Q2业绩优于预期，预计23Q3情况向好。存储龙头SK海力士和三星均分别于7月26日和7月27日披露了23年Q2财报。其中SK海力士Q2营收环比增长43.59%，超预期，毛利率为-16.12%，环比提升16.21pct；三星Q2存储业务营收8.97兆韩元，环比增长1%。环比好转，得益于AI服务器上量，HBM等为代表的高密度/高性能产品需求强劲。
　　展望Q3，随着减产力度加大，行业库存调整，需求逐步复苏，存储出货量有望上升。SK海力士预计DRAM产品出货量环比增长约10-15%，NAND产品出货量持平Q2。三星同样预计DRAM出货量环比增长10%以上，但NAND出货量环比增长中高个位数，超出市场水平。
　　需求：PC、手机市场需求渐进回暖，AI服务器带动HBM旺盛需求。服务器方面，SK海力士预计，2023年128GB及以上大容量DDR5服务器模组及HBM产品销售额预计同比增长两倍以上，并于2024年持续增长；三星预计，受益于服务器存储库存不断消耗，DDR4和DDR5的订单有望在下半年有所改善。PC和智能手机方面，虽然智能手机复苏依旧乏力，但环比来看，下半年新机发售，旗舰产品对LPDDR5需求增加，有望推动下半年产品售价有所改善。
　　供给：海外龙头削减资本开支，存储周期拐点已现。资本开支方面，SK海力士资本开支于FY22Q3开始持续下降，23年资本开支同比将下降50%以上，三星也表示将在23年下半年继续削减产能。由于NAND价格反弹将晚于DRAM，两家厂商对NAND减产力度更大。库存方面，SK海力士23Q2库存环比减少4.44%；三星表示DRAM和NAND的库存已于5月份达到峰值，目前处于迅速下降状态。
　　新品：海外大厂加速高端产品研发，HBM、DDR5群雄逐鹿。HBM方面，SK海力士24GBHBM3E产品已经送样，且预计2026年HBM4将应用于市场，三星的8层16Gb和12层24Gb HBM3产品已经开始向主要的AISoC等公司出货，并计划于23年下半年推出HBM3E。美光也于7月26日发布了业界首款8层24GBHBM3 Gen2内存芯片，该产品采用S1b DRAM工艺节点，性能提高50%。DDR5方面，SK海力士基于1b nm制程的服务器DDR5产品正在验证中，相比上一代产品功耗降低20%以上；三星计划今年内推出32Gb DDR5产品，美光也计划于2024年量产采用1b工艺的32Gb DDR5产品。
　　投资建议：存储周期拐点共识已逐渐形成，且AI带动HBM、DDR5需求，将加速板块上行。模组厂方面，建议关注德明利、江波龙、朗科科技等。设备材料+封测方面，建议关注雅克科技、深科技、精智达等。芯片方面，建议关注兆易创新、东芯股份、北京君正、普冉股份、恒烁股份等。
　　风险提示：下游市场复苏不及预期；存储原厂减产不及预期