一、海力士
　　1）FY2023Q2（20230401-20230630）营收73,060亿韩元，QoQ+44%，YoY-47%；毛利-11,780亿韩元，QoQ+28%（亏损缩减），YoY-119%（转亏）；净利-29,880亿韩元，QoQ-16%（亏损扩大），YoY-204%（转亏）。
　　其中，DRAM营收占比62%，QoQ+53%，出货量环增30%+，ASP环增接近10%。
　　主要由于人工智能相关存储产品需求激增，DDR5和HBM的出货量同比增长2倍以上；NAND营收占比30%，QoQ+31%，出货量环增约50%，ASP环跌约10%。
　　2）指引：Q3 DRAM出货量预期环增10%-15%，计划扩大HBM、DDR5、LPDDR5的销售；NAND出货量环平（由于高基数效应），计划扩大176层SSD产品销售。资本性支出计划2023年同比缩减至少50%。
　　3）HBM：Q2包括HBM在内的graphics DRAM销售占比超20%，HBM产能迅速扩张（上年Q4占比10%），主要由于AI引发的高端服务器需求迅速增长。
　　海力士为唯一量产HBM3的厂商，技术上实现了最高密度的12层堆叠。明年H1海力士将继续加强HBM3E的技术领导地位，上半年开始供应HBM3E，并计划在2026年转向HBM4。
　　二、三星
　　1）FY2023Q2（20230401-20230630）营收60.01万亿韩元，QoQ-6%，YoY-22%；毛利18.36万亿韩元，QoQ+3%，YoY-41%；归母净利1.55万亿韩元，QoQ+11%，YoY-86%。
　　其中，存储产品营收8.97万亿韩元，QoQ+1%，YoY-57%。DRAM出货量环增15%左右，主要由于扩大了服务器产品的销售，以及DDR5、HBM的需求高增长，ASP环降5-10%；NAND出货量环增5%左右，ASP环降5-10%，下降幅度显著降低（Q1降幅15-20%），主要由于其扩大先进制程的努力。
　　2）指引：Q3 DRAM销售预计增长约15%；NAND预计市场出货量增加5-10%，三星NAND出货量增长将略高于市场。2023H2随着库存调整结束预计需求将逐步复苏，三星将更加专注于销售高附加值的内存产品，扩展如DDR5、LPDDR5x和HBM3等先进制程产品。
　　3）HBM：作为HBM市场领导者之一，三星电子向主要客户提供HBM2与HBM2E产品；在HBM3中，三星正在接受客户资格认证，并计划在23H2推出HBM3E产品。三星计划在2024年将HBM产能提升至2023年2倍。
　　三、美光
　　1）FY2023Q3（对应实际时间：20230303-20230601）营收38亿美元，QoQ+2%，YoY-57%；毛利率-16%，QoQ+48%（亏损缩减）,YoY-134%（转亏）；净利-16亿美元，QoQ+25%（亏损缩减）,YoY-153%（转亏）。
　　其中，DRAM营收占比71%，收入QoQ-2%，出货量环增约10%，ASP环降约10%；NAND营收占比27%，收入QoQ+14%，出货量环增30%+，ASP环降约15%。
　　2）指引：Q3预计实现收入39±2亿美元，毛利率-10.5%±2.5%，营业费用8.45±0.15亿美元。
　　3）HBM：美光主要提供HBM2E产品，其HBM产品预计在24年初开始大规模生产，并在24年实现可观收入。
　　四、存储行业投资建议
　　投资建议：海力士三星美光指引乐观，周期底部拐点已现。
　　重点关注：香农芯创等。
　　其它公司建议关注：
　　1、模组：德明利、佰维存储、江波龙等；
　　2、NAND：东芯股份、北京君正等；
　　3、Nor：兆易创新、北京君正、恒烁股份等；
　　4、DRAM：兆易创新、北京君正、佰维存储等；
　　5、SRAM：北京君正等；
　　6、芯片：澜起科技、聚辰股份、国科微等；
　　7、分销：香农芯创等；
　　8、封测：深科技；
　　9、载板：深南电路、兴森科技等；
　　10、材料：雅克科技、神工股份、华海诚科等。