摘要
　　中信证券财富管理与中信里昂研究观点一致。根据中信里昂研究在2026年10月20日发布的题为《TeKToK: 4F2DRAM, a square deal？》的报告，中信里昂倾向于布局全行业向4F2 DRAM的转变，而非将长鑫存储（CXMT）的产品计划视为与现有厂商技术持平的证据。新架构有望提升单元阵列密度，但商业成功将取决于电气性能、集成成本及良率。随着韩国芯片制造商也在向垂直沟道设计推进，中信里昂预计4F2将在未来三年内实现商业化。研究认为，机会在于那些涉足要求更高的刻蚀、沉积及热处理工艺的设备供应商，尽管认证及订单时点仍存在不确定性。
　　长鑫存储的紧迫感并不代表领先地位
　　长鑫存储的目标是在2026年底前推出4F2服务器DDR5 RDIMM，但尚未披露详细规格、商业良率或产量。
　　三星电子（SEC）在2026年国际固态电路会议（ISSCC 2026）上展示了一款功能性16Gb 4F2测试芯片，而SK海力士（SKHynix）在2026年VLSI研讨会（VLSI 2026）上报告了可工作的垂直栅极DRAM阵列。
　　有限的EUV获取渠道使长鑫存储更有动力追求架构创新，但产品发布目标与研究演示并非可直接比较的技术领先指标。
　　绕过EUV的一条路，但没有免费午餐
　　在相同特征尺寸下，从6F2转向4F2可将单元面积减少三分之一，有助于抵消长鑫存储部分光刻劣势。
　　美光（Micron）的无EUV 1β DRAM表明，先进的DUV多重图形化技术可以生产具有竞争力的器件，尽管增加了复杂性和成本。
　　垂直晶体管可以改善栅极控制，但具备竞争力的速度、功耗及保持性仍取决于驱动电流、接触电阻、寄生效应及电容器性能。
　　每良品比特的成本才是最终关键
　　从6F2转向4F2理论上可将单元阵列密度提高50%，但外围电路及其他非单元区域会稀释裸片层面的增益。
　　垂直柱刻蚀、共形沉积、结形成以及潜在的晶圆键合引入了制造复杂性，这可能因生产良率损失而侵蚀理论上的成本优势
　　商业成功最终需要具备竞争力的每良品比特成本，并由稳定的良率、服务器级可靠性及客户验证所支撑；长鑫存储的4F2产品尚未公开确立其中任何一项。
　　为即将到来的4F2转型布局
　　随着4F2全面迈向商业化，研究认为投资者应关注那些定位于捕捉全球DRAM行业新工艺机遇的设备供应商，而不仅仅是长鑫存储的供应链。
　　中信里昂日本科技分析师Yu Yoshida建议关注东京电子（TEL），因其在键合方面的优势，以及KokusaiElectric，因其迷你批次ALD技术；而覆盖韩国科技行业的Harry Kim则认为，拥有激光退火及切割技术的EOTechnics（EO），以及在单晶圆低压化学气相沉积系统（LPCVD）领域占据主导地位的EugeneTechnology（Eugene），有潜力受益于制造垂直晶体管的制造工艺，可能用于4F2。
　　在中国，中信里昂的长鑫存储分析师Tracy Cui认为，中微公司（AMEC）及拓荆科技（Piotech）是长鑫存储即将推出的4F2的潜在供应商。
　　上述选择反映的是它们相关的刻蚀、沉积及热处理能力，而非已确认的4F2验证或订单。客户采用及增量设备强度仍是关键的投资考验。