投资要点：
　　化合物半导体应用带动铟的新兴需求增加
　　铟属于稀散金属，具有可塑性、延展性、光渗透性和导电性等特点，以化合物、合金的形式被广泛应用。由于铟主要为锌冶炼的副产物，因此原生铟产量与锌冶炼密切相关。受下游需求增长缓慢影响，全球锌矿开采增长不足压制了原生铟的产出。ITO靶材是全球铟消费的主要下游领域，随着磷化铟等铟化合物半导体的应用扩大，预计未来新兴领域将对铟需求形成新的拉动力量，预计未来全球铟供需关系将从宽松转向紧平衡。
　　磷化铟需求受光模块带动，但国内供给扩张受限
　　磷化铟是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体关键材料，具有直接带隙、高电子迁移率及出色的晶格匹配度等特性，是800G等高速光模块的核心材料。随着AI大模型进入万卡集群时代，光模块正从800G向1.6T、3.2T光模块迭代，而1.6T、3.2T光模块对磷化铟材料的数量需求将继续增加。2025年全球磷化铟衬底销量预计为91.13万片，2027年销量预计将达到128.45万片。当前磷化铟衬底供应紧张，国内只有少量产能，而行业扩产方面，单晶生长环节是核心瓶颈，行业良品率普遍不高，设备定制周期长，是行业难以快速扩产的主要原因。
　　天津突破磷化铟新工艺，国内自主供给有望提高
　　根据天津日报报道，2026年6月24日，天津理工大学功能晶体研究院与滨海高新区签署共建“功能晶体材料成果产业化基地”的战略协议，正式开启了实验室成果产业化落地阶段。该基地其中一个重点产业化方向就是6英寸磷化铟单晶项目，面向AI算力基础设施中高速光模块的核心材料需求，正与行业龙头企业开展技术对接。目前天津理工大学的研究团队已完成新型VB法（坩埚下降法）磷化铟单晶实验室小试研发，这种全新的晶体生长方法可以使磷化铟的成品率从当前行业的10%提高到50%以上。未来随着天津6英寸磷化铟单晶项目落地，国内磷化铟衬底自主供给规模有望得到提升，从而支撑国内高速光通信、CPO光电集成、AI算力网络全产业链自主可控发展。
　　风险提示
　　天津区域性产业政策落地不及预期的风险、宏观经济波动的风险、企业出现融资困难的风险、技术研发和产品推广不及预期的风险。