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>> 方正证券-兆易创新(603986)公司深度报告:平台龙头,存储先锋-231020
上传日期:   2023/10/21 大小:   5854KB
格式:   pdf  共51页 来源:   方正证券
评级:   强烈推荐 作者:   佘凌星,郑震湘
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国内存储&MCU领军者,平台化布局已显成效。兆易创新是中国存储芯片及MCU领军企业。公司是全球第三、国内第一的NORFlash厂商,并连续7年位居国内32位MCU厂商第一,GD32系列累计出货量超10亿颗,目前排名全球第7。2023Q2营收及利润环比显著修复。2023H1公司实现营收29.7亿元,其中Q2单季度实现营收16.25亿元,环比+21.18%。2023H1公司实现归母净利润约3.36亿元,其中Q2单季度实现归母净利润约1.86亿元,环比+24.0%,实现自2022Q4以来连续两个季度环比改善。我们预计随着存储板块迎来周期上行叠加下游需求复苏和库存持续去化,公司2023H2业绩有望持续改善。
  NORFlash:从发展趋势来看,智能手表、TWS耳机和汽车等领域的产品需要在有限空间内实现更多功能,对NORFlash容量、尺寸和续航要求更高,此类产品通常对应128M以上的大容量闪存,工艺制程在50-55nm甚至45nm,并且朝低电压方向发展,价值量更大,是当前头部厂商的主力产品。DRAM:LPDDR3、LPDDR4等在边缘AI和智能汽车等领域的重要性凸显。DDR3、DDR4等产品需求将长期维持稳定。兆易创新加速推进DRAM业务,而与合肥长鑫的深度战略合作也将充分保障公司产能。DRAM业务将是兆易创新未来几年成长的最大看点。MCU:未来32位MCU应用占比将不断增加,汽车和边缘AI将成为32位MCU发展的重要驱动力。兆易创新深度布局高性能MCU产品,GD32系列MCU是中国高性能通用微控制器领域的领跑者,未来将深度受益高端MCU市场的广阔发展空间。
  盈利预测及投资建议。行业层面,当前存储板块处于周期底部向上阶段,我们看好公司产品逐步随行业周期上行实现量价齐升。公司层面,我们看好兆易创新凭借已有品类迭代和的新品高频放量巩固高端阵营的核心竞争力,并在存储和MCU等领域与全球领先厂商展开竞争。预计2023/2024/2025年兆易创新分别实现营收63.3/82.3/98.7亿元,对应增速22.10%/29.91%/19.91%。预计2023/2024/2025年实现归母净利润6.11/15.10/22.81亿元,yoy -70.2%/147.1%/51.1%,对应PE106.3/43.0/28.5x,较可比公司具备估值优势,给予“强烈推荐”评级。
  风险提示:下游需求不及预期,研发进度不及预期,行业竞争加剧,数据测算误差
  
研究报告全文:公司研究20231020兆易创新603986公司深度报告平台龙头存储先锋方正证券研究所证券研究报告分析师国内存储MCU领军者平台化布局已显成效兆易创新是中国存储芯片及郑震湘登记编号S1220523080004MCU领军企业公司是全球第三国内第一的NORFlash厂商并连续7年位居国内32位MCU厂商第一GD32系列累计出货量超10亿颗目前排佘凌星登记编号S1220523070005名全球第72023Q2营收及利润环比显著修复2023H1公司实现营收297亿元其中Q2单季度实现营收1625亿元环比21182023H1公司实现归母净利润约336亿元其中Q2单季度实现归母净利润约186强烈推荐维持亿元环比240实现自2022Q4以来连续两个季度环比改善我们预公司信息计随着存储板块迎来周期上行叠加下游需求复苏和库存持续去化公司行业数字芯片设计2023H2业绩有望持续改善最新收盘价人民币元9946NORFlash从发展趋势来看智能手表TWS耳机和汽车等领域的产品需总市值亿元66331要在有限空间内实现更多功能对NORFlash容量尺寸和续航要求更52周最高最低价元138608227高此类产品通常对应128M以上的大容量闪存工艺制程在50-55nm甚至45nm并且朝低电压方向发展价值量更大是当前头部厂商的主力产品DRAMLPDDR3LPDDR4等在边缘AI和智能汽车等领域的重要性凸历史表现显DDR3DDR4等产品需求将长期维持稳定兆易创新加速推进DRAM业58务而与合肥长鑫的深度战略合作也将充分保障公司产能DRAM业务将是45兆易创新未来几年成长的最大看点MCU未来32位MCU应用占比将不断32增加汽车和边缘AI将成为32位MCU发展的重要驱动力兆易创新深度19布局高性能MCU产品GD32系列MCU是中国高性能通用微控制器领域的领6跑者未来将深度受益高端MCU市场的广阔发展空间-7盈利预测及投资建议行业层面当前存储板块处于周期底部向上阶段221020231192342023720兆易创新沪深300我