投资要点：
　　深耕非易失性存储器芯片，工艺引领产品优势。公司在非易失性存储器芯片领域深耕多年，以先进工艺低功耗NORFlash和高可靠性EEPROM为核心持续完善和优化产品，可充分满足客户对高性能存储器需求。公司产品广泛应用于手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域。公司NORFlash存储产品基于SONOS工艺，具有低功耗、高可靠的特征，在中小容量领域成本优势明显。
　　周期复苏叠加应用领域扩张，公司业绩有望反转。复盘整体周期轮动时间，2000年以来半导体每轮周期持续时间约4-5年，上行周期通常为1-3年，下行周期通常为1-2年，当前半导体周期波峰出现在2022年Q2，按照历史规律有望在2023Q3-2024Q2期间进入复苏阶段。公司积极推进汽车、工业控制等下游应用领域拓展，中小容量NORFlash车载产品已陆续完成AEC-Q100认证，主要应用于部分品牌车型的前装车载导航、中控娱乐等；工业控制EEPROM业务占比显著提升，车载EEPROM产品完成AEC-Q100认证，并在车身摄像头、车载中控、娱乐系统等应用上实现了海内外客户的批量交付。未来若行业周期复苏及公司下游应用领域扩张，公司业绩有望持续增长。
　　“存储+”业务协同发展，打造第二增长曲线。公司从现有业务产品优势出发，结合自身工艺特点及下游客户资源打造与现有业务具备高协同性的“存储+”业务。MCU方面，公司基于自身功耗低、工艺领先、集成度高、自主设计的存储器，布局ARMCortex-M内核系列32位通用型MCU产品，截至2023年中报，公司MCUM0+系列产品已大规模量产出货，广泛应用于智能家居、小家电、BMS、无人机、驱动电机、逆变器等下游领域；VCM方面，公司VCMDriver产品依托EEPROM产品的客户资源优势目前已实现下游交付；模拟产品方面，公司凭借基于CMOS工艺的传感器器件以及模拟前端的设计方面的技术积累积极研发。据中商情报网数据，未来随物联网发展及汽车电动化趋势深化，全球MCU市场规模有望持续增长，预计2023年全球MCU市场规模有望达226亿美元；据沙利文数据，预计到2023年VCMDriver全球市场规模有望达到2.73亿美元，公司MCU与VCMDriver成长空间广阔。未来随公司“存储+”业务推进，公司有望获得成长新动能。
　　盈利预测和投资评级：公司在非易失性存储器芯片领域深耕多年，技术、产品、客户优势均处于国内领先地位。同时，公司依托在存储领域的技术优势与平台资源，围绕“存储+”发展战略，积极开拓微控制器及模拟芯片产品，以实现向更高附加值领域和更多元化市场的拓展。我们预计2023-2025年公司营业收入分别为12.02/15.88/20.30亿元，同比增速为29.94%/32.15%/27.83%；归母净利润分别为-0.74/1.10/2.50亿元，同比增速为-188.84%/248.36%/128%。普冉股份当前市值对应PS分别为6.38/4.82/3.77倍，均低于可比公司平均PS估值。因此，首次覆盖，给予“买入”评级。
　　风险提示：1）下游消费电子需求复苏不及预期；2）市场竞争加剧；3）汽车产品导入进度不及预期；4）新产品研发进度不及预期；5）存货跌价风险；6）国产替代不及预期；7）历史经验仅供参考，不代表未来；8）引用数据仅供参考

研究报告全文：2023年10月11日公司研究评级买入首次覆盖研究所TableTitle证券分析师葛星甫S0350522100001工艺引领存储产品优势存储业务拓展第gexfghzqcomcn联系人郑奇S0350122030040zhengqghzqcomcn二增长曲线联系人高力洋S0350123050039gaoly01ghzqcomcn普冉股份688766深度报告最近一年走势投资要点普冉股份沪深30008357深耕非易失性存储器芯片工艺引领产品优势公司在非易失性存06571储器芯片领域深耕多年以先进工艺低功耗和高可靠性04786NORFlash03000EEPROM为核心持续完善和优化产品可充分满足客户对高性能存01215储器需求公司产品广泛应用于手机计算机网络通信家电-00570工业控制汽车电子可穿戴设备和物联网等领域公司NORFlash存储产品基于SONOS工艺具有低功耗高可靠的特征在中小容量领域成本优势明显相对沪深300表现20231010表现1M3M12M周期复苏叠加应用领域扩张公司业绩有望反转复盘整体周期轮普冉股份13-163320动时间2000年以来半导体每轮周期持续时间约4-5年上行周期沪深通常为1-3年下行周期通常为1-2年当