碳化硅具有耐高温、高压等优势，渗透率提升空间大。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓等为代表的第三代半导体材料发展迅速。与第一代半导体材料硅相比，碳化硅具备更高的击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导性和热稳定性，更适合在高压、高频、高功率等领域中应用，并且能实现器件小型化、轻量化。根据Yole数据，2024年SiC材料渗透率从2020年4%提升到15%。
　　海外大厂发生较多变动，SiC竞争格局或收敛。Wolfspeed在2024年关闭达勒姆6英寸工厂，2025年5月正式启动破产保护申请程序，近期宣布将依据重组协议申请破产；瑞萨电子终止原定2025年量产的群马县SiC工厂计划，解散业务团队；罗姆为应对财务压力，已将其位于宫崎县的新SiC工厂的生产时间从2024年推迟到2025年。
　　各个环节我们竞争力如何？1）衬底、外延环节国产厂商弯道超车趋势已现。2）器件环节，国产厂商竞速发展。以比亚迪半导体代表的国产碳化硅模块企业表现出了强劲的增长态势，如芯联集成、斯达半导、基本半导体等不仅具备模块的供应能力，还可自主供应碳化硅芯片。
　　未来需要关注什么？1）衬底端，AR眼镜打开碳化硅衬底的第二增长曲线。2）价格端，外延+衬底在产业链制造成本占比；3）器件端，国内新能源车上碳化硅节奏。
　　投资分析意见：建议关注国产衬底厂商天科合达（未上市）等；外延环节的天域半导体等；器件环节的芯联集成、基本半导体，以及国内最早具备SiC全产业链一体化布局的三安光电；士兰微、斯达半导、华润微、时代电气、扬杰科技等均有器件相关布局。
　　风险提示：1）碳化硅渗透率提升不及预期；2）国产厂商产能及良率提升不及预期。