们看好公司产品逐步随行业周期上行实现量价齐升公司层面我们看好兆易创新凭借已有品类迭代和的新品高频放量巩固高端阵营的核心竞争数据来源wind方正证券研究所力并在存储和MCU等领域与全球领先厂商展开竞争预计202320242025年兆易创新分别实现营收633823987亿元对应增速-相关研究221029911991预计202320242025年实现归母净利润兆易创新业绩短期承压工业车规产品成61115102281亿元yoy-7021471511对应PE长亮眼202304301063430285x较可比公司具备估值优势给予强烈推荐评级兆易创新存储周期下行或至底部成长蓄风险提示下游需求不及预期研发进度不及预期行业竞争加剧数据势待发20230325测算误差兆易创新Q2业绩超预期工车规产品占TableProFitForecast比继续提升20220717盈利预测人民币兆易创新开启第二曲线MCUNOR进军工单位百万2022A2023E2024E2025E业汽车市场20220521营业总收入8130633382279865--447-221029911991归母净利润205361115102281--1216-7023147085107EPS元310092226342ROE13523959121241PE33051062943022848PB450420392353数据来源wind方正证券研究所注EPS预测值按照最新股本摊薄1敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告正文目录1存储MCU领军者平台化布局已显成效611中国存储先锋智能时代存感算平台化布局612股权结构清晰产业布局深厚813Q2业绩环比改善周期底部反转在即92边缘侧新兴需求崛起1321IOT设备出货持续增长1322NORFlash物联网时代的主流代码型闪存1523DRAM利基DRAM百亿美金市场兆易创新激流勇进2024SLCNAND有望受益智能可穿戴升级持续成长2525MCU汽车和边缘侧AI是两大重点方向2724传感器人机交互一体化的底层器件343存储板块本轮周期已见底AI有望引领新一轮增长3631本轮存储周期处于什么位置3632存储大厂如何看待当前市场3933台湾省存储产业2023Q3持续修复4134AI有望引领新一轮上升周期434投资建议及盈利预测475风险提示492敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告图表目录图表1兆易创新发展历程6图表2兆易创新业务布局6图表3兆易创新存储MCU对应市场空间7图表4兆易创新产品迭代进程8图表5兆易创新股权结构图8图表6兆易创新主要管理人员履历9图表7兆易创新营收及同比增速10图表8兆易创新营收占比拆分10图表9兆易创新净利润及增速10图表10兆易创新利润率水平11图表11旺宏及华邦电毛利率已反转11图表12兆易创新三费情况11图表13兆易创新研发费用及增速12图表14兆易创新研发费用率12图表15兆易创新存货水位亿元12图表16中国物联网连接规模预测百万个13图表17中国物联网市场支出预测13图表18可穿戴设备出货量将于2023年迎来增长13图表19智能家居出货量及增速14图表20全球每年产生数据量的规模ZB14图表21云端存力向边缘侧下沉14图表22NORFlash与NandFlash结构对比15图表23NORFlash与NandFlash特性对比15图表24相同制程NANDFlash单元尺寸小于NORFlash16图表25当前各个厂商NORFlash主要制程16图表2645nm或为NORFlash最后一个制程节点16图表273DNORFlash架构图16图表28兆易创新TWS耳机方案17图表29各公司主要产品容量梳理17图表30华邦电12VNORFlash方案17图表31各公司12V产品布局情况17图表32全球车用NORFlash市场规模亿美元18图表33ADAS及仪表盘NORFlash市场规模亿美元18图表34TWS耳机NORFlash全球市场规模亿元18图表352020年全球NORFlash竞争格局19图表362021年全球NORFlash竞争格局19图表37全球部分NORFlash厂商进入及退出时间20图表38半导体存储器分产品市场规模亿美金21图表39全球存储器分产品份额21图表40中国是DRAM第二大市场21图表41全球DRAM市场主要由海外垄断21图表42各大厂商制程迭代进度22图表43全球主要DRAM产能万片晶圆月22图表44长鑫存储产能规划万片晶圆月22图表45DDR标准233敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告图表46DDR5并行结构23图表47DRAM分产品占比23图表482015-2026EDDR各产品份额23图表49耐能KL720AI芯片搭载LPDDR324图表50车用存储未来升级趋势24图表51车用DRAM用量持续上升24图表522021-2025年DRAMCAGR增速24图表53兆易创新DDR3L产品介绍25图表54兆易创新DDR4产品介绍25图表55NandFlash分类25图表56NandFlash结构图25图表57SLCNand应用广泛25图表58SLCNand适用高可靠性和长生命周期的场景26图表59NORFlash对比SLCNand26图表60存储产品分类26图表61SLCNand市场规模亿美元27图表62主要厂商SLC产品布局27图表63MCU基本组成及功能介绍28图表64不同位数MCU用途28图表65各位数MCU占比28图表66各位数MCU出货量拆分百万颗29图表67MCU各制造节点营收百万美元29图表68瑞萨电子MCU工艺总览29图表69全球主要代工厂和国内主要厂商MCU产品工艺节点30图表702020-2026年MCU市场规模预测30图表712022年全球MCU市场格局30图表72全球MCU下游占比31图表73国内MCU下游占比31图表74新能源汽车MCU应用31图表75不同位数MCU用途31图表76车规级MCU与消费级工业级MCU的对比32图表77不同类型汽车搭载MCU的数量32图表782019-2023年车用MCU市场规模百万美元32图表79ArmMCU可以实现多种场景的AI功能33图表80边缘AI设备出货量快速增长33图表81兆易创新GD32系列性能对比33图表82STM32H7系列双核分别负责高速运算和实时处理33图表83兆易创新车规产品路线34图表84GD32H7系列高性能MCU产品矩阵34图表85指纹芯片市场规模35图表86触控IC全球市场规模亿美元35图表87过去几轮周期DRAM主流密度产品现货平均价格最高点与最低点情况36图表88部分3DTLC现货均价美元36图表89部分DDR4现货均价美元36图表90美光股价与DRAM现货价走势比较37图表91美光股价与DRAM合约价走势比较37图表92美光营收DRAMASPs出货量变动及预测384敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告图表93NandFlash减产表述39图表94SK海力士FY2023Q2市场情况展望40图表95SK海力士2023年资本开支展望40图表96三星电子2023H2市场展望40图表97中国台湾存储进出口值自年初以来波动中不断增长百万新台币42图表98中国台湾存储制造2023Q2环比增长42图表99中国台湾部分存储芯片设计企业营收及环比增速亿新台币43图表100全球范围内创建捕获复制和消费的数据量43图表101参数提升对于模型整体改善显著43图表102全球超大规模数据中心数量持续增长座44图表103全球服务器出货量万台44图表1042025年数据中心建设营收分布44图表105英特尔至强产品路线图44图表1062022-2026年全球AI服务器出货量千台45图表1072022年各厂商AI服务器采购份额占比45图表108AI服务器内存容量相比传统服务器大幅提升45图表109服务器DRAM和移动端DRAM位元产出占比46图表1102021-2028年数据中心DRAM需求46图表111服务器存储需求测算46图表112兆易创新业绩拆分及预测47图表113公司各项费用假设48图表114兆易创新综合业绩预测百万元48图表115兆易创新估值对比495敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告1存储MCU领军者平台化布局已显成效11中国存储先锋智能时代存感算平台化布局兆易创新是中国存储芯片及MCU领军企业公司成立于2005年于2016年在上交所主板上市兆易创新产品以SRAM起家后拓展至NORFLASHMCUNANDFLASHDRAM及传感器领域当前是全球第三国内第一的NORFlash供应商累计出货超212亿颗公司连续7年位居国内32位MCU厂商第一GD32系列累计出货量超13亿颗目前排名全球第7公司以丰富的产品和平台化布局覆盖下游消费工业汽车安防等众多领域并打入华为苹果三星等知名客户供应链图表1兆易创新发展历程资料来源兆易创新方正证券研究所公司围绕智能时代存感算多产品线布局可以形成不同业务爬坡期爆发期交替叠加助力公司业务稳健经营公司目前主要产品包括存储器MCU和传感器等其中核心业务存储器加微控制器产品对应市场空间超230亿美金图表2兆易创新业务布局资料来源兆易创新方正证券研究所6敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告图表3兆易创新存储MCU对应市场空间资料来源兆易创新Gartner芯师爷方正电子整理方正证券研究所NORFlash2023H1公司推出GD25UF系列12V低电压超低功耗SPINORFlash产品能显著降低运行功耗有效延长设备的续航时间可以满足主控新工艺演进趋势的低电压低功耗要求公司还推出了采用3mm3mm04mmFO-USON8封装的SPINORFlashGD25LE128EXH最大厚度仅04mm容量达128Mb是当前业界在此容量上实现的最小