核心观点
　　NAND：铠侠计划五年内将产量翻一番，以满足AI数据中心对NAND需求。根据DRAMexchange，上周（20250616-0620）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.00%至6.06%，平均涨跌幅为1.47%。其中9个料号价格持平，13个料号价格上涨，0个料号价格下跌。根据科创板日报报道，日本NAND闪存巨头铠侠（Kioxia）公布其中长期业务计划，旨在通过扩大其在日本的两家主要工厂，四日市工厂和北上工厂的生产线，到2029财年将产能较2024财年翻一番，以满足人工智能数据中心对NAND闪存日益增长的需求。
　　DRAM：威刚称DDR4爆单，Q3合约价涨幅上看4成。根据DRAMexchange，上周（20250616-0620）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.37%至39.87%，平均涨跌幅为20.14%。上周18个料号呈上涨趋势，0个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，威刚表示，受惠DDR4需求爆棚，订单应接不暇。目前上游原厂对DRAM与NANDFlash价格态度仍相当强势，尤其是已规划逐步停产的DDR4，在下游提前备货的强大需求下，2025年第3季合约价涨势已喊出30-40%的幅度。
　　HBM：AMD发布新AI芯片MI350系列，MI355XHBM3E内存容量是英伟达GB200/B200的1.6倍。根据CFM闪存市场报道，AMD发布了专为AI工作负载打造的全新MI350系列GPU--MI350X和MI355X。其中，MI350X和MI355X采用相同的底层设计，配备高达288GB的HBM3E内存、8TB/s的内存带宽，并新增对FP4和FP6数据类型的支持。在与NVIDIAB200和GB200的对比中，MI355X的HBM3E内存容量是英伟达GB200/B200的1.6倍，内存带宽则基本持平。在峰值FP64/FP32性能上，MI355X拥有2倍优势。
　　市场端：上周渠道DDR4内存条继续大幅上调报价，然现货市场成交已现乏力。根据CFM闪存市场报道，近期渠道资源从高端到底部低端料号价格自上而下全线走高，渠道存储厂商仍坚定强势拉涨DDR4UDIMM报价，不过，涨势如此迅猛的渠道DDR4内存条已令部分渠道客户望而却步，市场整体成交乏力。另外，受部分供应端资源释放涨价信号刺激，行业厂商尝试调涨SSD报价并力促客户谈定；嵌入式市场则整体暂时维持不变。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。