AI芯片需求推动下HBM3和DDR5继续受惠,营收和ASP保持高速增长
　　在AI芯片需求强劲的背景下，作为高算力处理器中必不可少的HBM3/3E将继续供不应求，推动HBM量价齐升。SK海力士在23Q4运营利润超预期的转正。此前在23Q3电话会已表示，24年所有HBM3/3E产能已满，并持续接到额外订单的咨询。公司计划在24上半年量产HBM3E并按计划研发HBM4。24年公司计划扩产HBM3/3E、DDR5和LPDDR5T等高价值高性能产品，公司位于无锡的晶圆厂将向1a nm制程转移，支持公司扩产计划。公司目标在24年底将1a nm和1b nm DRAM产量增加到DRAM总产量的一半以上。
　　SK海力士通过领先的HBM技术，与AI芯片巨头保持长期合作
　　SK海力士的HBM3早已搭载在英伟达H100上，而下一代的H200，仅通过升级至HBM3E，就能实现对比H100高80%/40%的内存/带宽提升。H200在700亿参数的Llama2模型推理时，速度更达H100的1.9倍。据Trendforce23年12月报道，英伟达已与公司签署HBM3E供应协议，用于今年较晚推出的B100。另外，AMD的MI300系列也搭载了24GB的HBM3。根据Digitimes，公司亦为AWSTrainium 2和Google TPU的HBM供货。
　　SK海力士营收和利润均超预期，23Q4运营利润实现4季度后的扭亏
　　SK海力士23全年营收为32.8万亿韩元，同比-27%，超彭博一致预期（31.9万亿韩元）；23Q4营收为11.3万亿韩元，同比+47%，环比+25%，超彭博一致预期（10.4万亿韩元）。23Q4运营利润扭亏，达3,460亿韩元，受益于高价值产品销量提升，超彭博一致预期的亏损1,699亿韩元。23年公司积极应对AI需求激增，通过技术优势扩大高端产品销售，DDR5和HBM3销量同比分别增长4倍和5倍。公司库存自23Q2宣布减产以来持续下降，期末库存为13.5万亿韩元，环比-10%。此前在CES 24上公司表示由于PC和手机市场ASP和客户需求修复，公司计划分别在24Q1和24H2对DRAM和NAND减产计划进行调整。
　　公司预计24年DRAM和NAND的需求增速约为15-19%
　　DRAM业务23Q4营收为7.3万亿韩元，同比+61%，环比+21%，高于彭博一致预期（7.2万亿韩元），DRAM出货量环比低个位数上升，ASP环比上升18%。NAND业务23Q4营收为3.3万亿韩元，同比+39%，环比+35%，远高于彭博一致预期（2.5万亿韩元）。尽管NAND出货量环比低个位数下降，但原厂减产以及下游对高端产品补库需求增加使ASP环比+40%。由于PC和手机出货量的复苏，以及AI服务器和高规格移动存储器需求的增长，公司预计2024年DRAM和NAND的需求增长率将为15-19%。AIPC和搭载端侧AI功能的手机或成为未来存储需求的催化剂。
　　强势季度业绩后，公司审慎投资计划和未来预期引起市场关注
　　公司预计24Q1存储行业价格环境将持续改善，但受季节性需求影响，预计DRAM销量环比下降约15%，NAND销量环比则见中个位数百分点增长。23年资本开支受储存市场下行影响同比缩减50%，公司预计24年资本开支同比小幅增长，保持谨慎支出，重点关注盈利能力和投资效率，并将针对性投资有明确需求增长的高价值产品，如HBM、MCRDIMM和LPCAMM2。
　　风险提示：AI技术落地和推进不及预期、芯片需求不及预期、中美竞争加剧等；相关信息数据来自于公开的客观信息，不代表对相关公司的研究覆盖和推荐