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>> 申万宏源-长鑫科技(688825)三季度营收符合预期,推进4F2加速RDIMM研发-261019
上传日期:   2026/10/20 大小:   548KB
格式:   pdf  共3页 来源:   申万宏源
评级:   买入 作者:   袁航,杨海晏
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事件:公司发布2026年前三季度业绩预告,预计实现营收2650亿~2700亿元,YoY+726%~741.5%;归母净利润1310亿~1325亿元,同比扭亏为盈。此外,公司公布回购计划,回购资金总额不低于10亿元且不超过20亿元,回购股份拟用于员工股权激励、员工持股计划或减少注册资本。该回购计划目前尚处于董事长提议阶段,需经董事会或股东会批准后才能施行。
  投资要点:
  三季度同比增速依然较快。单三季度来看,公司预计实现营收1146.9亿~1196.9亿元,YoY+589%~619%,QoQ+15.25%~20.28%;归母净利润533.95亿~548.95亿元,同比扭亏,QoQ+1.04%~3.88%。我们判断归母净利润的环比增长略弱于营收的原因可能有少数股东权益的影响、新产线折旧前置或HBM等战略投入当期费用化等。
  G5工艺平台已实现量产,产出相比G4提升50%。2026年9月20日长鑫在2026世界制造业大会上正式宣布第五代DRAM技术平台(G5平台)已经实现量产,并同步展出两款基于该平台打造的24Gb LPDDR5X新品,目前两款产品目前均进入规模量产阶段,主要面向中高端智能手机和便携式消费电子产品。通过四重曝光技术,公司将内存阵列有源区的半间距缩小到了11.95nm,已经接近目前全球领先DRAM量产平台的工艺水平,按照8Gb颗粒基准折算,G5平台每片晶圆的裸片产出数量,相比第四代平台至少提升50%。
  加速推进4F2 DRAM技术推进,目标年底推出服务器DDR5 RDIMM。根据第一财经信息,2026年10月10日长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上透露新的DRAM技术进展,预计2026年底推出采用4F2 DRAM架构的新一代DDR5 RDIMM产品。4F2代表单元面积压缩至4倍最小特征尺寸的平方,同面积存储密度可提升30~50%。与消费级存储器不同,DDR5 RDIMM面向服务器市场,必须支持7×24小时不间断运行,能承受带电热插拔的电压冲击,并与不同厂商、不同代际的CPU和主机板完成数百项严苛兼容性测试。将产品的首次使用场景置于服务器,意味着技术验证标准更为严苛,也有助于在高端市场建立信任。
  3DDRAM开辟新赛道。与传统巨头大规模标准化量产不同,3DDRAM强调“小批量、定制化”,与具体应用场景深度绑定,长鑫有望借此在细分赛道中建立差异化优势。
  维持盈利预测,维持“买入”评级。维持盈利预测,预计2026-2028年归母净利润为1590.53/2923.05/3870.57亿元,对应2026-2028年PE分别为18/10/7X,维持“买入”评级。
  风险提示:存储周期下行风险;市占率提升不及预期风险;技术差距风险;股权分散风险。
  
 
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