前半导体周期波峰出现在300-22-49-172022年Q2按照历史规律有望在2023Q3-2024Q2期间进入复苏阶段公司积极推进汽车工业控制等下游应用领域拓展中小容市场数据20231010量车载产品已陆续完成认证主要应用于部当前价格元10145NORFlashAEC-Q100分品牌车型的前装车载导航中控娱乐等工业控制业务52周价格区间元8700-21893EEPROM占比显著提升车载产品完成认证并在车总市值百万766103EEPROMAEC-Q100身摄像头车载中控娱乐系统等应用上实现了海内外客户的批量流通市值百万444514交付未来若行业周期复苏及公司下游应用领域扩张公司业绩有总股本万股755153望持续增长流通股本万股438161日均成交额百万16619存储业务协同发展打造第二增长曲线公司从现有业务产品优近一月换手375势出发结合自身工艺特点及下游客户资源打造与现有业务具备高协同性的存储业务MCU方面公司基于自身功耗低工艺领先集成度高自主设计的存储器布局ARMCortex-M内核系列32位通用型MCU产品截至2023年中报公司MCUM0系列产品已大规模量产出货广泛应用于智能家居小家电BMS无人机驱动电机逆变器等下游领域VCM方面公司VCMDriver产品依托EEPROM产品的客户资源优势目前已实现下游交付模拟产品方面公司凭借基于CMOS工艺的传感器器件以及模拟前端的设计方面的技术积累积极研发据中商情报网数据未来随物联网发展及汽车电动化趋势深化全球MCU市场规模有望持续增长预计2023年全球MCU市场规模有望达226亿美元据沙利文数据预计到2023年VCMDriver全球市场规模有望达到273亿美元公司国海证券研究所请务必阅读正文后免责条款部分证券研究报告MCU与VCMDriver成长空间广阔未来随公司存储业务推进公司有望获得成长新动能盈利预测和投资评级公司在非易失性存储器芯片领域深耕多年技术产品客户优势均处于国内领先地位同时公司依托在存储领域的技术优势与平台资源围绕存储发展战略积极开拓微控制器及模拟芯片产品以实现向更高附加值领域和更多元化市场的拓展我们预计2023-2025年公司营业收入分别为120215882030亿元同比增速为299432152783归母净利润分别为-074110250亿元同比增速为-1888424836128普冉股份当前市值对应PS分别为638482377倍均低于可比公司平均PS估值因此首次覆盖给予买入评级风险提示1下游消费电子需求复苏不及预期2市场竞争加剧3汽车产品导入进度不及预期4新产品研发进度不及预期5存货跌价风险6国产替代不及预期7历史经验仅供参考不代表未来8引用数据仅供参考预测指标TableForcast12022A2023E2024E2025E营业收入百万元925120215882030增长率-16303228归母净利润百万元83-74110250增长率-71-189248128摊薄每股收益元110-098145331ROE4-4511PE9265-1037169903066PB388401379337PS833638482377EVEBITDA17187-884962602770资料来源Wind资讯国海证券研究所请务必阅读正文后免责条款部分2证券研究报告内容目录1普冉股份国内领先存储厂商研发加码助力技术升级新品开拓511发展历程NORFlashEEPROM产品奠定市场地位进军存储领域拓展赛道512股权结构股权结构稳定核心团队经验丰富613财务概况短期业绩承压研发持续加码714主营业务NORFlashEEPROM为核心存储业务打开成长空间92非挥发存储器行业应用领域拓展叠加市场扩容工艺优势打造产品竞争力1121半导体行业周期拐点将至关注去库存进展1122存储芯片现代信息产业的核心之一行业周期波动性明显1123NORFlash利基市场逐步复苏普冉股份SONOS工艺铸就竞争优势13231NORFlash随机存储可靠性强读取速度快可执行代码适用于中低容量应用13232NORFlash工艺对比SONOS成本更低ETOX在大容量存储领域具备优势13233NORFlash市场规模及竞争格局利基市场逐步复苏欧美厂商陆续退出国内厂商市占率提升15234SONOS工艺造就公司NORFlash产品竞争优势车规进程持续推进1724EEPROM手机多摄汽车智能化驱动规模平稳增长应用领域扩张推动业务高质量发展18241EEPROM即插即用可靠性高18242EEPROM市场规模及竞争格局手机多摄汽车智能化驱动规模增长国产替代空间可观19243应用领域扩张推动公司EEPROM业务高质量发展203存储行业MCUVCM打造第二增长