第一代半导体：大硅片持续放量，沪硅产业盈利能力大幅提升。公司发布业绩快报，2022年营业收入同比增长45.95%，营业利润同比增长156.53%，归母净利润同比增长122.45%。营业收入的增长得益于产能的持续释放，特别是300mm半导体硅片的产出、产品良率和正片率水平均持续提升，销售量也大幅上升。归属于母公司的所有者权益的增长得益于公司2022年上半年完成了向特定对象发行股票，募集资金总额为50亿元，同时公司通过全资子公司上海新昇与多个合资方共同出资逐级设立上海新昇的一级、二级、三级控股子公司进行300mm半导体硅片扩产项目的建设，吸纳少数股东投资款约51亿元。
　　第二代半导体：应用于微电子和光电子领域。化合物半导体材料砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是微电子和光电子的基础材料，作为第二代半导体材料代表的磷化铟（InP），具有高的电光转换效率、高的电子迁移率、高的工作温度、以及强抗辐射能力的特点，下游应用主要为光模块器件和高端射频器件。
　　第三代半导体：GaN市场需求将快速增长。氮化镓的下游应用领域包括消费类电源市场、通讯、数据中心、汽车电子等。研究机构Yole指出，在国内消费电子的带动下，GaN功率器件应用大幅增长，GaN功率器件的全球市场规模将从2021年的1.26亿美元，增长至2027年的20亿美元；在消费电子市场领域，氮化镓规模将从2021年的7960万美元，增长至2027年的9.647亿美元，年复合年增长率达52%。PI推出900V氮化镓InnoSwitch 3-AQ。与硅和碳化硅相比，第三代半导体氮化镓具备结温更小、温升更低的优势，适用于环境温度要求较高的汽车类应用。目前，电动汽车使用12V铅酸蓄电池为低压负载进行供电。单个900V氮化镓InnoSwitch 3-AQ的输出功率可达100W，使用多个InnoSwitch 3-AQ组成的电源为低压负载供电，有利于缩小12V电池的体积、简化功率构架。
　　第四代半导体：国内氧化镓外延片取得突破。第四代半导体材料包括超宽禁带材料氧化镓、金刚石、氮化铝；以及超窄禁带材料锑化铟、锗、锑化镓。西安邮电大学陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓（Ga？O？）外延片，在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。
　　关注衬底材料国产化机会。根据WSTS的数据，2022年全球半导体销售额达5735亿美元，同比增长3.2%；其中，中国大陆地区销售额达1803亿美元。衬底材料作为芯片、器件制造过程中的基础材料，市场需求量大，中国大陆地区在衬底材料领域布局较早，国产化进展顺利。建议关注半导体衬底材料国产化机会。
　　投资建议
　　推荐关注沪硅产业、三安光电、山东天岳等。
　　风险提示
　　行业发展不及预期，行业竞争加剧，下游需求不及预期。