投资要点
　　溅射靶材是薄膜沉积核心耗材，市场规模持续扩容，需求由晶圆产能扩张与单片用量提升双轮驱动。相较CVD，磁控溅射材料与基板可选范围广、膜厚易控、附着力强，已成为工业化薄膜制备主流技术。据中商情报网，中国2025年溅射靶材市场规模33.65亿元，2026年有望达38亿元。逻辑芯片向7-3nm迭代、3D-NAND与HBM工艺升级及Chiplet、CoWoS先进封装，共同推升单片晶圆靶材用量与单位价值；SEMI预测2026-2027年中国300mm晶圆厂设备支出维持双位数增长，资本开支向靶材采购传导，根据我们的测算，全球半导体靶材远期市场规模有望超70亿美元，较当前有翻倍空间。
　　靶材生产工序复杂、技术壁垒极高，头部格局具备较强稳定性。靶材对金属原料纯度及生产工艺要求极高。金属原料需历经靶坯成型、热机械处理、高精度机加工、背板绑定及超高洁净清洗等工序，任一参数波动均影响膜层性能。熔炼法（EB）适配钽、铌、铜、铝，致密度需突破98.0%；粉末冶金法（HIP）适配钨、钼及合金，致密度需突破97.0%。微观组织需经多道次交叉轧制与阶梯退火细化晶粒、控制织构；绑定环节国内电子束焊机±50 μm定位精度尚不满足300mm靶材±10 μm要求。高技术与客户认证壁垒使供应链粘性强，份额短期难洗牌。
　　海外龙头工艺积累深厚，AI需求带动半导体材料业务量利齐升并加速全球产能布局。JX金属2026年半导体用溅射靶材全球份额约65%（公司自身估计），高纯铜技术达9N，FY2026Q1半导体靶材销量同比+26%，半导体材料分部收入521亿日元、营业利润144亿日元，同比+34%、+69%，营业利润率27.6%。东曹以4N-5N5高纯钛靶与GaN靶双线布局，FY2027Q1先进材料营业利润率由8.3%升至9.3%。Solstice于2025年10月30日分拆上市，2026Q2电子材料收入1.19亿美元、同比+15%。
　　国产替代持续深化，国内厂商在制程覆盖、客户导入与经营兑现上同步突破。江丰电子靶材覆盖130nm-5nm，2026H1营收27.37亿元、同比+30.68%，归母净利润5.40亿元、同比+113.61%，靶材与零部件合计贡献84.60%。有研新材2026H1靶材收入同比增超45%，319项在验证产品105项批量供货，12英寸Cu/CuMn已用于14-3nm互连。欧莱新材2026H1营收5.08亿元、同比+133.43%并扭亏；阿石创三条产品线毛利率分别提升11.89、10.63、9.28个百分点。国产靶材进口替代持续加速。
　　风险提示：下游晶圆厂扩产及行业景气波动风险；高纯金属原材料价格波动与成本传导风险；产能建设与项目进度不及预期风险；客户认证与验证转化进度风险；行业竞争加剧风险；国际贸易摩擦、出口管制政策与供应链稳定性风险。