AI驱动全球存储芯片行业迈入“超级周期”阶段，供需错配带动产品涨价幅度超预期。国内外存储扩产持续推进，长鑫、长存IPO节奏加速，看好上游半导体设备投资机会。
　　存储周期+自主可控，国产半导体设备有望迎高速增长机遇。
　　存储周期：AI需求爆发+技术升级驱动半导体行业进入新一轮周期，供需错配带动存储持续涨价。①需求端，英伟达推出新存储平台，AI存储需求持续升级。2026年1月6日，英伟达在CES展会推出新一代Rubin AI平台，其中，BlueField-4为推理上下文内存存储平台，本质为构建一个介于GPU高速内存和传统存储之间、由SSD构成的“内存层”，以高效经济地解决海量KV缓存的问题。容量方面，预计在每个GPU原有1TB内存基础上，额外增加16TB内存，NVL72机架预计将增加1152TB内存，有望带动NAND需求进一步增长；②供给端，供需缺口带动26Q1存储产品价格持续上涨。三星、SK海力士、美光等头部存储芯片厂将主要产能转向HBM、DDR5等适配AI和数据中心的高端芯片，但维持较为克制的扩产策略，同时大幅削减DDR4等传统存储芯片的产能，供给收紧导致存储价格持续提升。根据TrendForce预估，26Q1一般型DRAM合约价将季增55-60%，Server DRAM价格季增逾60%，NANDFlash各类产品合约价持续上涨33-38%。
　　自主可控：半导体设备国产化率较低，自主可控诉求迫切。地缘政治风险加剧，美日荷等海外针对我国先进制程设备的出口管制政策持续收紧，倒逼本土终端厂商支持上游设备国产化，有望推动我国半导体设备国产化进度。当前我国半导体设备国产化率较低，根据MIR，2024年中国晶圆制造设备综合本土化率25%，其中光刻机、量检测设备、涂胶显影机的国产化率较低，分别为<1%、9%、12%，MIR预测到2026年，中国晶圆制造设备综合本土化率有望提升至30%。
　　长鑫科创板上市在即，看好资本开支扩大+设备国产化率提升。2025年7月长鑫科技正式开启上市辅导进程，2025年12月长鑫科技获得IPO受理。长鑫是全球第四、中国第一DRAM原厂，目前有合肥与北京三座12寸晶圆厂，2022-2025H1购建固定资产和其他长期资产支付的现金分别为354.31、436.58、712.30和241.15亿元。本次拟募资295亿元投向量产线技改、下一代技术升级及前瞻研发，预计2027年底完成大部分设备导入，长鑫扩产有望带动国产设备需求和份额提升。
　　投资建议：建议关注国产化率较低的量检测设备【精测电子】，超声波检测设备【骄成超声】，国内高端测试设备龙头【长川科技】、布局高选择比刻蚀+ALD+先进封装设备的【迈为股份】、半导体设备平台型龙头【北方华创】、国内刻蚀设备领军企业【中微公司】、国内薄膜沉积设备龙头【拓荆科技】等（注：机械组覆盖骄成超声、迈为股份，电子和机械组联合覆盖长川科技，其余为电子组覆盖标的）。
　　风险提示：国产替代不及预期、下游景气度不及预期、行业竞争加剧、技术迭代不及预期