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>> 东吴证券-美光科技(MU.US)HBM构筑高弹性空间,技术升级叠加扩产共塑份额红利-260527
上传日期:   2026/5/27 大小:   1991KB
格式:   pdf  共31页 来源:   东吴证券
评级:   买入 作者:   张良卫
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存储行业正在完成从"周期股"到"AI算力基础设施"的估值范式切换,美光作为唯一兼具DRAM与NAND双重弹性的美国本土厂商,是本轮AI推理周期最直接的受益者。FY26Q2营收238.6亿美元、GAAP毛利率74.4%(环比+18.4pct)、Non-GAAPEPS 12.20美元显著超Bloomberg一致预期,公司指引Q3毛利率进一步升至约81%,盈利兑现节奏远快于此前周期复苏。
  推理时代来临,RAG与企业级SSD构成NAND第二增长极。存储需求从"训练侧一次性爆发"转向"推理侧持续性消耗"。RAG架构对向量数据库的依赖直接带动了高性能企业级SSD的需求,KVCache卸载至SSD成为NAND新增量。FY26Q2美光NAND营收50亿美元(QoQ+82%),数据中心SSD份额连续四年提升;Micron 9650(PCIe Gen6)已率先量产,读取性能较Gen5翻倍。
  深度绑定核心算力平台,HBM4率先量产抢占下一代主导权。美光正凭借极强的产品执行力迅速重塑AI存储的竞争格局。公司2026年HBM产能已全面售罄,且专为英伟达Vera Rubin平台设计的HBM4已于26年Q1率先量产出货,总带宽超2.8TB/s。叠加全球首发的1γ(1-gamma)EUV先进制程,美光在高壁垒的AI存储赛道持续领跑,中长期有望迎来“量价齐升”与“份额扩张”,实现经营业绩的高速增长。
   AI挤压效应重塑供给端,存储供需结构性错配。庞大的AI算力需求不仅拉动了HBM需求的爆发,其对晶圆的极高消耗量正在严重挤占传统DRAM的有效供给。同时,NAND端原厂向高层QLC转产也导致了总体产能的结构性收紧。在AI需求强劲拉动与传统产能受控的双重夹击下,存储芯片大盘的供需紧缺或将延续数年。美光将全面享受行业价格中枢上移带来的高额红利。
  盈利预测与投资评级:公司作为美国本土存储行业龙头,DRAM与NAND在存储行业中地位稳固,HBM扩产或提供较大业绩弹性,有望在AI驱动的基础设施建设中持续受益。我们预计公司FY2026-FY2028年归母净利润为678.1/1,109.1/1,154.4亿美元,对应当前市值PE分别为14.9/9.1/8.8X。考虑到公司HBM量价齐升与企业级SSD结构性扩张,业绩兼具确定性与成长性,首次覆盖给予“买入”评级。
  风险提示:存储行业周期再现风险;国产产能加速冲击中低端市场;云厂商资本开支不及预期风险;股价短期波动风险。
 
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