曲线2131MCU行业增速稳定前景广阔结合SONOS工艺打造高性能产品2132VCM协同EEPROM深化摄像头模组业务244盈利预测和投资评级2541盈利预测和业务拆分2642可比公司估值分析和投资建议265风险提示27请务必阅读正文后免责条款部分3证券研究报告图表目录图1普冉股份发展历程5图2普冉股份股权结构截至2023年中报6图32017-2023H1年普冉股份营收归母净利润情况单位亿元8图42017-2023H1年普冉股份毛利率及净利率情况8图5普冉股份2017-2023H1营收结构单位亿元8图62017-2023H1年普冉股份费用率情况单位亿元9图72017-2023H1年普冉股份研发费用情况单位亿元9图8公司存储业务应用领域10图9公司存储业务应用领域10图10公司业务及客户10图11全球半导体市场周期变化11图12存储芯片分类12图13全球半导体及存储芯片行业市场规模及增速12图14NOR及NAND架构对比13图15NOR及NAND性能对比13图16ETOX工艺存储单元结构14图17SONOS晶体管横截面示意图14图18SONOS工艺与ETOX工艺特点对比15图19全球NORFlash市场规模及增速16图212020年第一季度全球NORFlash竞争格局16图22全球NORFlash市占率演变情况17图23普冉股份NORFlash产品18图24EEPROM原理示意图18图25EEPROM市场规模及增速单位亿美元20图26全球EEPROM市占率情况20图27全球EEPROM竞争格局20图28普冉股份EEPROM产品21图29MCU架构示意图22图302015-2023全球MCU市场规模单位亿美元22图312017-2023我国MCU市场规模单位亿元22图322019年中国MCU下游应用领域23图332021年中国MCU厂商市占率情况23图34普冉股份MCU产品24图35手机摄像头结构示意图24图36全球音圈马达驱动市场规模单位亿美元25图37普冉VCMDriver产品25表1普冉股份部分核心技术人员背景情况7表2NORFlash和EEPROM对比19表3各业务盈利预测26表4可比公司估值27请务必阅读正文后免责条款部分4证券研究报告1普冉股份国内领先存储厂商研发加码助力技术升级新品开拓11发展历程NORFlashEEPROM产品奠定市场地位进军存储领域拓展赛道普冉股份深耕非易失性存储器芯片围绕存储战略打造第二成长曲线普冉股份前身无锡普雅半导体成立于2012年2013年公司第一颗产品BLDCFanDriver研发成功并进入量产2014年公司64Kb1024KbIICEEPROM系列产品研发成功并实现量产2015年公司小容量高可靠性的2Kb32KbIICEEPROM进入量产同年公司第一颗高安全性4MbSPINORFlash产品研发成功并进入量产2016年普冉半导体正式注册成立同年公司小容量1Mb4MbSPINORFlash进入量产2017年公司工作温度达125的高可靠性4MbSPINORFlash具有软件写保护功能的64Kb128KbIICEEPROM进入量产2018年公司面向物联网应用的超低功耗宽电压高可靠性的32Mb64MbSPINORFlash进入量产公司存储业务切入IoT领域2019年公司首颗AECQ100P25Q80Flash进入量产公司相关产品拓展至汽车领域2021年公司于科创板上市并开始实施存储战略积极拓展通用微控制器MCU和存储结合模拟等新产品线图1普冉股份发展历程资料来源公司官网公司招股说明书公司公告国海证券研究所请务必阅读正文后免责条款部分5证券研究报告12股权结构股权结构稳定核心团队经验丰富公司股权结构稳定实控人为王楠李兆桂公司控股股东及实控人为创始人王楠李兆桂截至2023年中报两人分别直接持有1874486的股权并已签署一致行动协议为一致行动人公司第二大股东为上海志颀企业管理咨询合伙企业有限合伙持股1837王楠李兆桂分别持有其1872693的合伙份额图2普冉股份股权结构截至2023年中报资料来源Wind国海证券研究所管理及核心技术团队行业经验丰富研发人员持续扩充公司创始团队及技术团队拥有多年研发和管理经历曾任职于NEC华虹NEC中芯国际IntegratedDeviceTechnologyIncIDT旺宏SiliconStorageTechnologyIncSONY等国内外知名企业公司核心技术人员平均工作年限超过十五年具备深厚的IDMFoundry和Fabless行业经验研发人员方面公司持续扩充研发团队提升研发能力截至2023年6月30日公司共有研发人员204人同比增长1791研发人员占比达6145未来公司有