽然DDR4供应依然吃紧，但价格飙升导致买家难以跟进，导致价格上涨但交易量有限。
　　HBM：韩美半导体称用于HBM的混合键合机2027年上市。根据CFM闪存市场报道，韩国半导体设备商韩美半导体宣布，其用于高带宽存储器(HBM)的混合键合机预计将于2027年上市，用于片上系统(SoC)的混合键合机预计将于2028年上市。与目前使用凸块垂直堆叠HBMDRAM的热压键合(TC)设备不同，该混合键合机可以直接将芯片键合在一起，可减少HBM厚度并减少信号损耗。预计该设备将于2027年投入生产20层第六代HBM (HBM4)。
　　市场端：涨价情绪升温带动行业SSD价格开始反弹，渠道SSD和内存条全面涨价。根据CFM闪存市场报道，经历数月调整、横盘期的行业和渠道SSD价格开始反弹。不过，此次涨价并非需求端实际销售好转带动，基于近期iPhone 17开启预售，线上电商平台数据显示消费者抢购热度较高，加上双11购物节的备货不久后也即将开始，部分存储厂商期盼涨价趋势能得以延续，但消费购买力能否提振尚无定论，同时也还需实时关注资源方面的供应和定价变化。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。