美光营收利润均超预期，维持25年3.3x PB，目标价165美元，“买入”
　　 FY24Q3营收68.11亿美元，同比+81.5%，环比+16.9%，超一致预期的66.68亿美元；经调整净利润/EPS为7.02亿/0.62美元，超一致预期的5.45亿/0.50美元。受益于ASP恢复，公司经调整毛利率/营业利润率/净利率为28.1%/10.6%/10.3%，环比+8.1/ +7.1/+2.1pct。FY24Q4营收指引74-78亿美元，中值持平一致预期的76亿美元；经调整EPS 1.00-1.16美元，中值超一致预期的1.02美元；经调整毛利率33.5-35.5%，中值持平一致预期的34.5%。公司在数据中心表现出众，HBM等高利润产品份额持续增加，SSD收入创新高，但端侧PC与手机相关产品短期需求平淡，致收入展望持平预期。我们认为公司已实现HBM零到一突破，AI浪潮下有望优化利润，基于历史估值法，维持FY253.3x PB，对应165美元目标价，重申“买入”。
　　美光两年内预定HBM3E均已售罄，切入AI芯片供应链有望量价齐升
　　美光FY24Q3 HBM3E营收超1亿美元，公司预计HBM营收有望在FY25达数十亿美元。目前，公司已经对12层HBM3E产品取样，预计将在25年批量生产。产能方面，如今HBM产品作为AI芯片与ASICAI加速器“标配”，需求能见度高，我们预计24/25年全球HBM供给缺口约为5.4%/3.6%。下游高需求下，美光24-25年HBM3E均已售罄。此外，公司正考虑在美国、马来西亚建设新产线，以在25年将HBM市占率提高至20-25%。我们认为，美光通过HBM3E成功进入英伟达供应链，客户基础稳固，叠加有望在FY24-25进入其他AI芯片供应链，将实现量价齐升和利润率优化。
　　HBM产量增长或短期限制传统产品供应，DRAM业务营收略高于预期
　　美光FY24Q3 DRAM营收为46.92亿美元，同比+75.6%，环比+12.8%，略超彭博一致预期的46.85亿美元。出货量环比中个位数下降，或由于HBM产能挤兑部分传统产品，但ASP环比上升约20%。产品推进上，目前美光已出货基于32GB单块DRAM芯片的128GBDDR5 RDIMM内存（1-β制程），相较竞品能够将容量密度、能效分别提升45+%/22%，并将延迟降低16%。该模组已获得AMD、HPE、英特尔、Supermicro等生态系统支持。此外，1-γ制程DRAM产品试生产进程顺利，公司计划将于25年量产。
　　下游设备需求拉动销量温和增长，新品推出促进NAND业务营收高增
　　美光FY24Q3 NAND营收为20.65亿美元，同比+103.8%，环比+31.8%，超彭博一致预期的19.00亿美元。23年下游补库与端侧AI场景的大容量存储要求虽带来需求新动能，但公司预计24年全球PC及移动端销量仍保持个位数增长。美光持续完善拳头产品以迎合下游需求：目前232层QLCNAND已量产，并已向美光子公司英睿达的部分SSD出货。同时，2500NVMe TMSSD也已面向PCOEM制造商出样。
　　风险提示：AI落地和推进缓慢、芯片需求不及预期、中美贸易摩擦加剧等