英伟达发布AI芯片H200，首次采用HBM3e，拥有141GB显存，4.8TB/秒带宽。与H100相比，H200的推理速度、带宽、显存容量等提升。随着H2002024Q2计划交付、B100计划2024年发布，叠加AI发展算力需求持续增加驱动，有望带动HBM产品市场规模快速增长，利好相关材料、经销、设备、封测等环节发展。
　　需求端：带宽为算力提升瓶颈，HBM与大模型相辅相成
　　HBM突破了内存容量与带宽瓶颈，打破了“内存墙”对算力提升的桎梏，其具备高带宽、低功耗的特点，面对AI大模型千亿、万亿的参数规模，服务器中负责计算的GPU几乎必须搭载HBM。目前全球HBM产能主要用于满足Nvidia和AMD的AI芯片需求。随着大型互联网客户自研AI芯片陆续推出，HBM客户群预计将大幅扩容，HBM对全球半导体市场的影响力将进一步加大。据TrendForced预测，2024年整体HBM营收有望达89亿美元，年增127%。
　　供给端：产品升级，产能速增
　　目前HBM产品市场SK海力士及三星占据相对优势地位。据TrendForce数据，三大原厂SK海力士、三星、美光2022年HBM市占率分别为50%、40%、10%，2023年预计分别为53%、38%、9%。原厂加大投入，带动HBM产能持续扩张。据TrendForced数据，存储原厂在面临英伟达以及其他云端服务业者自研芯片的加单下，通过加大TSV产线来扩增HBM产能，预估2024年HBM供给位元量将年增105%；考虑到TSV扩产加上机台交期与测试所需时间合计可能长达9~12个月，多数HBM产能24Q2有望陆续开出。其中，2023年主流需求自HBM2e转往HBM3，随着HBM3的加速芯片陆续放量，2024年市场需求将大幅转往HBM3，其更高的ASP有望带动2024年HBM市场显著成长。
　　设备/材料端：工艺升级，用量提升
　　HBM的工艺把DRAM技术路径从平面结构带向了3D结构，3D结构的构建将为对应的设备材料带来更多需求，其中TSV工艺最为关键，核心设备为硅通孔刻蚀设备，刻蚀完成后的金属填充设备、CMP设备、键合机需求也会相应增长，材料方面，刻蚀液、硅电极、电镀液、CVD前驱体、靶材、键合材料、硅球粉同样会有需求提升。
　　封测端：先进封装，CoWos助力
　　HBM通过使用TSV垂直堆叠多个DRAM，可显著提升数据处理速度，同时尺寸有所减小。目前大部分HBM均使用CoWoS封装技术实现低功耗、高速的数据传输。随着AI及HBM需求加速发展，有望带动先进封装需求持续增长。据台积电预计，目前其CoWos产能供应紧张，2024-2025年将扩产，2024年其CoWos产能将实现倍增。同时，三星计划于2024年推出先进3D芯片封装技术SAINT，具备SAINTS、SAINTD、SAINTL三种方案。
　　产业链相关标的
　　材料：神工股份、雅克科技、华海诚科、联瑞新材、壹石通、宏昌电子等。
　　经销：香农芯创、雅创电子等。
　　设备：中微公司、盛美上海、赛腾股份等。
　　封测：盛合晶微、通富微电、长电科技等。
　　风险提示
　　产能不足，需求增长不及预期，技术进展不及预期等。