>> 国泰海通证券-产业深度-半导体材料(三):新旧赛道共振,碳化硅从性能替代迈向规模放量-260827
| 上传日期: |
2026/8/27 |
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2086KB |
| 格式: |
pdf 共28页 |
来源: |
国泰海通证券 |
| 评级: |
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作者: |
钟浩,周天乐 |
| 下载权限: |
此报告为加密报告 |
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碳化硅是第三代半导体中产业化程度最高的核心材料,正在能源变革与人工智能两大科技革命中扮演新角色。本报告以产业史的视角,系统梳理碳化硅从1824年首次人工合成到今天全球数百亿元市场的完整演进脉络:材料端,碳化硅凭借宽禁带、高击穿场强、高热导率等物理优势,确立了在高压、高频、高温场景对硅基器件的替代逻辑;产业端,从Cree推动衬底商业化,到特斯拉Model 3拉动车规级需求,再到中国厂商崛起与全球格局重塑,碳化硅经历了三次关键产业跃迁;需求端,新能源车、光伏储能、电网、轨交构成基本盘,AI数据中心电源、AI眼镜光波导、TF-SAW滤波器、高端散热等新场景正在打开第二成长曲线。 新能源车主导市场空间,多点开花支撑长期成长。全球碳化硅功率器件市场将从2024年的32亿美元增长至2030年的约197亿美元,复合年增长率35.2%。分应用领域看,新能源车是增长的绝对主力,新兴应用是增速最快的边际变量。从2024年到2030年,应用于新能源车领域的复合年增长率将高达36.1%,继续引领全球市场增长;光伏储能、电网、轨道交通领域亦表现出强劲增长势头,期间的复合年增长率将分别达到27.2%、24.5%及25.3%;应用于新兴应用领域的复合年增长率预计将达到39.2%。 从投资视角看,碳化硅衬底环节是观察全产业的最佳窗口:其制备集中了长晶缺陷控制、粉料纯度、精密加工、扩径与量产一致性五大技术难点,技术壁垒与客户认证壁垒共同决定了行业的高集中度;其价格与成本曲线决定了下游器件的降本节奏与应用渗透速度;其竞争格局的演变——从Wolfspeed定义产业,到中国双雄崛起,再到行业第一轮出清——完整映射了第三代半导体全球竞争的此消彼长。我们建议沿“大尺寸化进展、AI场景订单、成本曲线位置”三条线索跟踪产业动态,把握碳化硅从性能替代迈向规模放量的历史性机遇。 本报告的核心判断包括:(1)碳化硅产业的竞争本质是“成本曲线与良率曲线的竞争”,大尺寸化与规模化是当前阶段最确定的产业趋势;(2)新能源车仍是第一大下游,但AI相关应用的增速更快、弹性更大,碳化硅的需求结构正在从“一业独大”走向“多点开花”;(3)全球竞争格局已从海外龙头主导演变为“多极竞逐、中国崛起”,中国衬底厂商在6英寸规模化与8英寸切换中均已跻身第一梯队;(4)行业正经历第一轮出清,具备技术纵深、成本控制与高质量量产能力的企业将穿越周期,分享未来渗透率持续提升的长期红利。 风险提示:下游需求不及预期的风险,技术进步与降本不及预期的风险,行业竞争加剧的风险,国际贸易与地缘政治风险,新兴应用产业化不及预期的风险。
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