核心观点
　　NAND存储储涨价情绪持续升温。此前闪迪宣布涨价，上游涨价消息带动行业和渠道市场迅速升温，根据CFM闪存市场数据，上周不同规格Flash wafer价格上涨1.82%-6.25%不等；SSD渠道市场和行业市场价格均全面上涨，其中SSD 256GB（行业市场）价格周涨幅最高，达8.62%。我们认为供应端对部分NAND资源实施涨价策略，显著提升了行业客户的提货紧迫性，考虑到下半年服务器NAND市场备货需求升温，预计Q4企业级存储价格将继续呈现上涨趋势。
　　 DRAM市场或迎来全面涨价行情。近日美光决定暂停对DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5X的报价，业界传美光或对渠道存储产品大幅度调涨20%-30%。随着供需天平逐渐向卖方市场倾斜，DDR4、LPDDR4X价格自二季度起开启涨价潮，并有望延续到明年上半年。与此同时，受HBM产能挤占叠加新旧制程切换影响，下半年DDR5、LPDDR5X供应趋于紧张，DRAM市场迎来全面涨价行情。市场普遍担心DRAM涨价行情持续性问题，我们认为，AI带动的需求持续性一直是本轮DRAM涨价行情的关键支撑，叠加供应端原厂产能切换的不可逆趋势，本轮DRAM涨价行情具有较强持续性。
　　三星12层堆叠HBM3E通过英伟达认证，展望HBM4原厂竞争或加剧。据韩国媒体本周报道，三星12层堆叠HBM3E产品已成功通过英伟达认证，正式跻身其HBM供应链体系。三星核心目标已瞄准下一代HBM4技术，据官方披露，依托1cDRAM技术，结合4nm逻辑芯片工艺，公司已成功研发出数据传输速率达11Gbps的HBM4产品，成为全球首个实现这一指标的厂商。TrendForce预计SK海力士仍然会在HBM4供应初始量产阶段保持其最大供应商的位置。据TrendForce报道，考虑到Instinct MI450及“Helios”带来的威胁，英伟达最近向Vera Rubin零部件供应商提出新的要求，希望尽快将HBM4的速度从8Gb/s提高到10Gb/s。我们认为，HBM4时代，三星有望与SK海力士、美光实现“同步布局”，原厂竞争或进一步加剧。随着原厂加大投入到HBM竞争并减少利基DRAM产能，国内利基DRAMTier2供应商有望获得更大市场空间。
　　投资建议与投资标的
　　存储行情景气度持续，国内先进存储产能持续扩充，AI服务器和AI终端有望持续带动存储需求增长，同时叠加国产替代机遇，存储产业链相关标的：兆易创新(603986，买入)、普冉股份(688766，未评级)、德明利(001309，未评级)、佰维存储(688525，未评级)、北京君正(300223，买入)、朗科科技(300042，未评级)、东芯股份(688110，未评级)、江波龙(301308，未评级)、恒烁股份(688416，未评级)、万润科技(002654，未评级)、深科技(000021，未评级)、同有科技(300302，未评级)、聚辰股份(688123，未评级)、联芸科技(688449，未评级)等。
　　风险提示
　　下游需求增长不及预期；原厂退出进展不及预期。