事件：Tower Semiconductor于2026年7月14日宣布在日本启动双轨产能扩张，获日本政府约10亿美元补贴，自身拟投约30亿美元，聚焦300mm硅光子（SiPho）、硅锗（SiGe）及先进封装：(1)改造Arai工厂，目标2027年Q4量产，更新商业模式至2028年营收36亿美元、净利12亿美元；（2)在Fab 7旁新建晶圆厂，产能倍数增长，预计2029年起显著贡献盈利。
　　 Tower扩产进一步强化高速光互联逻辑，重视硅光产业链。Tower作为硅光PIC核心供应商，下游旭创、新易盛等硅光模块核心物料环节，其积极扩产进一步验证硅光模块市场需求，特别是硅光作为NPO、CPO等高速光互联主流解决方案，此次扩产一方面有利于缓解市场物料担忧，另一方面加速高速光互联方案落地与硅光产业链渗透率提升。
　　硅光产业链迎来多环节发展机遇。一是硅光模块、NPO，高速光互联需求逻辑进一步强化，光模块及NPO厂商成长确定性持续提升，PIC产能加速释放有望推动下游扩产，并带动产品结构优化与盈利能力改善，受益标的：中际旭创、新易盛、天孚通信、剑桥科技、光迅科技、华工科技等。二是光芯片，CW激光器是硅光产业链的核心物料，也是国内厂商的重要切入点，随着硅光渗透率提升，有望打开新的供应格局，受益标的：源杰科技、仕佳光子、永鼎股份、长光华芯等。三是硅光测试设备，随着硅光渗透率提升，CW激光器KGD、硅光晶圆以及光模块、NPO、CPO测试需求有望持续增长，相关测试设备市场空间进一步打开，重视设备厂商放量机遇，受益标的：联讯仪器。
　　风险提示：国际贸易冲突、行业竞争加剧、原材料紧缺、光通信发展不及预期等