HBM技术成为算力芯片的重要升级方向。HBM（High BandwidthMemory,高带宽存储器）是一种基于3D堆叠工艺的内存芯片，通过引入TSV（硅通孔）和3D芯片堆叠等先进封装技术，以此突破单个DRAM芯片的带宽瓶颈，从而可以实现大容量、高位宽、低能耗的DDR组合阵列；目前市场上最主流的NVIDIA的A100和AMD的MI250X就分别搭载了80/128GB的HBM2E，而性能更为优异的H100则搭载了80GBHBM3；而英伟达最新发布的H200作为H100的升级款，依然采用Hopper架构（1GPU+6HBM）和台积电4纳米工艺，GPU芯片没有升级，主要的升级来自于首次搭载HBM 3E存储芯片，在H100（80GBHBM 3，3.35TB/s）的基础上升级到了141GB，直接提升76%，运行速率可达4.8TB/s，HBM的升级成为算力芯片重中之重。
　　HBM对先进封装提出了更高的要求。HBM作为AI算力芯片主流的存储芯片，主要的增量工艺包括TSV、RDL、Microbumps以及TCB键合包括未来可能的混合键合等，对先进封装的工艺及设备提出了更高的要求，其中，涉及较多的设备有键合设备（临时键合/解键合、TCB键合/混合键合等）、刻蚀机、电镀机、沉积设备（CVD、PVD等）等。
　　美国禁令客观上了促进了国产算力芯片以及相关产业的发展。2023年10月，美国商务部工业与安全局更新了“先进计算芯片和半导体制造设备出口管制规则”，进一步加严对人工智能相关芯片、半导体制造设备的对华出口限制；国产AI相关芯片的国产化较为紧迫，以华为为例，昇腾910性能水平接近英伟达A100，相关国产化机会值得重视。
　　投资建议。（1）推荐芯碁微装，国内微纳直写光刻设备的龙头公司，从PCB向IC载板、平板显示、先进封装等领域拓展；（2）推荐迈为股份，公司在先进封装领域积极开拓，与长电科技、三安光电先后签订了半导体晶圆激光开槽设备的供货协议；（3）推荐奥特维，公司作为光伏串焊机龙头，积极研发金铜线键合机、倒装芯片键合机、装片机等半导体设备；（4）关注国内在TCB键合以及混合键合有相关布局的拓荆科技、微见智能（未上市）、华卓精科（拟上市）、华封科技（未上市）、艾科瑞思（未上市）；（5）关注新益昌，公司为国内LED固晶机领先企业，积极向先进封装等半导体领域拓展此外。可关注中微公司、北方华创、华海清科、盛美上海、精测电子、光力科技、帝尔激光、德龙激光、华峰测控、长川科技、凯格精机等标的。（标的为电子组覆盖）。
　　风险提示。国产设备推进不及预期的风险，半导体行业波动的风险，先进封装市场增长不达预期的风险，美国进一步制裁的风险。