核心观点
　　国内存储产能占比低，投入确定性强。全球芯片制造产能中，存储芯片占比超30%，存储芯片产线建设是半导体设备需求的主要来源之一。存储芯片产品标准化程度高、规模效应显著，国内在DRAM、3DNAND领域份额占比仅低个位数。且国内存储领域技术差距与海外持续缩小：DRAM领域，长鑫存储已达到1Xnm（16nm-19nm）阶段，与国际先进水平相比，虽然仍存在一定差距，但差距近年来逐步缩小；NAND领域，长江存储2022年推出232层产品已比肩国际一线大厂。目前国内存储厂商亟需在提升技术实力的同时扩大产能提升竞争力，未来资本开支投入的确定性强。
　　 3DNAND堆叠层数增加拉动刻蚀及薄膜沉积设备需求。集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。3DNAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数，当前叠堆层数正从96/128层向200层以上发展，层数增加导致晶圆厂对刻蚀设备需求量上升。根据东京电子统计，刻蚀设备占FLASH芯片产线资本开支比例从2D时代的15%增长至3D时代的50%。此外，3D工艺下，刻蚀要在氧化硅和氮化硅一对的叠层结构上，加工40：1到60：1的极深孔或极深的沟槽，3DNAND层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比。
　　中微公司高深宽比刻蚀技术持续取得突破。在存储器件中，极高深宽比刻蚀是最为困难和关键的工艺，是在多种膜结构上，刻蚀出极高深宽比（>40：1）的深孔/深槽。公司自主开发了极高深比刻蚀机，该设备用400KHz取代2MHz作为偏压射频源，以获得更高的离子入射能量和准直性，使得深孔及深槽刻蚀关键尺寸的大小符合规格。
　　薄膜沉积设备在存储中应用众多，拓荆科技国内领先。拓荆科技自2010年成立就开始研制薄膜沉积设备中的最大的设备类别PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD薄膜材料的设备，有望持续受益国内下游客户扩产。
　　投资建议与投资标的
　　我们看好国内存储产业链潜在扩产带来的上游业绩弹性：
　　设备环节建议关注：中微公司、拓荆科技、北方华创、精测电子、华海清科、芯源微、盛美上海、中科飞测-U、万业企业
　　材料环节建议关注：鼎龙股份、安集科技
　　封测环节建议关注：万润科技、佰维存储
　　风险提示
　　下游资本开支不及预期、国产化率不及预期、竞争格局恶化、地缘政治风险