7月以来费城半导体指数有所调整，2026年全球CSP合计资本开支预计约8300亿美元，带动AI产业链景气度持续提升。存储行业供需缺口将延续至2027年，国内模组公司进入利润放量期。全球CPU市场空间大幅提升，国产算力订单及营收高速增长，同时带动国内先进制程需求。国内存储扩产趋势明确，国产化率迎来提升，设备订单持续向好、材料随产能突破瓶颈后迎来规模化提升。建议关注受益于供需紧张的存储、需求持续向好的算力及代工、扩产周期的设备材料等，同时建议关注各科创指数和半导体指数核心成分股。
　　 7月A股半导体指数跑输费城半导体指数、中国台湾半导体指数。半导体（SW）行业指数-35.38%，电子（SW）行业指数-34.72%，同期费城半导体指数/中国台湾半导体指数-20.61%/-4.88%。
　　行业景气跟踪：需求或受存储涨价影响，预计存储供给持续紧张。
　　1、需求端：存储涨价导致消费类需求仍承压，AI算力建设是亮点。手机：H1手机出货同比-5.4%、苹果逆势增长，产业链预计存储涨价导致手机大盘全年下滑近14%；近期国内端侧手机模型首次获批，端侧AI产业进程加速。PC：Q2出货同比-4.7%是九季度连涨后首次下滑，因前期提前为存储涨价备货透支需求，产业链预计存储涨价背景下PC全年出货下滑11%。穿戴/IoT：AI/AR眼镜H1出货均同比大幅增长约190%，创新关注AI耳机、眼镜、IoT机器人等新形态终端。汽车：国内汽车H1销量同比下滑4%、全年销量承压，关注智驾技术进展及应用下沉趋势。服务器：2026Q2，CSPs进一步上调资本开支，进一步满足算力需求，26M6信骅营收13.1亿新台币，同比+67%/环比+2%。
　　 2、库存端：功率MCU及模拟DOI环比下降，库存周转加快。26Q1国内手机链芯片厂商平均库存显著降低，DOI达175天。海外模拟与功率器件厂商去库存成效显著，指引库存周转加快、去库存趋势延续。TI 26Q2库存46.05亿美元、环比-0.90亿美元，DOI 212天/环比-6天，将向150-250天区间的下限靠近；英飞凌26Q2 DOI从177天环比下降至170天，目标2026财年末降至150天左右；PI 26Q2库存环比减少519万美元，DOI下降9天至286天，预计2H26继续改善，渠道库存已回到7–8周合理区间；ST 26Q2库存为31.88亿美元，环比+0.15亿，DOI为137天。
　　3、供给端：2026年全球晶圆厂资本开支持续增长，国内先进及成熟制程扩产均可期。1）存储方面，三大原厂显著加码资本开支，投资重心进一步向HBM、先进DRAM/NAND及洁净室基础设施倾斜。①三星26Q2资本开支16.8万亿韩元，其中DS部门15.4万亿韩元，重点推进平泽新厂及基础设施建设，并加速HBM4、DDR5、SOCAMM2等高附加值产品布局；②美光将FY2026资本支出进一步上修至约270亿美元，并预计FY27资本开支继续明显提升，增量中过半来自厂房和洁净室建设，设备支出预计也将同比增长；③SK海力士2026年资本开支预计达到40万亿韩元区间高位，主要用于M15X量产、龙仁一期洁净室建设以及P&T7先进封装厂、M17 NAND生产基地等项目。预计2026年DRAM和NAND资本开支继续增长，但新增供给仍难以完全匹配需求。①预计2026年300mm DRAM晶圆厂设备投资同比增长29%至370亿美元，主要投向HBM、DDR5及先进制程迁移。②预计全球300mm3DNAND晶圆厂设备投资同比增长28%至140亿美元，重点用于高层数制程升级及企业级SSD相关产能建设。③国内存储原厂预计持续扩产，市占率有望持续提升；2）逻辑方面，2026年全球半导体制造设备支出预计达到1659亿美元，同比增长23.2%，较此前预测明显上修，资金主要投向先进工艺产能，成熟制程工艺仍然处于积极扩产态势；台积电将2026全年美元口径收入增速上调至略高于40%，同时将2026年资本支出由520–560亿美元大幅上调至600–640亿美元，其中约70%-80%用于先进制程技术，约10%用于特殊制程技术，约10%-20%用于先进封装、测试、掩膜制造及其他领域；UMC上调2026资本开支至20亿美元，主要用于12英寸晶圆；中芯国际2026年资本开支约80亿美元；华虹半导体26Q1资本开支9.2亿美元，Fab9B预计26Q4开始设备进场，并于2027年进入产能爬坡阶段；世界先进（VIS）资本开支继续维持600亿—700亿新台币，主要用于12英寸产线建设。
　　4、价格端：DRAM现货价持续上涨，Q3通用存储合约价涨幅大幅收敛。现货价方面，DRAM现货价持续创新高，NAND现货此前受高价抑制、市场买盘偏弱，近期有回升态势。合约价方面，AI服务器与数据中心需求仍提供支撑，但受消费级需求下修、高基数及客户价格承受力接近上限影响，TrendForce预计26Q3一般型DRAM环比+13-18%，NANDFlash合约价环比+10%-15%，涨幅较前几季明显收敛。利基存储供给更为紧张，26H1 NORFlash、SLCNAND合约价涨幅均超过100%；展望26H2，高容量NORFlash受车载电子与边缘AI需求拉动，仍有60%-65%以上调涨空间，SLCNAND合约价环比+120-170%。
　　 5、销售端：本轮半导体周期从23M2开始环比持续复苏，主要系AI需求持续旺盛拉动，26M5全球半导体销售额1206.1亿美元，同比+10