望凭借核心团队对工艺及产品的深厚理解及研发团队的扩充持续扩充产品线提高产品竞争力请务必阅读正文后免责条款部分6证券研究报告表1普冉股份部分核心技术人员背景情况资料来源公司招股说明书国海证券研究所13财务概况短期业绩承压研发持续加码公司处于降价去库存阶段业绩短期承压2017-2021年公司营收由078亿元快速增长至1103亿元CAGR达9404归母净利润由004亿元增长至291亿元CAGR达19744业绩快速增长主要系下游应用领域需求增长带动公司产品销售额快速提升2022年以来受国际形势紧张不可控因素震荡产能释放产品价格下跌等宏观因素影响半导体设计行业进入下行周期行业景气度下降明显公司业绩短期承压2022年公司实现营业收入925亿元同比下滑1615实现归母净利润083亿元同比下滑7144公司主营业务毛利率达2985同比下滑638个百分点净利率达8992023年H1公司实现营收469亿元同比下滑1771主营业务毛利率2057同比下滑1244个百分点公司收入及毛利率下降主要由于在当前市场需求仍然疲软的情况下公司采取适当降价去库存的定价策略以逐步消化过多库存引起的供需不平衡2023年H1公司实现归母净利润-078亿元同比下滑17568净利率-1670净利润下降的原因主要为收入下降加大投入导致研发费用增长扩大产品线导致销售费用管理费用增长以及股权激励的实施导致股份支付费用增长请务必阅读正文后免责条款部分7证券研究报告图32017-2023H1年普冉股份营收归母净利润情图42017-2023H1年普冉股份毛利率及净利率情况况单位亿元12300403623250323910298527462640200302479237981502057201006119975089089950104784002-502017201820192020202120222023H1-1000-10-16702017201820192020202120222023H1-150-2-200-20营业收入亿元归母净利润亿元毛利率净利率营收增速右轴归母净利润增速右轴资料来源Wind国海证券研究所资料来源Wind国海证券研究所存储芯片市占率逐步提高存储系列芯片塑造第二增长曲线NORFlash方面2017-2021年公司NORFlash产品销售收入由045亿元增长至784亿元CAGR达10462结合华经产业研究院全球NORFlash市场规模并假设汇率均采用73RMB美元核算2017-2021年公司NORFlash市占率由027增长至372EEPROM方面2017-2021年公司EEPROM产品销售收入由029亿元增长至319亿元CAGR达8220结合亿渡数据全球EEPROM市场规模并假设汇率均采用73RMB美元核算2018-2021年公司EEPROM市占率由068增长至3942022年公司存储芯片业务营收达872亿元存储系列芯片业务方面2022年公司实现存储系列芯片营业收入053亿元毛利率达3319非存储类芯片产品营收较2021年同期增长9倍未来随公司产品力提升及业务拓展公司存储芯片业务市占率有望持续提升存储系列芯片业务规模有望持续扩张图5普冉股份2017-2023H1营收结构单位亿元亿元12140120101008806064042002-200-402017201820192020202120222023H1存储芯片EEPROMNORFlash存储其他营收yoy右轴资料来源Wind国海证券研究所注2022及2023H1公司统计口径发生变化期间费用率上升研发持续加码2017-2021年公司销售费用率及管理费用率整体呈下降趋势销售费用率由2017年的562下降至2021年的196请务必阅读正文后免责条款部分8证券研究报告管理费用率由2017年的514下降至2021年2282022年随行业景气度下降公司销售费用率及管理费用率上升2022年公司销售费用率及管理费用率分别为3003602023年H1公司销售费用率及管理费用率分别为421466研发费用率方面2022年以来随公司持续推进技术创新与新品研发公司研发费用率持续提升2022年公司研发费用率达1607同比增长777个百分点2023年H1公司研发费用率升至2001受益于研发投入加大公司原有产品持续迭代性能持续优化新产品按计划实现量产产品竞争力和覆盖面进一步增强图62017-2023H1年普冉股份费用率情况单位图72017-2023H1年普冉股份研发费用情况单位亿元亿元04816250361420021240112150080-010610-2-02045-03-402-04-600销售费用管理费用财务费用销售费用率右轴管理费用率右轴财务