塑封封装产品SPINANDFlash已在消费电子通讯工业汽车电子等领域实现全品类覆盖2023H1公司新一代24nmNANDFlash产品GD5F1GM7获得2023年度中国IC设计成就奖年度最佳存储器车规级GD2555SPINORFlash和GD5FSPINANDFlash已广泛运用在如智能座舱智能网联智能驾驶新能源电动车大小三电系统等全球累计出货量已超过1亿颗DRAM公司DRAM产品可广泛应用在智慧家庭工业车载影音系统等领域公司持续丰富自研DRAM产品组合在已有DDR4DDR3L产品基础上DDR48Gb产品正在按研发节奏推进MCU已成功量产41大产品系列超过500款MCU产品供市场选择2023H1GD32A503系列车规级MCU产品市场拓展稳步推进公司正式推出中国首款基于ArmCortex-M7内核的GD32H系列MCU基于RISC-V内核的全新双频双模无线MCUGD32VW553系列产品正有序推进传感器公司传感器业务主要应用于LCD触控电容指纹光学指纹等领域触控芯片年出货近亿颗指纹产品多年来已在多款旗舰高中阶智能手机商用前置后置侧边电容和光学方案成为市场主流方案商7敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告图表4兆易创新产品迭代进程资料来源兆易创新公告方正证券研究所整理12股权结构清晰产业布局深厚公司股权结构分散大基金战略持股兆易创新大股东为朱一明先生持有公司686的股份朱一明为公司创始人兼任公司董事长早年在美国从事存储器设计工作2005年回国创办北京兆易创新科技股份有限公司2018年7月开始出任长鑫存储技术有限公司董事长兼CEO此外作为国内集成电路产业的核心资产兆易创新早在2017年便获大基金战略持股当前大基金持有公司312的股份公司全资子公司共有8家从股权穿透来看子公司多数围绕智能时代存感算进行布局其中不乏与国际巨头的业务合作如与Rambus成立合资公司睿科微推进RRAM商业化落地等图表5兆易创新股权结构图资料来源天眼查方正证券研究所8敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告图表6兆易创新主要管理人员履历姓名主要工作经历曾任ipolicyNetworksInc资深工程师MonolithicSystemTechnologiesInc项目主管2018年7月至2022年2月任长鑫存储技术有限公司董事2018年12月至2022年2月任长鑫存储董事长2018年7月至今任长鑫存储首席执行官朱一明2020年5月至2023年4月任睿力集成电路有限公司首席执行官2021年2月至今任睿力集成董事长2005年4月至2018年7月任公司总经理2005年4月至今任公司董事长2008年-2020年在国家开发银行工作2020年8月至今在华芯投资管理有限责任公司历任投资一部副总经理投资二部副总张帅经理2021年6月至今担任公司董事2005-2006担任Intrawest公司投资经理从事投资并购2007-2008担任高盛高华经理从事投资银行工作2009-2017年9王志伟WANG月担任北京清石华山资本投资咨询有限公司投资总监合伙人2017年9月至今担任前海清岩华山投资管理深圳有限公ZHIWEI司总经理2015年12月至今担任公司董事曾先后任北京微电子技术研究所集成电路部副主任中芯国际集成电路制造有限公司北京销售部副处长2009年加入公司何卫曾任公司副总经理2018年7月至2023年4月任公司代理总经理2023年4月起任公司总经理2021年6月起至今任公司董事曾任公司副总经理董事会秘书财务负责人目前任公司投资人力资源合规法务知识产权等部门负责人上海瑰视网李红络科技有限公司监事北京鱼鲲科技有限公司总经理执行董事2022年12月起至今任公司董事2007年7月加入公司工作至今历任工程师部门经理总监事业部负责人等职务精通集成电路芯片设计和测试领导胡洪过公司多个存储器产品系列的研制现负责存储器研发和管理工作2022年10月起至今任公司副总经理2022年12月起至今任公司董事曾任中信会计师事务所经理副主任中天信会计师事务所副主任信永中和会计师事务所副总经理合伙人中国证监会发张克东行审核委员会专职审核委员2001年至今担任信永中和会计师事务所特殊普通合伙合伙人信永中和集团副总经理董事会委员现任华创阳安股份有限公司国金基金管理有限公司独立董事2018年12月至今担任公司独立董事19978-20139浙江大学法学院先后担任助教讲师副教授教授博士生导师等其间先后担任法律系副主任法学梁上上院院务委员副院长等20139-至今清华大学法学院教授博士生导师其间担任法学院教学委员会委员等现任北京康拓红外技术股份有限公司独立董事统一低碳科技新疆股份有限公司独立董事2018年12月至今担任公司独立董事1990年12月-2006年5月在中科院微电子所工作其间2001年9月-2006年5月任该所所长2006年6月-2008年12月在钱鹤三星半导体中国研究所工作任所长2009年1月起入职清华大学科研工作主要集中在新型半