>> 方正证券-半导体设备行业事件点评报告:长存三期成立,CSEAC 2025近期召开-250911
| 上传日期: |
2025/9/11 |
大小: |
213KB |
| 格式: |
pdf 共2页 |
来源: |
方正证券 |
| 评级: |
推荐 |
作者: |
马天翼,王海维 |
| 下载权限: |
此报告为加密报告 |
|
|
事件:2025年9月8日,长存三期(武汉)集成电路有限责任公司成立,注册资本207.2亿元。近期CSEAC 2025成功召开。下游先进工艺扩产需求旺盛,设备板块催化不断。 半导体设备国产化大势所趋,市场空间广阔。近年来,半导体设备国产化率持续提升。中微公司表示2025年半导体设备国产化率达18%,同比提升4个百分点。然而,部分国内晶圆厂为保障自身生存、维持现金流稳定,最终仍会选择采购海外设备。根据钛媒体数据,目前有近70%的晶圆制造公司尚未使用国产半导体设备,且越高端越依赖进口。同时,当前本土先进节点晶圆产能难以满足高速增长的算力所需,从设备、制造等层面增强算力基础设施的整体能力和产业保障尤为迫切。摩尔线程表示,中国约有300万张GPU卡的产能缺口。我们认为,当前国内半导体产业链从上游的设备与材料到中游的半导体制造再到下游的先进封装,均致力于提升算力芯片的国产化率;半导体设备国产化大势所趋,且当前国产化率仍处于较低水平,国产替代空间广阔。 摩尔定律放缓同时光刻技术受限,需通过多维度创新实现性能提升。随着摩尔定律逐渐放缓以及国内光刻技术受限,国内厂商有望更加积极通过新结构、新工艺、新材料等多维度创新以实现芯片性能的提升,如NAND的Xtacking架构、DRAM的4F2架构、逻辑芯片的背面供电等。通过原子级制造(原子层沉积ALD和原子层刻蚀ALE)从前道增加器件密度,向三维推进;后道通过键合集成技术实现不同芯片三维堆叠,突破平面限制与光刻瓶颈,提升带宽。 定制能力+有效服务+紧密围绕客户需求成为国产厂商独特优势。当前国产高端设备已进入放量阶段,主工艺装备基本具备28-14nm制程能力,并持续向7-5nm制程推进,产品竞争力持续提升。半导体设备公司不仅是设备整机的提供商,还充当着工艺服务商的角色。相比海外设备厂商,国产设备公司具备有效服务、定制能力和紧密围绕客户需求三大独特优势:1)有效服务:提供更快的响应时间、更专业的本地技术支持和更快的备件供应;2)定制能力:针对客户的特定工艺需求,提供其他竞对无法实现的定制化解决方案;3)紧密围绕客户需求:与客户建立紧密的合作关系,共同优化工艺,提供超越设备本身的“整体解决方案”。以拓荆科技为例,拓荆科技“六站平台”PECVD+ALD双引擎将“背部供电”“深沟电容”等2nm预研工艺搬进晶圆厂,让国产薄膜设备第一次走在工艺定义前端。我们认为,国产设备厂商通过加强与下游客户的合作,以新结构等创新为契机,实现先进节点国产加速替代。 建议关注:北方华创(即将实施第五期股权激励)、华海清科、中微公司、芯源微、拓荆科技、中科飞测、盛美上海、微导纳米等。 风险提示:行业与市场波动风险,国际贸易摩擦风险,新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险,晶圆厂产能扩张进度不及预期风险,行业竞争加剧风险。
|
|