费用率右轴研发费用研发费用率右轴资料来源Wind国海证券研究所资料来源Wind国海证券研究所14主营业务NORFlashEEPROM为核心存储业务打开成长空间公司主营业务包含NORFlashEEPROMMCUVCMDriver等产品公司主营业务为非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售产品广泛应用于手机计算机网络通信家电工业控制汽车电子可穿戴设备和物联网等领域公司在非易失性存储器芯片领域深耕多年以先进工艺低功耗NORFlash和高可靠性EEPROM为核心持续完善和优化产品相关产品可充分满足客户对高性能存储器需求并实现对工业和车载应用的支持公司亦基于先进工艺和存储器优势实施存储战略积极拓展通用微控制器MCU和存储结合模拟等新产品线协同效应造就产品优势存储业务空间广阔公司存储业务主要包括MCU产品VCMDriver芯片产品和其他模拟产品可广泛应用于消费电子家电物联网医疗健康工业控制通用民品等领域请务必阅读正文后免责条款部分9证券研究报告图8公司存储业务应用领域图9公司存储业务应用领域资料来源公司公告国海证券研究所资料来源公司公告国海证券研究所产品优势塑造品牌口碑下游客户广泛公司产品具备低功耗高可靠性等产品优势下游客户口碑良好NORFlash业务方面公司相关产品应用于低功耗蓝牙模块TWS耳机手机触控和指纹TDDI触屏AMOLED有源矩阵有机发光二极体面板可穿戴设备车载导航和安全芯片等领域目前公司已与汇顶科技恒玄科技杰理科技中科蓝讯等主控原厂深天马合力泰华星光电等手机屏幕厂商建立了稳定的业务合作关系相关产品广泛应用于三星OPPOvivo小米联想惠普等品牌厂商EEPROM业务方面公司相关产品可应用于手机摄像头模组含3D智能仪表网络通信家电等领域目前公司已与舜宇欧菲光丘钛微电子信利合力泰三星电机三赢兴盛泰等行业内领先的手机摄像头模组厂商以及闻泰科技华勤通讯龙旗科技等ODM厂商形成了稳定的合作关系产品广泛应用于OPPOvivo小米美的等知名厂商的终端产品公司亦积极开拓海外市场未来有望凭借产品优势持续拓展客户群体图10公司业务及客户资料来源公司公告各公司官网国海证券研究所请务必阅读正文后免责条款部分10证券研究报告2非挥发存储器行业应用领域拓展叠加市场扩容工艺优势打造产品竞争力21半导体行业周期拐点将至关注去库存进展半导体行业具有强周期性半导体周期本质是供需关系演变推动的缺芯-扩产-过剩-缩减产能的循环上轮周期为2019年年中波谷-2022年年中波峰2022年下半年以来行业处于下行阶段本轮周期拐点将至复盘整体周期轮动时间半导体每轮周期约为4-5年其中从波谷到波峰的上行周期是1-3年从波峰至波谷的下行周期1-2年当前半导体周期波峰出现于2022年Q2按照历史规律有望在2023Q3-2024Q2期间进入复苏阶段未来随消费电子复苏汽车电子物联网人工智能等行业发展半导体行业有望迎来景气周期图11全球半导体市场周期变化200150100500-501977-031978-061979-091980-121982-031983-061984-091985-121987-031988-061989-091990-121992-031993-061994-091995-121997-031998-061999-092000-122002-032003-062004-092005-122007-032008-062009-092010-122012-032013-062014-092015-122017-032018-062019-092020-122022-03-100全球半导体销售额yoy资料来源Wind国海证券研究所22存储芯片现代信息产业的核心之一行业周期波动性明显存储芯片又称半导体存储器是现代信息产业应用最广的核心零部件之一存储器可存储程序代码以处理各类数据并可存储数据处理过程中产生的中间数据和最终结果被广泛应用于内存U盘消费电子智能终端固态存储硬盘等请务必阅读正文后免责条款部分11证券研究报告领域是应用面最广的基础性通用集成电路产品之一存储芯片的种类繁多根据存储芯片的功能读取数据的方式和数据存储的原理存储芯片可分为挥发性存储器和非挥发存储器公司非挥发存储器产品覆盖NORFlash和EEPROM两大产品类别图12存储芯片分类资料来源复旦微电招股说明书国海证券研究所存储芯片行业与半导体整体行业周期方向同步但波动性更强当半导体行业处于景气周期时存储芯片行业增长更快半导体处于周期下行阶段时存储芯片下跌幅度更大以上一轮周期为例2017年全球半导体销售额同比增长216全球存储芯片市场规模同比增长高达6152