导体存储器方面现任有研半导体硅材料股份公司独立董事北京忆恒创源科技股份有限公司独立董事2021年12月至今担任公司独立董事文恬2020年入职公司合规法务部2020年11月至今担任公司监事会职工代表监事监事会主席曾任职于中国信息信托投资公司中国电子财务有限责任公司自2002年7月至今历任盈富泰克创业投资有限公司部门葛亮经理投资总监副总经理2018年12月至今担任公司监事胡静曾任美国FlyGloAirlines财务主管现任北京石溪清流投资有限公司财务负责人2018年12月至今担任公司监事1998年7月-2004年2月曾就职于海信网络科技有限公司澳柯玛网络科技有限公司2004年2月-2006年8月在北京弗赛尔李晓燕电子科技有限公司任行政总监2006年加入公司历任公司财务人力资源行政等部门负责人2012年12月-2016年10月任公司职工代表监事监事会主席2021年12月至今担任公司副总经理董事会秘书曾任职于北京阿博泰克北大青鸟信息技术有限公司2010年加入公司任公司会计机构负责人2021年12月至今担任公司副孙桂静总经理财务负责人2006年3月至2011年11月在炬力北方微电子有限公司历任芯片设计工程师芯片设计经理2011年11月加入公司曾任李宝魁公司MCU芯片设计总监现任MCU事业部负责人2022年10月起至今任公司副总经理资料来源兆易创新公告方正证券研究所13Q2业绩环比改善周期底部反转在即营收短期承压MCU业务占比提升公司近几年整体营收规模随品类扩张新品迭代和应用领域的拓宽而快速增长2022年随着下游需求转弱半导体行业进入周期下行阶段公司产品需求端承压严重营收同比略微下滑4472023H1公司实现营收297亿元yoy-3797其中Q2单季度实现营收1625亿元9敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告qoq2118从产品结构来看存储器为公司主要业务2022年营收占比近60同时MCU业务占比不断提升2022年MCU业务占比达348较2021年提升594个百分点图表7兆易创新营收及同比增速图表8兆易创新营收占比拆分10010010063410016425358511799813801386808016796028863480604060450204081884032007980730029764052255936-202020-400-600201820192020202120222023H120182019202020212022存储芯片微控制器传感器其他营业收入亿元同比资料来源Wind方正证券研究所资料来源Wind方正证券研究所2023Q2公司利润端环比显著改善公司近几年净利润维持高速增长态势自2022年以来行业周期下行叠加持续加大投入研发公司净利润水平有所下滑2023H1公司实现归母净利润约336亿元同比-7800其中Q2单季度实现归母净利润约186亿元同比-7789环比2400实现自2022Q4以来连续两个季度环比改善图表9兆易创新净利润及增速253503002025020015150100105005-50-1000-150201820192020202120222023H1归母净利润亿元扣非归母净利润亿元归母同比右轴扣非归母同比右轴资料来源Wind方正证券研究所利润率短期承压看好周期反转后的利润率修复公司近几年利润率水平维持在30以上2022年公司凭借产品结构优化和工艺制程迭代提升高价值量产品占比10敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告同时进一步降低成本在行业下行周期实现毛利率进一步上行达4766同比增长112个百分点2023H1下游需求持续疲弱产品价格承压公司毛利率下滑至3343同时由于研发费用等的增长公司净利润率下滑至1133我们认为存储行业底部向上反转在即台股旺宏及华邦电2023Q2毛利率均迎来显著反转预计2023H2公司利润率水平亦有望迎来拐点图表10兆易创新利润率水平图表11旺宏及华邦电毛利率已反转60605046544766504948404052463825373845454233434030274637252531201799189019583028101133200201820192020202120222023H12Q213Q214Q211Q222Q223Q224Q221Q232Q23销售毛利率销售净利率华邦电旺宏资料来源Wind方正证券研究所资料来源Wind方正证券研究所从费用率来看公司整体费用随营收规模而不断增长2022年公司财务费用为-343亿元变动主要原因系汇兑受益的增长所致图表12兆易创新三费情况58463422100201820192020202120222023H1-2-1-2-4-3-6-4-8销售费用管理费用财务费用销售费用率管理费用率财务费用率资料来源Wind方正证券研究所兆易创新是典型的研发驱动的成长性公司公司近年来研发费用保持高速增长状态2022年研发费用94亿元同比增长11162023H1尽管