Nand Flash Wafer：高容量产品价格持续上扬，中低容量产品价格开始启动。高容量产品以1Tb Falsh Wafer为例，现货均价自7月17日低点的2.78美元持续上扬，至10月2日现货均价已达3.57美元，涨幅达28.43%。低容量Flash Wafer（128GB）和中等容量Flash Wafer（256GB）现货观测期间内维持相对稳定，其中256GBWafer现货均价近期开始启动，自8月14日的0.93美元涨至10月2日的1.12美元，涨幅达20.34%。
　　DRAM：利基及大宗产品价格全面反攻。利基DRAM以DDR34GB 512Mx81600MHz产品为例，现货均价自9月以来持续上涨，最新现货均价为1.04美元，涨幅为8.02%。DDR4产品现价全线持续上涨，以DDR416GB（1GB×16）3200产品为例，10月12日较9月15日上涨0.15美元，涨幅5.22%。DDR5以16G(2Gx8)4800/5600产品为例，最新现货均价为4.17美元，较8月21日低点上涨0.29美元，涨幅7.47%。我们预计随着新服务器平台渗透及消费电子复苏，DDR5用量将持续提升，DDR5产品价格将持续上涨。
　　中国台湾存储厂商9月营收环比持续修复，各公司后市展望乐观。根据最新公布的台湾省9月份台股月度营收来看，多数厂商业绩环比增长，模组厂商业绩强劲修复。其中威刚9月营收33.42亿元新台币，创22个月以来新高，环比+12.49%、同比+3.96%。创见信息9月营收10.41亿元新台币，环比+18.6%，同比+0.32%。十铨9月营收14.82亿新台币，环比+16.47%，同比+113.10%。各厂商乐观看待存储行业后市发展。其中威刚表示看好DRAM及NANDFlash现货价于10月、11月翻扬，第4季合约价也将上涨10%～15%；价格向上走势可望一路延续至明年上半年。十铨表示受惠于原厂减产效益开始显现，DRAM和NANDFlash报价谷底反弹，下游采购力度回升，整体销量明显增加，未来将持续观察客户库存及终端复苏程度，灵活调节产能及市场策略，以迎接Q4消费性电子旺季。
　　美光营收有望连续三个季度实现环比正增长，后续维持强劲出货预期。美光本季度营业收入为40.1亿美元，环比+6.93%，同比-39.61%；本财年收入为155.4亿美元，低于去年同期的307.6亿美元，YoY-49.48%。根据美光最新指引，预计FY24Q1营收区间为42-46亿美元，中值为44亿美元，对应同比+7.71%，环比+9.73%，有望连续3个季度实现环比正增长。出货量角度来看：DRAM在第四财季营出货量环比增长约15%，推动本财季对应业务营收环比增长3%。NAND出货量增长逾40%，推动对应本财季业务营收环比增长19%。美光预计FY24Q1 DRAM位元出货量有望创纪录，Nand位元出货量环比或有所下滑，但仍将保持较高水平。
　　本周存储行业动态。1）原厂减产配合控价，2023H2存储产品价格上涨有望持续巩固。2）TrendForce预计2023Q4 DRAM合约价将转为上涨，涨幅预估为3~8%。3）DDR5有望在2024年进入高速渗透期，三星电子将在2023Q4加大量产。4）铠侠和西数有望于10月达成合并协议。5）美国同意向三星和SK在华工厂提供设备。
　　标的推荐：见尾页投资建议章节。
　　风险提示：下游需求不及预期，研发进度不及预期，行业竞争加剧。