019年全球半导体销售额同比下降12全球存储芯片市场规模同比下降326未来若半导体行业周期回暖存储芯片行业有望成为复苏较快弹性较大的半导体细分板块图13全球半导体及存储芯片行业市场规模及增速7000806000605000404000203000020001000-200-4020122013201420152016201720182019202020212022E全球存储芯片市场规模亿美元全球半导体销售额亿美元存储芯片yoy右轴半导体yoy右轴资料来源全球半导体贸易统计组织Wind公司公告WSTS国海证券研究所请务必阅读正文后免责条款部分12证券研究报告23NORFlash利基市场逐步复苏普冉股份SONOS工艺铸就竞争优势231NORFlash随机存储可靠性强读取速度快可执行代码适用于中低容量应用Flash存储器闪存芯片是从EEPROM演变而来的支持可擦除写入非挥发存储器Flash可分为NORFlash和NANDFlash两类NANDFlash存储采用多位串联结构可有效节省空间及成本增加储存密度但读取速度较慢NORFlash存储阵列由各存储单元通过并联方式连接组成在实现按位快速随机读取数据的同时允许系统直接从存储单元中读取代码执行芯片内执行读取速度快通常被用于存储相关数据和代码程序以满足快速启动应用系统的需求图14NOR及NAND架构对比图15NOR及NAND性能对比资料来源FlashingintheMemoryHierarchyAn资料来源崇贸科技OverviewonFlashMemoryInternalsJalilBoukhobza等NORFlash适用于中低容量应用根据接口的不同NORFlash可以分为串行和并行两种结构串行结构相对简单成本更低随着工艺的进步串行闪存已经能满足一般系统对速度及数据读写的要求逐步成为主要系统方案商的首选作为数据读取和存储的重要器件NORFlash的主要功能是数据的存储和读取以及同时实现开机启动等固定运行的程序NORFlash不必把应用程序代码读到系统RAM中即可直接运行因此其在运行程序时优势更显著可适用于对开机响应时间可靠性等要求较高的电子设备由于NORFlash的随机存储可靠性强读取速度快可执行代码等特性以及其在中低容量应用中的性能及成本优势NORFlash被广泛应用于手机电脑可穿戴等消费类电子汽车电子安防工控基站物联网设备等领域232NORFlash工艺对比SONOS成本更低ETOX在大容量存储领域具备优势从芯片设计角度看存储芯片主要由存储单元和外围电路两部分组成存储单请务必阅读正文后免责条款部分13证券研究报告元结构是芯片设计的基础电路设计的核心技术不仅是决定产品性能的关键因素还是产品差异化以及企业技术壁垒来源目前NORFlash的主流基础工艺包括浮栅ETOX和电荷俘获的SONOS工艺结构1ETOX结构存储器主要由衬底隧道氧化层多晶浮栅栅间绝缘层和多晶控制栅组成通过向浮栅中注入电子或拉出电子实现写入和擦除操作2SONOS结构由赛普拉斯在2001年提出是以ONO堆栈为栅介质的MOS晶体管结构SONOS结构被广泛的应用于嵌入式非易失性存储器和MCU等半导体器件中具备成本低操作电压低等特性SONOS结构存储器具使用绝缘层如氮硅作为电荷存储层氮化物中的电荷陷阱俘获从通道注入的载流子并保留电荷由于电荷存储层是绝缘体因此这种存储机制对隧道氧化缺陷的敏感度较低对于数据保存更为稳健图16ETOX工艺存储单元结构图17SONOS晶体管横截面示意图资料来源公司招股说明书资料来源公司招股说明书对比ETOX工艺和SONOS工艺ETOX工艺在大容量存储领域具备优势SONOS工艺在低功耗高可靠性成本方面具备优势1SONOS工艺可以降低操作电压实现低功耗和高可靠性在SONOS工艺结构中ONO特殊的存储结构可以使擦除和编程操作期间的电荷俘获效率最大化并使保留期间的电荷损失最小化擦写电压的下降降低了擦除和写入操作对单元结构的损耗提高了存储器芯片的使用寿命同时擦写电压的下降意味着更低的擦除写入功耗有益于降低产品功耗提高产品可靠性2SONOS工艺降低工艺复杂度与制造成本ETOX技术由于编程电压高集成复杂一般需要在基本逻辑工艺基础上再额外增加9-12层光罩来实现而SONOS工艺平台的处理结构更简单一般只需要在基本逻辑工艺基础上再增加3-5层光罩就可以实现SONOS工艺结构需要光罩层数较少可以降低光罩费用和芯片的制造成本3ETOX工艺结构在大容量存储领域具有一定优势SONOS工艺结构中存储单元是一个双管2T单元而ETOX工艺的存储单元是单管单元这意味着ETOX工艺的存储单元较小在中小容量领域采用请务必阅读正文后免责条款部分14证券