公司业绩承压研发费用仍基本持平2022H1达477亿元同时研发费用占营收比重达160911敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告公司产品高端化迭代愈演愈烈有望持续驱动公司业绩稳健增长图表13兆易创新研发费用及增速图表14兆易创新研发费用率1094802084160986016640115150481211331107989369264208212040-20201820192020202120222023H10研发费用亿元同比增速201820192020202120222023Q1资料来源Wind方正证券研究所资料来源Wind方正证券研究所从库存水位来看公司2023H1存货达212亿元较Q1下降039亿元从营业成本角度来看公司Q2营业成本增加227亿元因此从周转率角度来看2023Q2末存货周转率较Q1已有明显改善2023Q1公司存货周转率约为038而2023H1存货周转率提升至约093近几年随着销售规模的增加兆易创新存货规模同步处于增长状态考虑到不同客户交货周期不同公司通常会针对不同产品进行不同程度的策略性备货展望后续存货变动根据台湾省存储厂商的表述来看消费电子电视物联网工控等领域的需求此前有所回温一季度或为产业库存高点而从台系厂商的实际情况来看旺宏2023Q2的存货水位拐点已现我们预计兆易创新2023H2存货仍将稳中有降图表15兆易创新存货水位亿元2521220151050资料来源Wind方正证券研究所12敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告2边缘侧新兴需求崛起21IOT设备出货持续增长全球物联网保持高速增长国内物联网资本开支领先全球根据GSMA发布的Themobileeconomy20202020年移动经济报告2019年全球物联网总连接数达120亿预计至2025年全球物联网总连接数规模将达到246亿cagr达13中国正大力推动物联网与其他新一代信息技术加速集成和融合物联网连接规模和应用持续增长根据IDC2022年中国物联网连接数将达56亿个到2026年将增至约1025亿个cagr达18同时IDC预计2027年中国物联网支出规模将近3000亿美元位居全球第一占全球物联网总投资规模的14左右图表16中国物联网连接规模预测百万个图表17中国物联网市场支出预测120003500002030000010000162500008000122000006000150000840001000004200050000000202220232024202520262027202120222023202420252026中国物联网支出规模预测百万美固网和WiFi蜂窝网络低功耗连接其他无线通信同比增速资料来源IDC方正证券研究所资料来源IDC方正证券研究所可穿戴设备2023将重回正增长IDC最新发布了全球季度可穿戴设备跟踪报告全球可穿戴设备的出货量预计在2023年反弹年出货量将达5041亿台耳机和智能手表带动出货量显著增长其他产品出货量保持稳定IDC预计至2027年可穿戴设备出货量将达到6294亿部cagr达50图表18可穿戴设备出货量将于2023年迎来增长2023Shipment2023Markets2027MarketsProducts2027Shipments2022-2027CAGRsShareShareEarwear3130621390662149Smartwatch1573312206232868Wristband3216430148-30Others1703250484Total5041100629410050资料来源IDC方正证券研究所智能家居连接节点大幅增加IDC预计2023年将有约44的智能家居设备支持接入2个及以上平台以丰富用户选择传感类设备年出货量将达480万台同比增13敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告长20为环境智能的发展提供硬件基础水电气暖相关智能家居设备出货量将同比增长17丰富的连接节点将加快实现全屋智能2023年具有自主移动能力的智能家居设备出货量约为440万台占整体智能家居设备出货量的2智能家居产品的出货量有望在未来几年迎来持续增长图表19智能家居出货量及增速资料来源IDC方正证券研究所存力下沉带动边缘侧存储需求增长万物互联背景下数据量不断增长AI的落地应用将驱动数据进一步增长根据IDC发布的DataAge2025报告全球每年产生的数据将从2018年的33ZB增长到2025年的175ZB传统云计算模式中数据要上传到云端进行集中式的存储及处理随着数据量不断增长云端存储的成本和计算成本相应升高推动计算及存储下沉至边缘侧硬件终端MCU和存储芯片承载算力及存力下沉存储芯片和MCU是物联网设备的核心器件不同于云端所需的大规模高性能计算和存储当前多数智能终端对算力及存储的性能要求远不及云端在主流的边缘侧硬件终端里中小容量DRAMNANDFlash以及NORFlash