B200发布重申HBM需求，AI浪潮持续推动HBM市场扩张
　　近日GTC 2024上英伟达发布新一代架构Blackwell及B200 GPU，通过搭载8颗HBM3E实现192GB内存容量和8TB/s的带宽，对比上一代H200（6颗HBM3E，内存容量141GB，带宽4.8TB/s）在内存/带宽上提升36.2%/66.67%。亚马逊AWS已计划采购2万片GB200芯片，能部署高达27万亿参数的模型。伴随AI芯片迅速迭代，所需HBM搭载量和技术要求随之提高，据Yole Intelligence 24年2月报告，高端AI服务器GPU搭载HBM已成为主流，但占DRAM整体位元供给和市场规模比重仍然较低，提升渗透率仍有较大空间，预期HBM市场规模将从23年55亿美元增长至24年141亿美元，同比增长逾150%。
　　GTC 2024上美光、SK海力士和三星各自宣传HBM，竞争驶入“快车道”
　　自24年2月美光率先宣布量产8层24GBHBM3E并供货英伟达H200后，三星也同时宣布成功开发12层36GBHBM3E，并于GTC 2024上进行样品展示，尽管尚未量产，但3月20日GTC 2024上英伟达确认三星HBM产品处于验证阶段，当日三星电子涨逾4%，创1月19日以来最大单日涨幅。同时，开展首日（3月18日），海力士亦宣布其HBM3E将从24年3月底开始量产，预期新产品继续供货英伟达。根据Digitimes 24年3月20日报道，继SK海力士独家供应英伟达HBM3后，当前HBM市场正向三大厂商打破“独供”，激烈竞争，争抢份额的格局迈进。
　　HBM3E实现量产,美光力图实现份额追赶
　　美光在FY24Q2电话会表示，公司将显著受益于高速增长的HBM市场，24年所有HBM3E产能已满，25年产能也几近售罄。公司于24年2月27宣布量产8层24GBHBM3E，确认供货英伟达H200并于3月出样12层36GBHBM3E，预期25年量产。此外，美光HBM3E也在接受除英伟达之外的客户验证。对比同业，美光率先在HBM3E上采用1-β制程，相较竞品实现约10%的性能提升，降低约30%的功耗，管理层证实美光HBM3E的性能优势获得客户的青睐。公司目标HBM3EFY24营收数亿美元，将于FY24Q3开始改善DRAM和整体毛利率。相较23年约10%的市场份额，公司25年HBM市占率将与其在DRAM市占率平齐（约25%），带来较高的增长空间。
　　美光营收和利润均超预期，FY24Q2净利润实现连续亏损5季度后首度扭亏
　　美光FY24Q2营收5824百万美元，同比+58%，环比+23%，超彭博一致预期5354百万美元；Non-GAAP净利润476百万美元，超彭博一致预期-266百万美元；Non-GAAPEPS 0.42美元，超彭博一致预期的-0.24美元。受益于ASP恢复和高阶产品销量提升，美光经调整毛利率20%，超彭博一致预期的13.6%，环比+19.2pct；经调整净利率3.5%，实现扭亏，超彭博一致预期的-5.7%,环比+30.3pct；公司指引FY24Q3营收中位66亿美元，超彭博一致预期60亿美元，毛利率/净利率26.5%/15.0%，超彭博一致预期的20.9%/4.6%，主要系HBM和DDR5营收贡献将带来利润率持续优化。
　　公司预计24年DRAM需求增速约为15-17%，NAND约为21-23%
　　FY24Q2美光DRAM营收为4158百万美元，同比+53%，环比+21%，出货量环比低个位数上升，ASP环比上升17-19%；NAND营收为1567百万美元，同比+77%，环比+27%。公司预计24年DRAM需求增长率将为15-17%，NAND将为21-23%。
　　风险提示：AI技术落地和推进不及预期、芯片需求不及预期、中美贸易摩擦加剧等；相关信息数据来自于公开的客观信息，不代表对相关公司的研究覆盖和推荐。