研究报告SONOS工艺结构能够简化外围控制电路大幅度降低芯片的尺寸和面积加强芯片的成本优势在大容量存储领域存储单元占芯片面积的比例随容量上升而上升存储器芯片面积大小成为决定芯片面积的主要因素因此ETOX工艺在大容量存储领域更具优势图18SONOS工艺与ETOX工艺特点对比资料来源公司招股说明书国海证券研究所233NORFlash市场规模及竞争格局利基市场逐步复苏欧美厂商陆续退出国内厂商市占率提升NORFlash景气度随下游场景拓展而回升2021年全球市场规模近30亿美元NORFlash是除DRAMNANDFlash之外最大规模的利基型存储据华经产业研究院数据2021年NORFlash占整体储存器市场2在功能机时代手机对内存要求不高NOR凭XiP架构得以广泛应用但智能机时代手机内存要求大幅提升而NOR在高容量领域较NAND出现成本劣势其市场份额逐渐被NAND替代市场规模不断缩减2016年以来随AMOLED可穿戴设备TDDI等中低容量高度读取速度领域需求增加NORFlash逐步转向利基型市场并重获增长动能据华经产业研究院数据2021年全球NORFlash市场规模达2884亿美元请务必阅读正文后免责条款部分15证券研究报告图19全球NORFlash市场规模及增速8073343067692570206053741510504471438943354034702857288430252286228623432229-51971185720-10-1510-200-252006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021全球NORFlash市场规模亿美元yoy右轴资料来源华经产业研究院前瞻产业研究院国海证券研究所物联网车载电子需求推动市场规模增长随着物联网可穿戴设备汽车电子等下游新兴需求的拓展据前瞻产业研究院数据预计全球NORFlash市场规模2026年有望突破40亿美元根据公司招股说明书分场景来看中小容量NOR多用于TDDIAMOLED蓝牙耳机等领域预计有望分别带来072亿美元1亿美元3亿美元的新增市场大容量NOR主要应用于车载电子工业设备等领域预计车载5G基站等领域有望分别带来8-12亿美元043亿美元的新增市场图20NORFlash新增市场空间拆分图212020年第一季度全球NORFlash竞争格局亿美元10121072710815643210720432318-TDDIAMOLEDTWS车载电子5G基站华邦旺宏电子兆易创新新增市场空间亿美元赛普拉斯美光其他资料来源公司招股说明书国海证券研究所注车载电子资料来源东芯股份招股说明书国海证券研究所新增市场规模为8-12亿美元的平均值欧美厂商陆续退出国内厂商市占率提升由于NORFlash市场容量有限以及DRAMNANDFlash需求增长等因素国际存储大厂纷纷退出中低端NORFlash市场产能或让位于高毛利的高容量NORFlash或DARMNANDFlash产品美光赛普拉斯被英飞凌收购先后于20162017年开始淘汰中低端请务必阅读正文后免责条款部分16证券研究报告NOR产品在国际存储大厂陆续退出的背景下国产厂商兆易创新华邦旺宏等厂商市场份额持续上升据华经产业研究院数据目前全球NORFlash市场已逐渐形成了华邦旺宏兆易创新赛普拉斯和美光的五强竞争格局2021年华邦旺宏兆易创新市场份额分别达348327和232公司2021年市场份额约为52距兆易创新华邦旺宏等厂商尚有一定差距未来随出货量快速增长公司市场份额有望持续提升图22全球NORFlash市占率演变情况4035302520151050201620172018201920202021华邦电子旺宏电子兆易创新赛普拉斯美光普冉股份资料来源前瞻产业研究院华经产业研究院公司公告国海证券研究所234SONOS工艺造就公司NORFlash产品竞争优势车规进程持续推进SONOSETOX工艺并行NORFlash业务优势持续深化NORFlash方面公司NORFlash产品采用电荷俘获SONOS及浮栅ETOX工艺结构具备低功耗高可靠性快速擦除和快速读取等优异性能制程方面目前NORFlash行业主流工艺制程为55nm公司40nm工艺制程下4Mbit到128Mbit容量的全系列产品均已实现量产处于行业内领先技术水平工艺结构方面公司2016年与赛普拉斯签署SONOS的技术授权协议目前是市场上少数能够利用SONOS工艺平台完成NORFlash存储芯片研发设计的企业之一公司亦并行采用浮栅ETOX工艺结构提供以中大容量为主中小容量为辅的系列产品目前已达到50nm的先进制程并实现六颗产品的大批量量产出货公司256Mbit产品2023年上半年已经出货512Mbit到1Gbit容量产品亦正在依照规划逐步推出应用领域方面公司NORFlash业务在汽车领域拓展顺利中小容量NORFlash车载产品已陆续完成AEC-Q100认证主要应用于部分品牌车型的前装车载导航中控娱乐等公司已逐步推进全系列NORFlash车规认证未来公司有望凭借自己深厚的工艺积累强化产品性能及成本优势持续提升公司NORFlash市场份额请务必阅读正文后免责条款部分17证券研究报告图23普冉股份NORFlash产品资料来源公司招股说明书公司公告国海证券研究所24EEPROM手机多摄汽车智能化驱动规模平稳增长应用领域扩张推动业务高质量发展241EEPROM即插即用可靠性高EEPROM指支持电可擦除的非挥发存储器是一种即插即用的小容量可编写只读存储设备EEPROM具有体积小接口简单数据保存可靠可在线改写功耗低等特点广泛应用于汽车电子智能电表智能家居小家电等领域依照操作方式不同EEPROM芯片可分为串行EEPROM和并行EEPROM并行EEPROM存储容量较大读写相对简单但价格相对较高适用于信息量较多的场合串行EEPROM结构简单接口少保存可靠功耗低且价格低廉占据绝大部分EEPROM市场份额广泛应用于一些掉电时数据需要保存或某些需要数据能在线修改的场景图24EEPROM原理示意图资料来源罗姆请务必阅读正文后免责条款部分18证券研究报告EEPROM和NORFlash均为满足中低容量存储需求的非易失性存储器但二者在性能上存在差异可靠性方面行内主流的EEPROM产品数据保持时间可达100年擦写次数可达100万次NORFlash产品普遍数据保持时间可达10年擦写次数可达10万次容量方面EEPROM容量通常为1Kbit2048KbitNORFlash容量通常为512Kbit512Mbit功能方面NORFlash具备芯片内执行的能力XIP应用程序可以直接在Flash闪存内运行不必再把代码读到系统RAM中简化了芯片模组的结构性能差异亦导致EEPROM和NORFlash应用领域上存在不同NORFlash更适合如蓝牙耳机AMOLEDTDDI安防智能家居可穿戴设备等对数据存储量要求较高程序调用更频繁的应用领域EEPROM更适合存储小规模需要经常修改的数据适合手机摄像头汽车电子智能电表医疗监测仪等存储数据修改频繁耐用性和可靠性要求较高的应用领域表2NORFlash和EEPROM对比资料来源公司招股说明书国海证券研究所242EEPROM市场规模及竞争格局手机多摄汽车智能化驱动规模增长国产替代空间可观据华经产业研究院数据2021年EEPROM在存储芯片市场中份额占比小于1随着5G智能通讯汽车电子等下游领域需求不断拓展EEPROM市场规模不断提升2022年随消费电子需求下行EEPROM市场增速减缓未来智能手机摄像头多摄配置汽车智能化有望驱动EEPROM市场继续增长市场规模方面受益于手机模组消费电子工业通讯医疗等应用领域需求旺盛EEPROM市场规模持续增长据赛迪顾问统计2018年全球EEPROM市场规模达714亿美元预计2023年有望达905亿美元请务必阅读正文后免责条款部分19证券研究报告图25EEPROM市场规模及增速单位亿美元1010988766544322010-2201420152016201720182019E2020E2021E2022E2023E全球EEPROM市场销售额yoy右轴资料来源赛迪顾问公司招股说明书国海证券研究所EEPROM市场集中度高竞争格局稳定EEPROM主要供应商包括意法半导体美国微芯科技聚辰股份安森美半导体艾普凌科等EEPROM行业集中度较高第一梯队意法半导体美国微芯科技产品单价高在汽车电子领域占主导地位据华经产业研究院数据意法半导体与美国微芯科技市占率分别为3100与2210第二梯队厂商包括聚辰股份安森美普冉股份等产品价格适中主要应用于消费电子通讯家电等领域图26全球EEPROM市占率情况图27全球EEPROM竞争格局207031007009309902210意法半导体Microchip聚辰股份安森美ABLIC其他资料来源华经产业研究院国海证券研究所资料来源电数前瞻亿渡数据243应用领域扩张推动公司EEPROM业务高质量发展EEPROM应用领域持续拓展业务质量持续提升目前公司EEPROM系列产品容量覆盖2Kbit到4Mbit操作电压覆盖12V到55V具备高可靠性面积小性价比高等优势公司EEPROM产品同时实现了分区域保护地址编程等功能可对芯片中存储的参数数据进行保护避免数据丢失和篡改可擦写次数可达到400万次数据保持时间可达200年制程方面公司EEPROM产品请务必阅读正文后免责条款部分20