美光FY26Q3营收盈利与FY26Q4指引均大超预期，盘后最高涨约16%，带动算力板块普涨。FY26Q3营收414.6亿美元，同比+346%，环比+74%（VA预期362.8亿美元）。经调整净利润288.6亿美元（预期241亿美元）；Non-GAAP毛利率环比提升9.4pct至84.9%。公司指引FY26Q4营收490-510亿美元（预期437亿美元），Non-GAAP毛利率86%（预期82%），并上调FY26 Capex至270亿美元，指引FY27 Capex超400亿美元。
　　SCA长协已覆盖1000亿美元确保量价
　　美光披露已与客户签署16份SCA协议，以5年期为主，并覆盖期间约20%的DRAM出货量和1/3的NAND出货量。SCA采用Take-or-Pay机制，并引入价格上下限设计，上限将对应CY26Q2市场价格水平，下限也可确保毛利率高于历史峰值，对应低60%毛利率区间。美光披露其中14份SCA按最低价测算，对应保底的合同收入约1000亿美元，并带来约220亿美元预付款及相关承诺，其中现金约180亿美元。另外，海力士正与谷歌、微软推进3-5年期DRAM供货协议，同样将引入最低价格及10%-30%预付款等机制；三星也决定对今年起所有新签合同统一为不少于3年的LTA模式。我们认为，LTA能有效锁定量价和盈利能力，提升需求确定性及产能规划效率，因此，板块估值方法正逐步从周期转向成长。
　　美光HBM4量产推进，HBM4E预计27年量产
　　美光HBM4已进入量产，累计收入超10亿美元，产能爬坡和良率均优于市场预期。管理层重申HBM全球市场份额目标将与整体DRAM市场份额一致，对应约20%-25%。同时，6/23韩媒《朝鲜日报》报道，海力士正放缓HBM4产能扩张，并将部分资源重新分配至通用DRAM以获取更高利润率。HBM4E方面，TrendForce报道美光将采用1c DRAM工艺，并预计于27年量产。海力士和三星已完成基于1c DRAM的12层48GBHBM4E送样。
　　美光重启DDR4生产补需求缺口，全球产能扩张亦同步提速
　　美光上调2026年全球DRAM行业供给增速预期至中低20%区间，维持NAND约20%的判断，并预计DRAM及NAND供需紧张格局将延续至2027年。5月，公司在弗吉尼亚工厂重启1α DDR4及LPDDR4量产，主要用于补充工业、汽车及传统服务器市场因主流厂商产能转向DDR5、LPDDR5X及HBM而形成的供给缺口。需求持续扩张背景下，美光也与ASML签署多年期EUV设备采购协议，爱达荷州ID1工厂预计于2027年中投片、ID2预计于2028年底投片，铜锣厂量产时间亦提前至2027年中。海力士计划2030年将DRAM产能提升至100万片/月，其中清州M15X将于26H2投产，龙仁首批设备导入提前至27年初。三星平泽P4已逐步投产，P5建设提速，Fab 1预计28年投产，Fab 2提前至26H2开工建设。此外，三星、海力士正讨论光州湖南地区投资方案，三星投资规模或达6480亿美元。
　　维持“买入”，上调目标价至1800美元
　　我们认为：1）Agentic AI时代，CPU从服务人类转向服务AIAgent，CPU与服务器DRAM需求或指数级增长；2）3-5年期LTA的推出更坚定市场对存储从周期逻辑转向成长属性的信心；3）美光HBM4已通过英伟达认证，产能爬坡快于市场预期；4）市场或将美光视为继Intel之后美国先进制造的标杆。上调26-28E调整后净利润预测65/170/211%至857/ 1731/2105亿美元。考虑美光重资产Fab模式，应较AI芯片公司存在折价。我们切换为FY27估值，给予11.7x PE，上调目标价至1800美元（前值610美元，对应FY26E 13.5x PE）。维持“买入”。
　　风险提示：技术落地缓慢、中美贸易摩擦、需求不及预期。