仍占有重要地位且需求将随新兴应用出现而长期稳定增长在智能控制及智能识别等场景中MCU逐步向高性能方向发展以承载部分硬件终端日益增长的算力需求图表20全球每年产生数据量的规模ZB图表21云端存力向边缘侧下沉2001801601401201008060402002025201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024全球每年产生的额数据量资料来源IDC方正证券研究所资料来源Tdengine方正证券研究所14敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告22NORFlash物联网时代的主流代码型闪存NORFlash是非易失闪存技术之一具备随机存储读取速度快芯片内执行XIP等特点电子产品必须配置中小容量代码存储器以满足指令执行系统数据交换等功能NORFlash对比其他存储产品具备显著的性能功耗和成本优势是电子产品中不可或缺的重要元器件当前广泛应用于蓝牙模块TDDI触控芯片AMOLED手机屏幕等消费电子产品领域和汽车电子安防可穿戴设备物联网设备等其他领域NORFlash对比NandFlash并联结构决定其应用场景从NORFLASH的结构原理图中可见每个BitLine下的存储单元是并联的一方面存储单元的并联结构决定了NORFLASH具有存储单元可独立寻址且读取效率高的特性另一方面并联结构决定了NORFlash金属导线占用很大面积因此NORFLASH的存储密度较低无法适用于需要大容量存储的应用场合以上特性决定了NORFlash更适用于code-storage不适用于data-storage而NandFlash基于串联结构特性则与NORFlash相反图表22NORFlash与NandFlash结构对比图表23NORFlash与NandFlash特性对比资料来源集微网方正证券研究所资料来源CSDN方正证券研究所NORFlash制程微缩40nm已是极限NORFlash的制程已从1986年的15微米进化到当前的45nm制程但同期的NANDFlash制程已进化至1xnm并演进至高达200层的3D堆叠形式相同制程下NANDFlash每单元面积显著小于NORFlash根据华邦电预计如果2xnm的NORFlash器件出来其尺寸将相当于4xnm的serialNandFlash器件而根据旺宏董事长吴敏求的表述NORFlash的制程微缩至45nm已经接近极限继续微缩成本将大幅提升当前45nm也是NORFlash最先进的工艺制程国内厂商制程多数在50nm之上但以兆易创新为代表的头部国产厂商已向45nm发起冲击15敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告图表24相同制程NANDFlash单元尺寸小于NORFlash图表25当前各个厂商NORFlash主要制程资料来源华邦电方正证券研究所资料来源各公司公告方正证券研究所整理制程难以微缩促使NORFlash发展走向3D结构3D芯片已成为半导体行业解决晶体管密度提升与制程微缩高成本之间矛盾的首选方案NORFlash也正在向3D架构演进旺宏推出了AND架构应用于创新的3DNORFlash该3DNOR堆叠单元是通过在氧化物和氮化物层的多层夹层中打孔然后填充深孔来形成的旺宏表示公司3DNORFlash产品将于2023年底进入市场层数达32层容量高达2-8Gb预计将于2024-2025年产生显著营收图表2645nm或为NORFlash最后一个制程节点图表273DNORFlash架构图资料来源华邦电方正证券研究所资料来源旺宏方正证券研究所先进制程更适配空间紧凑型的需求场景智能手表TWS耳机等消费电子需求驱动NORFlash市场持续发展不同于NORFlash在传统领域用于低容量代码场景且对空间要求不高手表耳机等智能产品需要在有限空间内实现更多功能NORFlash的容量和尺寸要求更高此类产品通常对应128M以上的大容量闪存对应工艺制程50-55nm甚至更高价值量更大是当前头部厂商的主力产品也是更多追赶者的目标区域16敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告图表28兆易创新TWS耳机方案图表29各公司主要产品容量梳理资料来源兆易创新方正证券研究所资料来源各公司公告方正证券研究所整理主控低电压低功耗趋势下12V是现阶段的兵家必争之地从系统设计层面来看一些先进工艺器件的工作电压已低至12V如果所需的Flash可支持12V的电压操作主控将能够有效简化电源设计并优化系统成本也更适配于智能可穿戴设备等尺寸紧凑功能复杂且续航要求更高的产品根据华邦电12V对比18V的NORFlash其工作状态下功耗降低50同时在待机状态下功耗减少33图表30华邦电12VNORFlash方案图表31各公司12V产品布局情况厂商料号发布量产时间兆易创新GD25UF系列2022年8月发布普冉股份11VGSN系列2023年4月发布旺宏MX25S系列2021年12月量产