核心观点
　　NAND：TrendForce预测2025年Q2 NANDFlash闪存价格止跌回稳，消费级SSD合约价环比上涨3~8%。根据DRAMexchange，上周（20250324-0328）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.71%至3.28%，平均涨跌幅为1.67%。其中0个料号价格持平，22个料号价格上涨，0个料号价格下跌。根据IT之家报道，TrendForce发布调查报告，预计2025年第二季度NANDFlash价格将止跌回稳，Wafer和Client SSD价格则将呈现环比上升的趋势。
　　DRAM：TrendForce：2025年二季度一般型DRAM内存价格环比跌幅预计收敛至5%以内。根据DRAMexchange，上周（20250324-0328）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为2.27%至7.88%，平均涨跌幅为4.47%。上周18个料号呈上涨趋势，0个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据IT之家报道，TrendForce集邦咨询称，在下游客户提前出货的带动下，DRAM供应链库存削减整体顺利，预计2025年二季度不计入HBM的一般型DRAM价格环比跌幅将收敛至5%以内。
　　HBM：美光上调HBM总市场规模至350亿美元，将继续扩大HBM产能供应。根据CFM闪存市场报道，美光表示，近期大型超大规模客户重申了其在2025日历年资本投资将实现同比强劲增长。预计2025年服务器出货量将实现中个位数百分比增长，传统服务器和AI服务器均将实现增长。HBM市场需求依然强劲，美光预计2025日历年HBM总市场规模将达350亿美元以上，比之前预估的300亿美元有所提高，并预计2025年第四季度有望HBM份额达到与整体DRAM供应份额相当的水平。
　　市场端：备货热度升温驱动渠道存储价格再度走高，供应链承压下渠道厂商交货压力倍增。根据CFM闪存市场报道，伴随着部分现货供应端资源进一步上涨，上周渠道和低容量eMMC价格持续攀升。不过，低价资源持续缺货状态下，渠道交货压力倍增；与此同时，原厂依旧保持强势控货拉涨态度，Good die价格普遍上扬，使得部分现货产品价格出现较大涨幅，存储现货市场供需关系趋紧加剧。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。