业绩简评
　　2024年9月26日，公司公布FY24 Q4业绩，公司FY24 Q4（24.6-24.8）实现营收77.50亿美元，同比增长93%，环比增长14%，公司GAAP毛利率为35.3%，同比+46.1 pct，环比+8.4 pct，GAAP净利润为8.87亿美元，同比实现扭亏，环比增长+167%。公司FY24Q4Non-GAAP毛利率为36.5%，同比+45.6pct，环比+8.4pct，公司NonGAAP净利润为13.42亿美元，同比实现扭亏，环比增长+91%。公司指引FY25Q1（24.9~24.11）营收为87±2亿美元，营收中枢同比增长84%，FY25Q1 GAAP毛利率预计为38.5%±1%，Non-GAAP毛利率39.5%±1%。
　　经营分析
　　分产品看，FY24Q4公司DRAM收入53亿美元，位元出货量持平，价格环比15%左右增长。NAND收入24亿美元，位元出货量高个位数环比增长，价格环比5%-10%增长。
　　数据中心领域，公司预计CY24服务器出货量同比增长中个位数到高个位数，其中传统服务器增长低个位数。公司HBM良率爬坡，拉动DRAM以及整体毛利率。公司预计CY25 HBM市场达到250亿美元，占整体DRAM位元数6%。
　　消费电子领域，公司预计PCOEM库存将在25年春季更加健康，预计24年PC出货量低个位数同比增长。公司预计手机出货24年低个位数到中个位数增长，预计25年继续增长，同时目前安卓OEM开始发布12~16GBDRAM的机型。
　　公司预计25年DRAM与NAND位元数都实现15%左右增长，预计HBM消耗DRAM晶元将使得行业25年供需健康。
　　公司FY24 CAPEX为81亿美元，预计FY25 CAPEX为收入约35%，同比实现较大增长。公司在Idaho和纽约的新建工厂预计在FY25与FY26不会产生DRAM供给。
　　盈利预测、估值与评级
　　AI赋能端侧，存储有望从库存周期转向需求周期，公司有望充分受益。同时公司HBM良率爬升，HBM市场份额有望增长。我们预计公司FY25~FY27净利润分别为91.06、149.41、134.88亿美元，美股净资产分别为48.56、61.68、73.40美元，对应当前股价PB为2.0、1.6、1.3倍，维持“买入”评级。
　　风险提示
　　下游需求不及预期；原厂减产不及预期；行业竞争加剧风险；存货减值风险；产品迭代不及预期；产品禁售风险。