华邦电W25Q系列2020年实现量产资料来源华邦电方正证券研究所资料来源各公司公告方正证券研究所整理在汽车领域NORFlash是仪表板仪表组信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统ADAS的关键组件NORFlash片内执行程序的特性契合仪表盘即时启动的功能需求NANDFlash则需要相应软件才能控制程序ADAS的持续发展将推动车端智能传感器的大量采用摄像头超声波雷达激光雷达等都将带动大量高密度NORFlash需求汽车ADAS中接近82的汽车摄像头是由NORFlash启动信息娱乐系统是智能汽车当前的发展重点NORFlash将广泛应用于车载通信系统提供更更为丰富的乘车体验17敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告图表32全球车用NORFlash市场规模亿美元图表33ADAS及仪表盘NORFlash市场规模亿美元16713962146125104864336224214210020222029E20202025ADAS用NORFlash市场规模亿美元全球车用NORFlash市场规模亿美元仪表盘用NORFlash市场规模亿美元资料来源QYR方正证券研究所资料来源聚辰半导体方正证券研究所推算NORFlash在物联网消费电子及汽车领域的需求我们认为对于NORFlash的发展价增是被忽视的点首先在于上一轮物联网需求兴起时设备功能需求相对简单NORFlash仅需不到10Mb的容量即可完成大部分工作但现如今AIOT引领新一轮边缘侧AI发展设备的性能和功能复杂度的大幅提升将驱动NORFlash容量对应升级其次NORFlash制程微缩放缓但物联网消费电子设备的需求依然存在且向低功耗高紧密度的方向加速发展由此催生出低电压3DNORFlash等新特性产品的问世也将带动NORFlash价值量的提升在汽车领域自动驾驶汽车电动化汽车智能化都将带动NORFlash量的增长车用芯片的高可靠性要求车用NORFlash的性能容量提升也将带动整体价值量的大幅增长未来NORFlash整体价格中枢将持续上移以TWS耳机为例进行测算初代airpods即搭载了两颗128MB的NORFlash芯片而之后的airpods不断升级最新的airpodsPro2在续航音质感应等各个方面较airpods1代大幅提升并加入主动降噪空间音频等众多功能其上的NORFlash容量或已高达512MB而其他厂商势必也将跟进功能经测算仅TWS耳机NORFlash的市场规模就将在2026年超过31亿元人民币图表34TWS耳机NORFlash全球市场规模亿元20222023E2024E2025E2026E出货量安卓亿副196206216227238NOR128M200210221232243单价元NOR128M310332355380406NOR128M6057545148TWS耳机份额NOR128M4043464952出货量苹果亿副091096101106111单价元465502603651696市场规模亿元18042041243127543106资料来源方正证券研究所测算18敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告NORFlash竞争格局大厂退出格局优化兆易创新份额持续上升全球NORFlash市场经历过较长时间的下行NORFlash供应商巨头美光和Cypress于2016年和2017年先后宣布逐步退出中低容量的消费品PC市场将主要精力投入车规和工控用高容量产品华邦电旺宏和兆易创新的份额逐步上升当前NORFlash市场主要由华邦电旺宏兆易创新三家占主导地位2021年三家合计市场份额达907兆易创新市场份额快速提升从2020年的156快速提升至2021年的232图表352020年全球NORFlash竞争格局图表362021年全球NORFlash竞争格局9321625434840232109225156327华邦电子旺宏兆易创新华邦电子旺宏兆易创新其他赛普拉斯美光其他资料来源华经产业研究院方正证券研究所资料来源华经产业研究院方正证券研究所19敬请关注文后特别声明与免责条款兆易创新603986公司深度报告图表37全球部分NORFlash厂商进入及退出时间资料来源前瞻产业研究院方正证券研究所23DRAM利基DRAM百亿美金市场兆易创新激流勇进DRAM是存储器第一大品类动态随机存取存储器DRAM需要在维持通电的同时通过周期性刷新来维持数据DRAM结构简单单位面积的存储密度显著高于SRAMDRAM作为一种高密度的易失性存储器主要用作CPU处理数据的临时存储装置广泛应用于智能手机个人电脑服务器等主流应用市场根据彭博2021年DRAM全球市场规模占比约573据CFM闪存市场预计2022年DRAM市场容量规模增长4达到194BGb20敬请关注文后特别声明与免责条款
 
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