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>> 中信证券-半导体行业重大事项点评:从海力士财报看存储复苏周期与HBM前景-230727
上传日期:   2023/7/27 大小:   602KB
格式:   pdf  共5页 来源:   中信证券
评级:   强于大市 作者:   徐涛,王子源,雷俊成
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SK海力士于7月26日发布FY23Q2业绩,公司单季度营收环比大幅改善,DRAM/NAND位元出货量环比大增;高密度DDR5、高性能LPDDR5和HBM等高端产品销量超指引。HBM方面,公司积极推广HBM3E,计划将1bnm应用于HBM3E生产,公司预计24H2实现量产和供应。AI服务器方面,短期来看,公司预计Q3 AI服务器需求将持续增长;中长期来看,公司预计AI市场规模CAGR有望达30%左右,公司持续看好AI服务器对高端存储产品(HBM等)需求的增长。海外大厂稼动控制之下存储供需改善,我们预计主流存储价格23H2有望持续回暖,看好产业链公司23H2业绩底部复苏,看好AI服务器市场爆发为HBM等高端存储产品带来的机遇,建议关注相关环节投资机会。
  ▍FY23Q2营收环比大幅改善,DRAMASP环比上涨。SK海力士Q2实现营收-47% YoY、+44% QoQ至7.31万亿韩元;毛利率为-16%,QoQ+16pcts;23Q2净亏损2.99万亿韩元,较Q1的2.59万亿韩元有所扩大。库存方面,FY23Q2库存环比减少4.4%至16.42万亿韩元,同时存货估值损失因DRAM价格上涨而减少。营收结构来看,Q2 DRAM营收占比62%(位元出货量+30% QoQ,ASP+high-single% QoQ),NAND营收占比30%(位元出货量+50% QoQ,ASP -10%QoQ)。DRAMASP环比增长受益于应用于AI服务器的高端产品的销量增长。
  ▍FY23Q3展望,公司预计DRAM需求(按Bit)环比增长10-15%(low-to-midteen),NAND需求预计环比持平。对于DRAM,公司计划持续支持高密度&HBM产品需求,扩大高性能DDR5和高密度LPDDR5销售,准备1bnm大规模量产。对于NAND,公司将扩大176层SSD的销售,准备为238层NAND大规模量产。公司预计FY23 DDR5128GB+高密度服务器模组+HBM产品销售额将同比增长超2倍。
  ▍FY2023资本开支计划同比削减超50%,决定对NAND进一步减产5-10%。公司FY2022资本开支约19万亿韩元,此前预计FY2023资本开支将同比削减超50%,现公司维持该计划,但将在有限的资本开支预算内确保高密度DDR5/HBM的生产能力。公司表示FY23Q2内存需求有所恢复,但行业整体库存仍高,因此决定对NAND进一步减产5-10%。
  ▍HBM持续引领市场,公司预计24H2大规模供应HBM3E。公司目前能够提供行业最高规格的12层堆叠24GBHBM3产品,并预计将在24H1将1bnm应用于HBM3E(以及LPDDR5T),预计24H2将大规模量产并供应HBM3E,并计划在2026年升级至HBM4。
  ▍行业景气展望:需求端看好移动终端、AI服务器高端产品,行业景气有望逐步回暖,公司预计23年DRAM/NAND需求(按Bit)分别增长5-10%(mid-to-highsingle)和约15%(mid teen);其中:1)PC:渠道库存量下降,产品出货量将环比增长,公司预计23H2商用和游戏产品将带动内存需求增长。2)移动端:需求复苏仍相对乏力,公司预计23H2受益新产品推出和低内存价格需求有望改善;旗舰产品对高密度/高性能的LPDDR5需求增加。3)服务器:CY23整体由于云服务商削减IT开支、调整库存导致端需求疲软,但FY23Q2起,AI市场增长带动高端服务器产品需求,高规格DDR5/HBM需求持续增加;公司预计中长期AI市场规模CAGR达30%左右,带动服务器需求CAGR达高个位数(highsingle)。
  ▍存储价格底部明确,高端产品价格有望率先回暖,关注国内厂商在HBM领域的发展机遇。我们认为,随供给侧海外原厂稼动率调整效果在23H2逐步显现,并且随品牌厂商新产品发布和消费传统旺季到来,下游需求有望逐步回暖,存储供需关系将持续改善,带动整体存储价格温和回升,高端存储价格有望率先开启涨势。根据Bloomberg,6月DRAM价格延续下跌趋势但跌幅收窄至0.98%-3.85%,NANDFlash价格趋稳,跌幅为0.00%-1.42%;23Q2来看,根据TrendForce,23Q2 DRAM跌幅收缩至13%-18%,(PC及Server DRAM跌幅为15%-20%;Mobile DRAM跌幅为13%-18%),NANDFlash价格跌幅为10-15%。HBM方面,受制于高技术壁垒,目前全球仅SK海力士、三星、美光能够稳定供应(根据TrendForce,2022年三家份额分别为50%/40%/10%),国内企业尚处于技术储备期。我们认为,HBM在AI服务器需求驱动下将快速放量,国内厂商有望从率先从封测端取得进展,逐步导入模组端,长期受益于AI发展浪潮。
  ▍风险因素:后续海外国家对华半导体技术限制超预期;先进技术创新不及预期;国际产业环境变化和贸易摩擦加剧;下游需求不及预期;厂商产能控制不及预期,行业竞争加剧。
  ▍投资策略:行业周期角度,海外大厂稼动控制之下存储供需改善,我们预计主流存储价格23H2有望持续回暖,看好产业链公司23H2业绩底部复苏;细分市场角度,看好AI服务器市场爆发为HBM等高端存储产品带来的机遇,建议关注:1)存储模组:深科技、江波龙、佰维存储、德明利、协创数据、朗科科技等;2)存储配套芯片:澜起科技、聚辰股份等;3)存储芯片设计:东芯股份、兆易创新、北京君正、普冉股份、恒烁股份等。
 
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