核心观点
　　NAND：终端需求保持复苏，市场价格相对平稳。上周（0513-0517）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.09%至3.40%，平均涨跌幅为0.21%。其中8个料号价格持平，9个料号价格上涨，5个料号价格下跌。根据TrendForce集邦咨询预估，Q2 NANDFlash合约价季涨幅上修至约15~20%。根据CFM报道，铠侠24Q1扭亏为盈，其23 Q4 bit出货量环比增长约高个位数百分比，基于日元的平均产品单价环比提高约16%-19%；基于美元的产品单价在本季度上涨了约20%。铠侠展望认为NAND供需平衡持续改善，市场价格或将不断上涨。
　　DRAM：颗粒价格小幅波动，议价动作零星，部分产品价格或仍有需求支撑。根据DRAMexchange，上周（0513-0517）DRAM 18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.87%至0.62%，平均涨跌幅为0.25%。上周5个料号呈上涨趋势，13个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据TrendForce集邦咨询预估，Q2 DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%。HBM方面，买方担忧Q3供应短缺转而倾向Q2提前备货；以三星为例，HBM3e采用1alpha制程节点，至2024年底将占用1alpha制程产能约六成，或进一步排挤DDR5供给量。
　　HBM：SK海力士与台积电已敲定下一代HBM的合作量产计划。根据科创板日报报道，SK海力士与台积电已敲定下一代HBM的合作量产计划。台积电将负责基础芯片前端工艺（FEOL）、后续布线工艺（BEOL）等，晶圆测试和HBM堆叠将由SK海力士进行。这意味着传统的前端制程将由台积电负责，后续制程将由SK海力士处理。业界预测，SK海力士将通过台积电7nm制程制造HBM4基片。
　　市场端：渠道和行业部分SSD价格小幅下调，现货嵌入式行情整体相对稳定。上周（0513-0517）eMMC价格小幅下调，eMMC平均涨跌幅为-0.69%,UFS价格持平。根据CFM闪存市场报道，现货嵌入式市场部分终端品牌出于成本和供应考虑，积极引入更多存储供应商，以抵御存储行情的周期性波动。由于消费类SSD市场需求持续疲软，现货渠道及行业市场竞价出货的现象加剧，渠道和行业部分SSD价格小幅调降。由于部分嵌入式资源与服务器供应冲突，部分原厂稀缺资源的价格呈缓慢上涨趋势，加上品牌终端释出一定需求，从而支持现货嵌入式行情整体相对稳定发展。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。